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MT29F512G08CKCABH7-6:A TR IC FLASH 512GBIT PAR 152TBGA Micron Technology Inc. Il est fourni par les fournisseurs de services de téléphonie mobile.

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xDétails sur le produit
Type de mémoire | Non-volatile | Format de mémoire | Flash |
---|---|---|---|
Technologie | ÉCLAIR - NON-ET (MLC) | Capacité de la mémoire | 512Gbit |
Organisation de mémoire | 64G X 8 | Interface de mémoire | Parallèlement |
Fréquence du signal d'horloge | 166 MHz | Écrivez la durée de cycle - Word, page | - |
Temps d'accès | - | Voltage - alimentation | 2.7V à 3.6V |
Température de fonctionnement | Pour les appareils de traitement des eaux usées: | Type de montage | Monture de surface |
Emballage / boîtier | 152-TBGA | Paquet de dispositifs fournis par le fournisseur | 152-TBGA (14x18) |
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Part Number | Description | |
---|---|---|
MT29F512G08CKCABH7-6:A TR | IC FLASH 512GBIT PAR 152TBGA | |
MT29F512G08CMCABH7-6:A TR | IC FLASH 512GBIT PAR 152TBGA | |
MT29F512G08CKCABH7-6:A | IC FLASH 512GBIT PAR 152TBGA | |
MT29F512G08CKCABH7-6R:A | IC FLASH 512GBIT PAR 152TBGA | |
MT29F512G08CMCABH7-6:A | IC FLASH 512GBIT PAR 152TBGA | |
MT29F512G08CMCABH7-6C:A | IC FLASH 512GBIT PAR 152TBGA | |
MT29F512G08CMCABH7-6R:A | IC FLASH 512GBIT PAR 152TBGA | |
MT29F512G08CMECBH7-12:C | IC FLASH 512GBIT PAR 152TBGA | |
MT29F512G08CMCCBH7-6R:C | IC FLASH 512GBIT PAR 152TBGA | |
MT29F512G08CKCCBH7-6R:C | IC FLASH 512GBIT PAR 152TBGA | |
MT29F512G08CMEABH7-12:A TR | IC FLASH 512GBIT PAR 152TBGA | |
MT29F512G08CMEABH7-12:A | IC FLASH 512GBIT PAR 152TBGA | |
MT29F512G08CMECBH7-12:C TR | IC FLASH 512GBIT PAR 152TBGA | |
MT29F512G08CMCCBH7-6R:C TR | IC FLASH 512GBIT PAR 152TBGA | |
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MT29F256G08AKCBBH7-6:B TR | IC FLASH 256GBIT PAR 152TBGA | |
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MT29F256G08AMCBBH7-6:B TR | IC FLASH 256GBIT PAR 152TBGA | |
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MT29F512G08CKCBBH7-6R:B TR | IC FLASH 512GBIT PAR 152TBGA | |
MT29F512G08CKEABH7-12IT:A TR | IC FLASH 512GBIT PAR 152TBGA | |
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MT29F512G08CMCBBH7-6R:B TR | IC FLASH 512GBIT PAR 152TBGA | |
MT29F512G08CMCCBH7-6ITR:C TR | IC FLASH 512GBIT PAR 152TBGA | |
MT29F512G08CMEABH7-12IT:A TR | IC FLASH 512GBIT PAR 152TBGA | |
MT29F512G08CMCCBH7-6C:C | IC FLASH 512GBIT PAR 152TBGA | |
MT29F512G08CMCCBH7-6ITR:C | IC FLASH 512GBIT PAR 152TBGA | |
MT29F512G08CKCBBH7-6C:B | IC FLASH 512GBIT PAR 152TBGA | |
MT29F512G08CKCBBH7-6ITC:B | IC FLASH 512GBIT PAR 152TBGA | |
MT29F512G08CMCBBH7-6C:B | IC FLASH 512GBIT PAR 152TBGA | |
MT29F512G08CMCBBH7-6ITR:B | IC FLASH 512GBIT PAR 152TBGA | |
MT29F256G08AKEBBH7-12:B | IC FLASH 256GBIT PAR 152TBGA | |
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MT29F512G08CKECBH7-12:C | IC FLASH 512GBIT PAR 152TBGA | |
MT29F512G08CMCBBH7-6R:B | IC FLASH 512GBIT PAR 152TBGA |
Description de produit
Détails du produit
Description générale
Les périphériques flash NAND Micron comprennent une interface de données asynchrone pour des opérations d'E/S de haute performance.Il y a cinq signaux de contrôle utilisés pour mettre en œuvre l'interface de données asyn chronous: CE#, CLE, ALE, WE# et RE#. Des signaux supplémentaires contrôlent la protection contre l'écriture matérielle (WP#) et surveillent l'état de l'appareil (R/B#).
