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MT46H16M32LFCM-6 TR IC DRAM 512MBIT PAR 90VFBGA Micron Technology Inc.
| Nom de marque | Micron Technology Inc. |
|---|---|
| Numéro de modèle | MT46H16M32LFCM-6 TR |
| Quantité de commande min | 1 |
| Prix | Based on current price |
| Détails d'emballage | sacs antistatiques et boîtes en carton |
| Délai de livraison | 3 à 5 jours ouvrables |
| Conditions de paiement | T/T |
| Capacité d'approvisionnement | En stock |
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xDétails sur le produit
| Type de mémoire | Volatil | Format de mémoire | DRACHME |
|---|---|---|---|
| Technologie | SDRAM - LPDDR mobile | Capacité de la mémoire | 512Mbit |
| Organisation de mémoire | 16M x 32 | Interface de mémoire | Parallèlement |
| Fréquence du signal d'horloge | 166 MHz | Écrivez la durée de cycle - Word, page | 15ns |
| Temps d'accès | 5 NS | Voltage - alimentation | 1.7V | 1.95V |
| Température de fonctionnement | Pour les appareils de traitement des eaux usées: | Type de montage | Monture de surface |
| Emballage / boîtier | 90-VFBGA | Paquet de dispositifs fournis par le fournisseur | Pour les appareils à commande numérique: |
Vous pouvez cocher les produits dont vous avez besoin et communiquer avec nous dans le babillard électronique.
| Part Number | Description | |
|---|---|---|
| MT46H16M32LFCM-6 TR | IC DRAM 512MBIT PAR 90VFBGA | |
| MT46H16M32LFCM-6 IT TR | IC DRAM 512MBIT PAR 90VFBGA | |
| MT48H16M32LFCM-75 IT:A TR | IC DRAM 512MBIT PAR 90VFBGA | |
| MT48H16M32LFCM-75:A TR | IC DRAM 512MBIT PAR 90VFBGA | |
| MT46H32M32LFCM-6 IT:A TR | IC DRAM 1GBIT PARALLEL 90VFBGA | |
| MT46H32M32LFCM-6:A TR | IC DRAM 1GBIT PARALLEL 90VFBGA | |
| MT46H16M32LFCM-5:B TR | IC DRAM 512MBIT PAR 90VFBGA | |
| MT46H16M32LFCM-6 IT:B TR | IC DRAM 512MBIT PAR 90VFBGA | |
| MT46H16M32LFCM-6:B TR | IC DRAM 512MBIT PAR 90VFBGA | |
| MT46H32M32LFCM-5:A TR | IC DRAM 1GBIT PARALLEL 90VFBGA | |
| MT48H16M32LFCM-75 IT:B TR | IC DRAM 512MBIT PAR 90VFBGA | |
| MT48H16M32LFCM-75:B TR | IC DRAM 512MBIT PAR 90VFBGA | |
| MT48H16M32LFCM-6:B TR | IC DRAM 512MBIT PAR 90VFBGA | |
| MT46H16M32LFCM-75 IT | IC DRAM 512MBIT PAR 90VFBGA | |
| MT46H16M32LFCM-5 IT:B | IC DRAM 512MBIT PAR 90VFBGA | |
| MT46H16M32LFCM-5 IT:B TR | IC DRAM 512MBIT PAR 90VFBGA | |
| MT46H16M32LFCM-6 L IT:B | IC DRAM 512MBIT PAR 90VFBGA | |
| MT46H16M32LFCM-6 L IT:B TR | IC DRAM 512MBIT PAR 90VFBGA | |
| MT46H16M32LFCX-5 IT:B | IC DRAM 512MBIT PAR 90VFBGA | |
| MT46H16M32LFCX-5 IT:B TR | IC DRAM 512MBIT PAR 90VFBGA | |
| MT46H16M32LFCX-5:B | IC DRAM 512MBIT PAR 90VFBGA | |
| MT46H16M32LFCX-5:B TR | IC DRAM 512MBIT PAR 90VFBGA | |
| MT46H16M32LFCX-6 IT:B | IC DRAM 512MBIT PAR 90VFBGA | |
