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AS4C2M32SA-6TCN IC DRAM 64MBIT PAR 86TSOP II Alliance Memory, Inc. Il est fourni par le fournisseur de la mémoire.

  • AS4C2M32SA-6TCN IC DRAM 64MBIT PAR 86TSOP II Alliance Memory, Inc.
Nom de marque Alliance Memory, Inc.
Numéro de modèle AS4C2M32SA-6TCN
Quantité de commande min 1
Prix Based on current price
Détails d'emballage sacs antistatiques et boîtes en carton
Délai de livraison 3 à 5 jours ouvrables
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Détails sur le produit
Type de mémoire Volatil Format de mémoire DRACHME
Technologie SDRAM Capacité de la mémoire 64Mbit
Organisation de mémoire 2M x 32 Interface de mémoire Parallèlement
Fréquence du signal d'horloge 166 MHz Écrivez la durée de cycle - Word, page 2ns
Temps d'accès 5,5 NS Voltage - alimentation 3V à 3,6V
Température de fonctionnement Pour les appareils de traitement des eaux usées: Type de montage Monture de surface
Emballage / boîtier 86-TFSOP (0,400", largeur de 10.16mm) Paquet de dispositifs fournis par le fournisseur 86-TSOP II
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Part Number Description
AS4C2M32SA-6TCN IC DRAM 64MBIT PAR 86TSOP II
AS4C4M32SA-7TCN IC DRAM 128MBIT PAR 86TSOP II
AS4C4M32SA-6TIN IC DRAM 128MBIT PAR 86TSOP II
AS4C16M32SC-7TIN IC DRAM 512MBIT PAR 86TSOP II
AS4C2M32SA-6TCNTR IC DRAM 64MBIT PAR 86TSOP II
AS4C2M32SA-7TCNTR IC DRAM 64MBIT PAR 86TSOP II
AS4C2M32SA-7TCN IC DRAM 64MBIT PAR 86TSOP II
AS4C4M32SA-6TCNTR IC DRAM 128MBIT PAR 86TSOP II
AS4C4M32SA-7TCNTR IC DRAM 128MBIT PAR 86TSOP II
AS4C4M32SA-6TCN IC DRAM 128MBIT PAR 86TSOP II
AS4C2M32SA-6TINTR IC DRAM 64MBIT PAR 86TSOP II
AS4C2M32SA-6TIN IC DRAM 64MBIT PAR 86TSOP II
AS4C4M32SA-6TINTR IC DRAM 128MBIT PAR 86TSOP II
AS4C8M32S-7TCNTR IC DRAM 256MBIT PAR 86TSOP II
AS4C8M32S-6TINTR IC DRAM 256MBIT PAR 86TSOP II
AS4C8M32S-7TCN IC DRAM 256MBIT PAR 86TSOP II
AS4C8M32S-6TIN IC DRAM 256MBIT PAR 86TSOP II
AS4C16M32SC-7TINTR IC DRAM 512MBIT PAR 86TSOP II
AS4C2M32S-7TCN IC DRAM 64MBIT PAR 86TSOP II
AS4C4M32S-7TCN IC DRAM 128MBIT PAR 86TSOP II
AS4C2M32S-7TCNTR IC DRAM 64MBIT PAR 86TSOP II
AS4C4M32S-7TCNTR IC DRAM 128MBIT PAR 86TSOP II
AS4C2M32S-6TIN IC DRAM 64MBIT PAR 86TSOP II
AS4C4M32S-6TIN IC DRAM 128MBIT PAR 86TSOP II
AS4C2M32S-5TCNTR IC DRAM 64MBIT PAR 86TSOP II
AS4C2M32S-6TCNTR IC DRAM 64MBIT PAR 86TSOP II
AS4C2M32S-6TINTR IC DRAM 64MBIT PAR 86TSOP II
AS4C4M32S-6TCNTR IC DRAM 128MBIT PAR 86TSOP II
AS4C4M32S-6TINTR IC DRAM 128MBIT PAR 86TSOP II
AS4C2M32S-5TCN IC DRAM 64MBIT PAR 86TSOP II
AS4C2M32S-6TCN IC DRAM 64MBIT PAR 86TSOP II
AS4C4M32S-6TCN IC DRAM 128MBIT PAR 86TSOP II
MT48LC2M32B2TG-6A IT:J IC DRAM 64MBIT PAR 86TSOP II
MT48LC2M32B2TG-6A:J IC DRAM 64MBIT PAR 86TSOP II
MT48LC4M32B2TG-6A IT:L IC DRAM 128MBIT PAR 86TSOP II
MT48LC4M32B2TG-6A:L IC DRAM 128MBIT PAR 86TSOP II
MT48LC2M32B2TG-6A IT:JTR IC DRAM 64MBIT PAR 86TSOP II
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Part Number Description
Description de produit

Détails du produit

Description fonctionnelle

L'AS4C256K16E0 est une mémoire à accès aléatoire dynamique CMOS (DRAM) de 4 mégaoctets de haute performance organisée en 262 144 mots par 16 bits.L'AS4C256K16E0 est fabriqué avec une technologie CMOS avancée et conçu avec des techniques de conception innovantes résultant en des vitesses élevées, une puissance extrêmement faible et de larges marges de fonctionnement au niveau des composants et des systèmes.

Caractéristiques

• Organisation: 262 144 mots × 16 bits
• Haute vitesse
- 30/35/50 ns de temps d'accès au RAS
- 16/18/25 ns temps d'accès à l'adresse de colonne
- 7/10/10/10 ns Temps d'accès au CAS
• Faible consommation électrique
- Actif: 500 mW maximum (AS4C256K16E0-25)
- en veille: 3,6 mW maximum, I/O CMOS (AS4C256K16E0-25)
• Mode page EDO
• Régénérez- vous
- 512 cycles de mise à jour, intervalle de mise à jour de 8 ms
- RAS uniquement ou CAS avant RAS - rafraîchissement ou auto rafraîchissement
L'option de mise à jour automatique est disponible uniquement pour les appareils de nouvelle génération.
• Lire-modifier-écrire
• compatibles avec TTL, I/O à trois états
• les paquets standard de la JEDEC
- 400 mil, 40 broches de SOJ
- 400 mil, 40/44 épingles
• alimentation électrique 5V
• Courant de verrouillage > 200 mA

Les spécifications

Attribut Valeur attribuée
Produit de fabrication Alliance Memory, Inc. Elle est une entreprise de renommée mondiale.
Catégorie de produits Circuits intégrés mémoire
Série -
Emballage Plateau
Boîtier de colis La taille de l'échantillon doit être comprise entre 0,4 et 0,6 mm.
Température de fonctionnement Pour les appareils de traitement des eaux usées:
Interface Parallèlement
Appareil de régulation de la tension 3 V à 3,6 V
Produit fourni par le fournisseur 86-TSOP II
Capacité de mémoire 64 M (2 M x 32)
Type de mémoire SDRAM
Vitesse 166 MHz
Format-mémoire La RAM

Décrits

Mémoire SDRAM IC 64 Mb (2M x 32) parallèle 166MHz 5,5ns 86-TSOP II
Une carte SD-RAM, 64M,3.3V 166MHz, 2M x 32
Étiquettes:

Mémoire instantanée stable IC

Mémoire instantanée IC non volatil

Mémoire INSTANTANÉE IC de SPI