MT29F512G08CKCABH7-6:A TR IC FLASH 512GBIT PAR 152TBGA Micron Technology Inc. Il est fourni par les fournisseurs de services de téléphonie mobile.

Nom de marque Micron Technology Inc.
Numéro de modèle MT29F512G08CKCABH7-6:A TR
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Détails d'emballage sacs antistatiques et boîtes en carton
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Détails sur le produit
Type de mémoire Non-volatile Format de mémoire Flash
Technologie ÉCLAIR - NON-ET (MLC) Capacité de la mémoire 512Gbit
Organisation de mémoire 64G X 8 Interface de mémoire Parallèlement
Fréquence du signal d'horloge 166 MHz Écrivez la durée de cycle - Word, page -
Temps d'accès - Voltage - alimentation 2.7V à 3.6V
Température de fonctionnement Pour les appareils de traitement des eaux usées: Type de montage Monture de surface
Emballage / boîtier 152-TBGA Paquet de dispositifs fournis par le fournisseur 152-TBGA (14x18)
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Part Number Description
MT29F512G08CKCABH7-6:A TR IC FLASH 512GBIT PAR 152TBGA
MT29F512G08CMCABH7-6:A TR IC FLASH 512GBIT PAR 152TBGA
MT29F512G08CKCABH7-6:A IC FLASH 512GBIT PAR 152TBGA
MT29F512G08CKCABH7-6R:A IC FLASH 512GBIT PAR 152TBGA
MT29F512G08CMCABH7-6:A IC FLASH 512GBIT PAR 152TBGA
MT29F512G08CMCABH7-6C:A IC FLASH 512GBIT PAR 152TBGA
MT29F512G08CMCABH7-6R:A IC FLASH 512GBIT PAR 152TBGA
MT29F512G08CMECBH7-12:C IC FLASH 512GBIT PAR 152TBGA
MT29F512G08CMCCBH7-6R:C IC FLASH 512GBIT PAR 152TBGA
MT29F512G08CKCCBH7-6R:C IC FLASH 512GBIT PAR 152TBGA
MT29F512G08CMEABH7-12:A TR IC FLASH 512GBIT PAR 152TBGA
MT29F512G08CMEABH7-12:A IC FLASH 512GBIT PAR 152TBGA
MT29F512G08CMECBH7-12:C TR IC FLASH 512GBIT PAR 152TBGA
MT29F512G08CMCCBH7-6R:C TR IC FLASH 512GBIT PAR 152TBGA
MT29F512G08CKCCBH7-6R:C TR IC FLASH 512GBIT PAR 152TBGA
MT29F256G08AKCBBH7-6:B TR IC FLASH 256GBIT PAR 152TBGA
MT29F256G08AKCBBH7-6IT:B TR IC FLASH 256GBIT PAR 152TBGA
MT29F256G08AMCBBH7-6:B TR IC FLASH 256GBIT PAR 152TBGA
MT29F256G08AMCBBH7-6IT:B TR IC FLASH 256GBIT PAR 152TBGA
MT29F512G08CKCBBH7-6R:B TR IC FLASH 512GBIT PAR 152TBGA
MT29F512G08CKEABH7-12IT:A TR IC FLASH 512GBIT PAR 152TBGA
MT29F512G08CKECBH7-12:C TR IC FLASH 512GBIT PAR 152TBGA
MT29F512G08CMCBBH7-6R:B TR IC FLASH 512GBIT PAR 152TBGA
MT29F512G08CMCCBH7-6ITR:C TR IC FLASH 512GBIT PAR 152TBGA
MT29F512G08CMEABH7-12IT:A TR IC FLASH 512GBIT PAR 152TBGA
MT29F512G08CMCCBH7-6C:C IC FLASH 512GBIT PAR 152TBGA
MT29F512G08CMCCBH7-6ITR:C IC FLASH 512GBIT PAR 152TBGA
MT29F512G08CKCBBH7-6C:B IC FLASH 512GBIT PAR 152TBGA
MT29F512G08CKCBBH7-6ITC:B IC FLASH 512GBIT PAR 152TBGA
MT29F512G08CMCBBH7-6C:B IC FLASH 512GBIT PAR 152TBGA
MT29F512G08CMCBBH7-6ITR:B IC FLASH 512GBIT PAR 152TBGA
MT29F256G08AKEBBH7-12:B IC FLASH 256GBIT PAR 152TBGA
MT29F256G08AMEBBH7-12:B IC FLASH 256GBIT PAR 152TBGA
MT29F256G08AMEBBH7-12:B TR IC FLASH 256GBIT PAR 152TBGA
MT29F256G08AKCBBH7-6IT:B IC FLASH 256GBIT PAR 152TBGA
MT29F256G08AMCBBH7-6IT:B IC FLASH 256GBIT PAR 152TBGA
MT29F512G08CKECBH7-12:C IC FLASH 512GBIT PAR 152TBGA
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Description de produit