| MT46H16M32LFCX-6 IT:B TR | IC DRAM 512MBIT PAR 90VFBGA | |
| MT46H16M32LFCX-6:B | IC DRAM 512MBIT PAR 90VFBGA | |
| MT46H16M32LFCX-6:B TR | IC DRAM 512MBIT PAR 90VFBGA | |
| MT46H32M32LFCM-5 IT:A | IC DRAM 1GBIT PARALLEL 90VFBGA | |
| MT46H32M32LFCM-5 IT:A TR | IC DRAM 1GBIT PARALLEL 90VFBGA | |
| MT46H32M32LFCM-6 L IT:A | IC DRAM 1GBIT PARALLEL 90VFBGA | |
| MT46H32M32LFCM-6 L IT:A TR | IC DRAM 1GBIT PARALLEL 90VFBGA | |
| MT48H16M32LFCM-6 IT:B | IC DRAM 512MBIT PAR 90VFBGA | |
| MT48H16M32LFCM-6 IT:B TR | IC DRAM 512MBIT PAR 90VFBGA | |
| MT48H16M32LFCM-6 L IT:B | IC DRAM 512MBIT PAR 90VFBGA | |
| MT48H16M32LFCM-6 L IT:B TR | IC DRAM 512MBIT PAR 90VFBGA | |
| MT46H64M32LFCM-5 IT:A | IC DRAM 2GBIT PARALLEL 90VFBGA | |
| MT46H64M32LFCM-6 IT:A | IC DRAM 2GBIT PARALLEL 90VFBGA |
Description de produit
Détails du produit
SDRAM DDR à faible consommation mobile
Caractéristiques
• VDD/VDDQ = 1,70 à 1,95 V• Stroboscope bidirectionnel de données par octet de données (DQS)
• Architecture interne à double débit de données (DDR) en pipeline; deux accès de données par cycle d'horloge
• Entrées d'horloge différentielle (CK et CK#)
• Commandes entrées sur chaque bord CK positif
• DQS aligné sur les bords avec les données pour les READ; centre aligné sur les données pour les WRITE
• 4 banques internes pour une opération simultanée
• Masques de données (DM) pour masquer les données d'écriture; un masque par octet
• Longueur de rafale programmable (BL): 2, 4, 8 ou 16
• Option de précharge automatique simultanée est prise en charge
• Les modes de mise à jour automatique et d' auto-actualisation
• Les entrées compatibles avec LVCMOS de 1,8 V
• Autorefraîchissement compensé par la température (TCSR)
• Auto-actualisation par partiel (PASR)
• Déconnexion profonde (DPD)
• Registre de lecture de l'état (SRR)
• Force de sortie sélectionnable (DS)
• Possibilité d'arrêter l'horloge
• 64 ms de rafraîchissement, 32 ms pour la température automobile
Les spécifications
| Attribut | Valeur attribuée |
|---|---|
| Produit de fabrication | Micron Technology Inc. est une société de technologie. |
| Catégorie de produits | Circuits intégrés mémoire |
| Série | - |
| Emballage | |
| Boîtier de colis | 90 VFBGA |
| Température de fonctionnement | Pour les appareils de traitement des eaux usées: |
| Interface | Parallèlement |
| Appareil de régulation de la tension | 10,7 V à 1,95 V |
| Produit fourni par le fournisseur | Pour les appareils à commande numérique: |
| Capacité de mémoire | 512M (16M x 32) |
| Type de mémoire | SDRAM LPDDR mobiles |
| Vitesse | 166 MHz |
| Format-mémoire | La RAM |
Décrits
SDRAM - mémoire LPDDR mobile IC 512 Mb (16M x 32) parallèle 166MHz 5,0ns 90-VFBGA (10x13)
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