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MT28F004B3VG-8 B IC FLASH 4MBIT PARALLÈLE 40TSOP I Micron Technology Inc.

  • MT28F004B3VG-8 B IC FLASH 4MBIT PARALLEL 40TSOP I Micron Technology Inc.
Nom de marque Micron Technology Inc.
Numéro de modèle MT28F004B3VG-8 B
Quantité de commande min 1
Prix Based on current price
Détails d'emballage sacs antistatiques et boîtes en carton
Délai de livraison 3 à 5 jours ouvrables
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Détails sur le produit
Type de mémoire Non-volatile Format de mémoire Flash
Technologie ÉCLAIR - NI Capacité de la mémoire 4Mbit
Organisation de mémoire 512K X 8 Interface de mémoire Parallèlement
Fréquence du signal d'horloge - Écrivez la durée de cycle - Word, page 80ns
Temps d'accès 80 NS Voltage - alimentation 3V à 3,6V
Température de fonctionnement Pour les appareils de traitement des eaux usées: Type de montage Monture de surface
Emballage / boîtier La taille de l'appareil doit être comprise entre 10 et 15 mm. Paquet de dispositifs fournis par le fournisseur 40-TSOP I
Vous pouvez cocher les produits dont vous avez besoin et communiquer avec nous dans le babillard électronique.
Part Number Description
MT28F004B3VG-8 B IC FLASH 4MBIT PARALLEL 40TSOP I
MT28F004B3VG-8 B TR IC FLASH 4MBIT PARALLEL 40TSOP I
MT28F004B3VG-8 BET IC FLASH 4MBIT PARALLEL 40TSOP I
MT28F004B3VG-8 BET TR IC FLASH 4MBIT PARALLEL 40TSOP I
MT28F004B3VG-8 T IC FLASH 4MBIT PARALLEL 40TSOP I
MT28F004B3VG-8 T TR IC FLASH 4MBIT PARALLEL 40TSOP I
MT28F004B3VG-8 TET IC FLASH 4MBIT PARALLEL 40TSOP I
MT28F004B3VG-8 TET TR IC FLASH 4MBIT PARALLEL 40TSOP I
MT28F004B5VG-8 B IC FLASH 4MBIT PARALLEL 40TSOP I
MT28F004B5VG-8 B TR IC FLASH 4MBIT PARALLEL 40TSOP I
MT28F004B5VG-8 BET IC FLASH 4MBIT PARALLEL 40TSOP I
MT28F004B5VG-8 BET TR IC FLASH 4MBIT PARALLEL 40TSOP I
MT28F004B5VG-8 T IC FLASH 4MBIT PARALLEL 40TSOP I
MT28F004B5VG-8 T TR IC FLASH 4MBIT PARALLEL 40TSOP I
MT28F004B5VG-8 TET IC FLASH 4MBIT PARALLEL 40TSOP I
MT28F004B5VG-8 TET TR IC FLASH 4MBIT PARALLEL 40TSOP I
MT28F004B5VP-8 T IC FLASH 4MBIT PARALLEL 40TSOP I
MT28F004B5VP-8 T TR IC FLASH 4MBIT PARALLEL 40TSOP I
MT28F008B3VG-9 B IC FLASH 8MBIT PARALLEL 40TSOP I
MT28F008B3VG-9 B TR IC FLASH 8MBIT PARALLEL 40TSOP I
MT28F008B3VG-9 BET IC FLASH 8MBIT PARALLEL 40TSOP I
MT28F008B3VG-9 BET TR IC FLASH 8MBIT PARALLEL 40TSOP I
MT28F008B3VG-9 T IC FLASH 8MBIT PARALLEL 40TSOP I
MT28F008B3VG-9 T TR IC FLASH 8MBIT PARALLEL 40TSOP I
MT28F008B3VG-9 TET IC FLASH 8MBIT PARALLEL 40TSOP I
MT28F008B3VG-9 TET TR IC FLASH 8MBIT PARALLEL 40TSOP I
MT28F008B3VP-9 B IC FLASH 8MBIT PARALLEL 40TSOP I
MT28F008B3VP-9 B TR IC FLASH 8MBIT PARALLEL 40TSOP I
MT28F008B5VG-8 B IC FLASH 8MBIT PARALLEL 40TSOP I
MT28F008B5VG-8 B TR IC FLASH 8MBIT PARALLEL 40TSOP I
MT28F008B5VG-8 BET IC FLASH 8MBIT PARALLEL 40TSOP I
MT28F008B5VG-8 BET TR IC FLASH 8MBIT PARALLEL 40TSOP I
MT28F008B5VG-8 T IC FLASH 8MBIT PARALLEL 40TSOP I
MT28F008B5VG-8 T TR IC FLASH 8MBIT PARALLEL 40TSOP I
MT28F008B5VG-8 TET IC FLASH 8MBIT PARALLEL 40TSOP I
MT28F008B5VG-8 TET TR IC FLASH 8MBIT PARALLEL 40TSOP I
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Part Number Description
Description de produit