Caractéristiques
• Interface flash NAND ouverte (ONFI) conforme à la norme 2.2• Technologie des cellules à plusieurs niveaux (MLC)
• organisation
La taille de la page x8: 8640 octets (8192 + 448 octets)
Taille du bloc: 256 pages (2048K + 112K bytes)
Taille de l'avion: 2 avions x 2048 blocs par avion
La taille de l'appareil: 64 Gb: 4096 blocs;
128 Gb: 8192 blocs;
256 Gb: 16 384 blocs;
512Gb: 32 786 blocs
• Performance d'E/S synchrone
¢ jusqu'au mode de synchronisation 5
Le taux d'horloge: 10ns (DDR)
Le débit de lecture/écriture par broche: 200 MT/s
• Performance d'E/S asynchrone
¢ jusqu'au mode de synchronisation asynchrone 5
Je ne sais pas.
Le nombre de cycles est calculé en fonction de la fréquence d'écoulement.
• Performance du tableau
Lecture de la page: 50 μs (maximum)
¢ Page du programme: 1300 μs (TYP)
Bloc de suppression: 3 ms (TYP)
• Plage de tension de fonctionnement
¢ VCC: 2,7 ¢ 3,6 V
‡ VCCQ: 1,7 ‡ 1,95 V, 2,7 ‡ 3,6 V
• Ensemble de commandes: protocole ONFI NAND Flash
• Un ensemble de commandes avancées
Le cache du programme
Lire le cache séquentiel
Lire le cache aléatoire
– One-time programmable (OTP) mode
Commandes multi-avions
– Multi-LUN operations
Lire l'ID unique
– Copyback
• Le premier bloc (adresse de bloc 00h) est valable à l'expédition
Pour l'ECC minimum requis, voir
Gestion des erreurs (page 109).
• RESET (FFh) requis comme première commande après mise sous tension
sur
• Le byte d'état d'opération fournit une méthode logicielle pour
détecter
L'opération est achevée
Condition de réussite/échec
Le statut de protection contre l'écriture
• Les signaux DQS fournissent une méthode matérielle
pour la synchronisation des données DQ dans le système synchrone
interface
• Opérations de recopiement prises en charge dans l'avion
dont les données sont lues
• Qualité et fiabilité
Réservation des données: 10 ans
¢ Durée de vie: 5000 cycles de programme/effacement
• Température de fonctionnement:
Pour les produits commerciaux: 0°C à +70°C
️ Industrie (IT): ️40°C à +85°C
• Forfait
LGA à 52 plaquettes
¢ TSOP à 48 broches
– 100-ball BGA
Les spécifications
Attribut | Valeur attribuée |
---|---|
Produit de fabrication | Micron Technology Inc. est une société de technologie. |
Catégorie de produits | Circuits intégrés mémoire |
Série | - |
Emballage | Emballages de remplacement en ruban adhésif et bobine (TR) |
Boîtier de colis | - |
Température de fonctionnement | Pour les appareils de traitement des eaux usées: |
Interface | Parallèlement |
Appareil de régulation de la tension | 2.7 V ~ 3.6 V |
Produit fourni par le fournisseur | - |
Capacité de mémoire | 512G (64G x 8) |
Type de mémoire | Flash - NAND |
Vitesse | - |
Format-mémoire | Flash |
Décrits
Flash - mémoire NAND IC 512Gb (64G x 8) parallèle à 166MHz
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