DS1270Y-70# IC NVSRAM 16MBIT PARALLEL 36EDIP Analog Devices Inc./Maxim intégré

Nom de marque Analog Devices Inc./Maxim Integrated
Numéro de modèle DS1270Y-70#
Quantité de commande min 1
Prix Based on current price
Détails d'emballage sacs antistatiques et boîtes en carton
Délai de livraison 3 à 5 jours ouvrables
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Détails sur le produit
Type de mémoire Non-volatile Format de mémoire NVSRAM
Technologie NVSRAM (SRAM non-volatile) Capacité de la mémoire 16Mbit
Organisation de mémoire 2M x 8 Interface de mémoire Parallèlement
Fréquence du signal d'horloge - Écrivez la durée de cycle - Word, page 70ns
Temps d'accès 70 NS Voltage - alimentation 4.5V à 5.5V
Température de fonctionnement Pour les appareils de traitement des eaux usées: Type de montage À travers le trou
Emballage / boîtier Module de 36-DIP (0,610" et 15,49 mm) Paquet de dispositifs fournis par le fournisseur 36-EDIP
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Part Number Description
DS1270Y-70# IC NVSRAM 16MBIT PARALLEL 36EDIP
DS1265Y-70+ IC NVSRAM 8MBIT PARALLEL 36EDIP
DS1265AB-100+ IC NVSRAM 8MBIT PARALLEL 36EDIP
DS1265Y-70IND+ IC NVSRAM 8MBIT PARALLEL 36EDIP
DS1265AB-70IND+ IC NVSRAM 8MBIT PARALLEL 36EDIP
DS1270Y-70IND# IC NVSRAM 16MBIT PARALLEL 36EDIP
DS1270AB-100# IC NVSRAM 16MBIT PARALLEL 36EDIP
DS1265Y-100 IC NVSRAM 8MBIT PARALLEL 36EDIP
DS1265AB-100 IC NVSRAM 8MBIT PARALLEL 36EDIP
DS1265W-150 IC NVSRAM 8MBIT PARALLEL 36EDIP
DS1265W-100 IC NVSRAM 8MBIT PARALLEL 36EDIP
DS1265AB-70 IC NVSRAM 8MBIT PARALLEL 36EDIP
DS1265Y-70 IC NVSRAM 8MBIT PARALLEL 36EDIP
DS1265Y-70IND IC NVSRAM 8MBIT PARALLEL 36EDIP
DS1265AB-70IND IC NVSRAM 8MBIT PARALLEL 36EDIP
DS1270Y-100 IC NVSRAM 16MBIT PARALLEL 36EDIP
DS1270W-150 IC NVSRAM 16MBIT PARALLEL 36EDIP
DS1270AB-100 IC NVSRAM 16MBIT PARALLEL 36EDIP
DS1270AB-70 IC NVSRAM 16MBIT PARALLEL 36EDIP
DS1270Y-70 IC NVSRAM 16MBIT PARALLEL 36EDIP
DS1270W-100 IC NVSRAM 16MBIT PARALLEL 36EDIP
DS1270AB-70IND IC NVSRAM 16MBIT PARALLEL 36EDIP
DS1270Y-70IND IC NVSRAM 16MBIT PARALLEL 36EDIP
DS1265W-100IND IC NVSRAM 8MBIT PARALLEL 36EDIP
DS1270W-100IND IC NVSRAM 16MBIT PARALLEL 36EDIP
DS1265W-100IND+ IC NVSRAM 8MBIT PARALLEL 36EDIP
DS1270AB-70# IC NVSRAM 16MBIT PARALLEL 36EDIP
DS1270W-100IND# IC NVSRAM 16MBIT PARALLEL 36EDIP
DS1270W-100# IC NVSRAM 16MBIT PARALLEL 36EDIP
DS1270W-150# IC NVSRAM 16MBIT PARALLEL 36EDIP
DS1270Y-100# IC NVSRAM 16MBIT PARALLEL 36EDIP
DS1265W-100+ IC NVSRAM 8MBIT PARALLEL 36EDIP
DS1265AB-70+ IC NVSRAM 8MBIT PARALLEL 36EDIP
DS1270AB-70IND# IC NVSRAM 16MBIT PARALLEL 36EDIP
DS1265W-150+ IC NVSRAM 8MBIT PARALLEL 36EDIP
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Description de produit

Détails du produit

Définition

Les SRAM non volatils DS1270 16M sont 16,777SRAMs non volatils entièrement statiques de 216 bits organisés en 2,097Chaque SRAM NV est dotée d'une source d'énergie lithium autonome et d'un circuit de commande qui surveille constamment le VCC pour une condition hors tolérance.la source d'énergie au lithium est automatiquement allumée et la protection contre l'écriture est activée sans condition pour éviter la corruption des donnéesIl n'y a pas de limite sur le nombre de cycles d'écriture qui peuvent être exécutés et aucun circuit de support supplémentaire n'est requis pour l'interface microprocesseur.

Caractéristiques

5 ans de conservation minimale des données en l'absence d'alimentation externe
Les données sont automatiquement protégées en cas de panne de courant
Cycles d'écriture illimités
Fonctionnement CMOS à faible consommation
Temps d'accès à la lecture et à l'écriture jusqu'à 70 ns
La source d'énergie au lithium est déconnectée électriquement pour conserver sa fraîcheur jusqu'à ce que l'alimentation soit appliquée pour la première fois
Région de fonctionnement VCC complète à ± 10% (DS1270Y)
Optionnel à ± 5% de la plage de fonctionnement VCC (DS1270AB)
Plage de température industrielle facultative de -40°C à +85°C, désignée IND

Les spécifications

Attribut Valeur attribuée
Produit de fabrication Maxime intégré
Catégorie de produits Circuits intégrés mémoire
Série Le numéro de série de l'appareil
Emballage Tuyaux
Mode de montage À travers le trou
Plage de température de fonctionnement - 40 ° C à + 85 ° C
Boîtier de colis Module 36-DIP (0,600" et 15,24 mm)
Température de fonctionnement Pour les appareils de traitement des eaux usées:
Interface Parallèlement
Appareil de régulation de la tension 4.5 V ~ 5.5 V
Produit fourni par le fournisseur 36-EDIP
Capacité de mémoire 16M (2M x 8)
Type de mémoire Les appareils de surveillance de l'environnement doivent être équipés d'un système de surveillance de l'environnement.
Vitesse 70 ans
Temps d'accès 70 ns
Format-mémoire La RAM
Température de fonctionnement maximale + 85 C
Plage de température de fonctionnement - Quarante degrés.
Courant d'alimentation en fonctionnement 85 mA
Partie #-Alias Le nombre d'équipements utilisés est le suivant:
Largeur du bus de données 8 bits
Voltage d'alimentation maximal 5.25 V
Le système de régulation de la tension d'alimentation doit être conforme à la norme ISO 7638:2003. 4.75 V
Boîtier de colis Le projet de directive

Décrits

La mémoire IC NVSRAM (SRAM non volatile) est de 16 Mb (2M x 8) parallèle à 70 ns 36-EDIP
NVRAM 16M NV SRAM