S29CD016J0MQFM030 IC FLASH 16MBIT PAR 56MHZ 80PQFP Les technologies Infineon

Description générale

La famille S29CD-G Flash est une famille de mémoires flash en mode rafale, double démarrage, lecture/écriture simultanée avec versatileI/OTM fabriquée sur la technologie de processus à 170 nm.

Caractéristiques distinctives

Les avantages de l'architecture
■ Opérations de lecture/écriture simultanées
Lire les données d'une banque pendant l'exécution de l'effacement
Fonctions de programme dans une autre banque
¢ Zéro latence entre les opérations de lecture et d'écriture
L'architecture des deux banques: grande banque/petite banque
75% ou 25%
■ Bus de données x32 défini par l'utilisateur
■ Bloc de démarrage double
¢ Secteurs supérieur et inférieur du coffre dans le même dispositif
■ Une architecture sectorielle souple
CD032G: huit 2K double mot, soixante deux 16K
Double Word, et huit secteurs 2K Double Word
CD016G: huit 2K double mot, 32 16K
Double Word, et huit secteurs 2K Double Word
■ secteur sécurisé du silicium (256 bytes)
- Fermé à l'usine et identifiable: 16 octets pour sécurisé,
Numéro de série électronique aléatoire d'usine; également connu
comme Marquage électronique
■ Fabriqué à la technologie de procédé de 170 nm
■ Interface de démarrage programmable
Interfaces avec n'importe quel processeur haute performance
L'opération de lecture par rafale linéaire: 2, 4 et 8 double
éclaboussure linéaire mot avec ou sans enveloppe autour
■ Fonctionnement du programme
️ Effectue des écritures synchrones et asynchrones
opérations de réglage du registre de configuration de rupture
indépendamment
■ Opération d'alimentation unique
Optimisé pour la lecture, l'effacement et la détection de 2,5 à 2,75 volts
opérations de programme
■ Compatibilité avec les normes JEDEC (JC42.4)
Le logiciel est compatible avec Flash
Il est compatible avec AMD/Fujitsu Am29LV/
Mémoires flash MBM29LV et Am29F/MBM29F

Caractéristiques de performance

■ Accès à la lecture à haute performance
¢ Temps d'accès initial/aléatoire de 48 ns (32 Mb) et 54
ns (16 Mb)
Les temps d'accès instantanés de 7,5 ns (32 Mb) ou 9 ns (16 Mb)
■ Consommation d'énergie extrêmement faible
Lecteur en mode sursaut: 90 mA @ 75 MHz maximum
¢ Programme/effacement: 50 mA maximum
Mode de veille: CMOS: 60 μA maximum
■ 1 million de cycles d'écriture par secteur
■ 20 ans de conservation des données typiques
■ Contrôle polyvalent
Génère des tensions de sortie de données et tolère les données
les tensions d'entrée déterminées par la tension sur le
Épingle VIO
Signals d'entrée/sortie compatibles de 1,65 V à 3,60 V

Caractéristiques du logiciel

■ Protection du secteur persistante
¢ Combinaisons de secteurs et de secteurs
groupes pour empêcher les opérations de programme ou d'effacement
au sein de ce secteur (seulement les niveaux de CCV sont requis)
■ Protection des secteurs par mot de passe
¢ Combinaisons de secteurs et de secteurs
groupes pour empêcher les opérations de programme ou d'effacement
dans ce secteur en utilisant un système de 64 bits défini par l'utilisateur
mot de passe
■ Prend en charge l'interface flash commune (CFI)
■ Déverrouillez le programme de contournement
Réduit le temps de programmation global lors de la diffusion
plusieurs séquences de commandes de programme
■ Données# Sondage et commutation de bits
Il fournit une méthode logicielle de détection de programme ou
opération de suppression terminée

Caractéristiques du matériel

■ Programme suspendu/reprise et effacement suspendu/
Résumé
- Suspende le programme ou efface les opérations pour permettre
lire, programmer ou effacer dans la même banque
■ Réinitialisation du matériel (RESET#), Prêt/occupé# (RY/
BY#), et les entrées Write Protect (WP#)
■ Entrée ACC
Accélère le temps de programmation pour un débit plus élevé
pendant la production du système
■ Options de forfaits
PQFP à 80 broches
- 80 balles BGA renforcée
L'option d'un forfait sans Pb est également disponible.
Il est connu pour sa bonne mort.