Détails du produit

Description générale

Les périphériques flash NAND Micron comprennent une interface de données asynchrone pour des opérations d'E/S de haute performance.Il y a cinq signaux de contrôle utilisés pour mettre en œuvre l'interface de données asyn chronous: CE#, CLE, ALE, WE# et RE#. Des signaux supplémentaires contrôlent la protection contre l'écriture matérielle (WP#) et surveillent l'état de l'appareil (R/B#).

Caractéristiques

• Interface flash NAND ouverte (ONFI) conforme à la norme 2.2
• Technologie des cellules à plusieurs niveaux (MLC)
• organisation
La taille de la page x8: 8640 octets (8192 + 448 octets)
Taille du bloc: 256 pages (2048K + 112K bytes)
Taille de l'avion: 2 avions x 2048 blocs par avion
La taille de l'appareil: 64 Gb: 4096 blocs;
128 Gb: 8192 blocs;
256 Gb: 16 384 blocs;
512Gb: 32 786 blocs
• Performance d'E/S synchrone
¢ jusqu'au mode de synchronisation 5
Le taux d'horloge: 10ns (DDR)
Le débit de lecture/écriture par broche: 200 MT/s
• Performance d'E/S asynchrone
¢ jusqu'au mode de synchronisation asynchrone 5
Je ne sais pas.
Le nombre de cycles est calculé en fonction de la fréquence d'écoulement.
• Performance du tableau
Lecture de la page: 50 μs (maximum)
¢ Page du programme: 1300 μs (TYP)
Bloc de suppression: 3 ms (TYP)
• Plage de tension de fonctionnement
¢ VCC: 2,7 ¢ 3,6 V
‡ VCCQ: 1,7 ‡ 1,95 V, 2,7 ‡ 3,6 V
• Ensemble de commandes: protocole ONFI NAND Flash
• Un ensemble de commandes avancées
Le cache du programme
Lire le cache séquentiel
Lire le cache aléatoire
– One-time programmable (OTP) mode
Commandes multi-avions
– Multi-LUN operations
Lire l'ID unique
– Copyback
• Le premier bloc (adresse de bloc 00h) est valable à l'expédition
Pour l'ECC minimum requis, voir
Gestion des erreurs (page 109).
• RESET (FFh) requis comme première commande après mise sous tension
sur
• Le byte d'état d'opération fournit une méthode logicielle pour
détecter
L'opération est achevée
Condition de réussite/échec
Le statut de protection contre l'écriture
• Les signaux DQS fournissent une méthode matérielle
pour la synchronisation des données DQ dans le système synchrone
interface
• Opérations de recopiement prises en charge dans l'avion
dont les données sont lues
• Qualité et fiabilité
Réservation des données: 10 ans
¢ Durée de vie: 5000 cycles de programme/effacement
• Température de fonctionnement:
Pour les produits commerciaux: 0°C à +70°C
️ Industrie (IT): ️40°C à +85°C
• Forfait
LGA à 52 plaquettes
¢ TSOP à 48 broches
– 100-ball BGA

Les spécifications

Attribut Valeur attribuée
Produit de fabrication Micron Technology Inc. est une société de technologie.
Catégorie de produits Circuits intégrés mémoire
Série -
Emballage Emballages de remplacement en ruban adhésif et bobine (TR)
Boîtier de colis -
Température de fonctionnement Pour les appareils de traitement des eaux usées:
Interface Parallèlement
Appareil de régulation de la tension 2.7 V ~ 3.6 V
Produit fourni par le fournisseur -
Capacité de mémoire 512G (64G x 8)
Type de mémoire Flash - NAND
Vitesse -
Format-mémoire Flash

Décrits

Flash - mémoire NAND IC 512Gb (64G x 8) parallèle à 166MHz