Détails du produit

Définition générale

Les MT28F004B3 (x8) et MT28F400B3 (x16/x8) sont des périphériques de mémoire programmables non volatils, électriquement effaçables (flash), contenant 4,194L'écriture ou l'effacement de l'appareil est effectué avec une tension VPP de 3,3 V ou 5 V, tandis que toutes les opérations sont effectuées avec une tension de 3,3 V.3V VCCEn raison des progrès de la technologie de traitement, le VPP 5V est optimal pour la programmation des applications et de la production.
Les MT28F004B3 et MT28F400B3 sont organisés en sept blocs supprimables séparément.les appareils disposent d'un bloc de démarrage protégé par matériel. L'écriture ou l'effacement du bloc de démarrage nécessite soit l'application d'une super tension à la broche RP#, soit la conduite de WP# HIGH en plus de l'exécution des séquences d'écriture ou d'effacement normales.Ce bloc peut être utilisé pour stocker le code mis en œuvre dans la récupération du système de bas niveau.Les blocs restants varient en densité et sont écrits et effacés sans mesures de sécurité supplémentaires.

Caractéristiques

• Sept blocs d'effacement:
Bloc de démarrage de mot 16KB/8K (protégé)
Deux blocs de paramètres de mots de 8KB/4K
Quatre blocs de mémoire principaux
• technologie Smart 3 (B3):
3.3V ± 0,3V VCC
3.3V ± 0,3V programmation de l'application VPP
La fréquence d'écoulement de l'appareil doit être supérieure ou égale à:
• Compatible avec le dispositif Smart 3 de 0,3 μm
• procédé CMOS à porte flottante de 0,18 μm avancé
• Temps d'accès à l'adresse: 80 ns
• 100 000 cycles d'ERASE
• Des étiquettes standardisées
• Les entrées et les sorties sont entièrement compatibles avec TTL
• Algoritme d'écriture et d'effacement automatisé
• Séquence écrire/effacer à deux cycles
• LIRE et ECRIRE à l'échelle d'un octet ou d'un mot
(MT28F400B3, 256K x 16/512K x 8)
• Lire et écrire uniquement
(MT28F004B3, 512K x 8)
• Options d'emballage selon les PTS et les PTS

Les spécifications

Attribut Valeur attribuée
Produit de fabrication Micron Technology Inc. est une société de technologie.
Catégorie de produits Circuits intégrés mémoire
Série -
Emballage Plateau
Boîtier de colis La taille de l'appareil doit être comprise entre 10 et 15 mm.
Température de fonctionnement Pour les appareils de traitement des eaux usées:
Interface Parallèlement
Appareil de régulation de la tension 3 V à 3,6 V
Produit fourni par le fournisseur 40-TSOP I
Capacité de mémoire 4M (512K x 8)
Type de mémoire Flash - Ni même
Vitesse 80 ans
Format-mémoire Flash

Décrits

Flash - NOR mémoire IC 4 Mb (512K x 8) parallèle 80ns 40-TSOP I
Étiquettes:

Mémoire instantanée stable IC

Mémoire instantanée IC non volatil

Mémoire INSTANTANÉE IC de SPI