FM18W08-SG IC FRAM 256KBIT PARALÈL 28SOIC Infineon Technologies

Nom de marque Infineon Technologies
Numéro de modèle FM18W08-SG
Quantité de commande min 1
Prix Based on current price
Détails d'emballage sacs antistatiques et boîtes en carton
Délai de livraison 3 à 5 jours ouvrables
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Détails sur le produit
Type de mémoire Non-volatile Format de mémoire FRAM
Technologie FRAM (RAM ferroélectrique) Capacité de la mémoire 256Kbit
Organisation de mémoire 32K X 8 Interface de mémoire Parallèlement
Fréquence du signal d'horloge - Écrivez la durée de cycle - Word, page 130ns
Temps d'accès - Voltage - alimentation 2.7V | 5.5V
Température de fonctionnement -40°C à 85°C (TA) Type de montage Monture de surface
Emballage / boîtier 28 SOIC (0,295", largeur de 7,50 mm) Paquet de dispositifs fournis par le fournisseur 28-SOIC
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Part Number Description
FM18W08-SG IC FRAM 256KBIT PARALLEL 28SOIC
FM28V020-SG IC FRAM 256KBIT PARALLEL 28SOIC
STK15C88-NF45 IC NVSRAM 256KBIT PAR 28SOIC
FM18W08-SG FRAM (FERROELECTRIC RAM) MEMORY
STK11C88-NF25I IC NVSRAM 256KBIT PAR 28SOIC
CY22E016L-SZ45XC IC NVSRAM 16KBIT PARALLEL 28SOIC
CY22E016L-SZ35XC IC NVSRAM 16KBIT PARALLEL 28SOIC
CY22E016L-SZ35XI IC NVSRAM 16KBIT PARALLEL 28SOIC
CY22E016L-SZ45XI IC NVSRAM 16KBIT PARALLEL 28SOIC
STK11C88-NF25ITR IC NVSRAM 256KBIT PAR 28SOIC
STK11C88-NF25TR IC NVSRAM 256KBIT PAR 28SOIC
STK11C88-NF45ITR IC NVSRAM 256KBIT PAR 28SOIC
STK11C88-NF45TR IC NVSRAM 256KBIT PAR 28SOIC
STK15C88-NF25ITR IC NVSRAM 256KBIT PAR 28SOIC
STK15C88-NF25TR IC NVSRAM 256KBIT PAR 28SOIC
STK15C88-NF45I IC NVSRAM 256KBIT PAR 28SOIC
STK15C88-NF45ITR IC NVSRAM 256KBIT PAR 28SOIC
STK15C88-NF45TR IC NVSRAM 256KBIT PAR 28SOIC
STK22C48-NF25ITR IC NVSRAM 16KBIT PARALLEL 28SOIC
STK22C48-NF25TR IC NVSRAM 16KBIT PARALLEL 28SOIC
STK22C48-NF45 IC NVSRAM 16KBIT PARALLEL 28SOIC
STK22C48-NF45ITR IC NVSRAM 16KBIT PARALLEL 28SOIC
STK22C48-NF45TR IC NVSRAM 16KBIT PARALLEL 28SOIC
STK11C88-NF25 IC NVSRAM 256KBIT PAR 28SOIC
STK11C88-NF45 IC NVSRAM 256KBIT PAR 28SOIC
STK11C88-NF45I IC NVSRAM 256KBIT PAR 28SOIC
STK15C88-NF25 IC NVSRAM 256KBIT PAR 28SOIC
STK15C88-NF25I IC NVSRAM 256KBIT PAR 28SOIC
STK15C88-NF45 IC NVSRAM 256KBIT PAR 28SOIC
STK22C48-NF25 IC NVSRAM 16KBIT PARALLEL 28SOIC
STK22C48-NF25I IC NVSRAM 16KBIT PARALLEL 28SOIC
STK22C48-NF45I IC NVSRAM 16KBIT PARALLEL 28SOIC
CY7C199D-25SXE IC SRAM 256K PARALLEL 28SOIC
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Part Number Description
Description de produit

Détails du produit

L'intervalle de tension est compris entre 1000 et 1800 volts, le courant est de 1,0 ampère.

Caractéristiques

* Commutation rapide
* Faible fuite
* Faible chute de tension avant
* Capacité de courant élevé
* Haute hausse des taux de change
* Haute fiabilité

Les spécifications

Attribut Valeur attribuée
Produit de fabrication Cypress Semiconductor
Catégorie de produits Circuits intégrés mémoire
Série F-RAMTM
Emballage Emballage alternatif par tube
Unité de poids 0.078125 once
Mode de montage DSM/SMT
Plage de température de fonctionnement - 40 ° C à + 85 ° C
Boîtier de colis 28 SOIC (0,295", largeur de 7,50 mm)
Température de fonctionnement -40°C à 85°C (TA)
Interface Parallèlement
Appareil de régulation de la tension 20,7 V à 5,5 V
Produit fourni par le fournisseur 28-SOIC
Capacité de mémoire 256K (32K x 8)
Type de mémoire FRAM (RAM ferroélectrique)
Vitesse 70 ans
Temps d'accès 70 ns
Format-mémoire La RAM
Température de fonctionnement maximale + 85 C
Plage de température de fonctionnement - Quarante degrés.
Voltage d'alimentation de fonctionnement 3.3 V
Type d'interface Parallèlement
Organisation du projet 32 k x 8
Voltage d'alimentation maximal 5.5 V
Le système de régulation de la tension d'alimentation doit être conforme à la norme ISO 7638:2003. 2.7 V
Boîtier de colis Le code de l'OMC 28

Composant fonctionnel compatible

Forme,emballage,composant compatible fonctionnel

Partie du fabricant Définition Produit de fabrication Comparer
Le numéro de série est le numéro de série.
La mémoire
Le circuit de mémoire, 32KX8, CMOS, PDSO28, GREEN, MS-013AE, SOIC-28 Cypress Semiconductor Le numéro d'enregistrement est le numéro d'enregistrement de l'appareil.
FM28V100-TGTR
La mémoire
Circuit de mémoire, 128KX8, CMOS, PDSO32, TSOP1-32 Cypress Semiconductor Le système de surveillance est basé sur les données fournies par les autorités compétentes.
Le numéro de série est le numéro de série de l'appareil
La mémoire
Le circuit de mémoire, 32KX8, CMOS, PDIP28, GREEN, MS-011, DIP-28 Ramtron International Corporation est une société Le numéro de série est le numéro de série de l'appareil
Le numéro de série est le numéro de série.
La mémoire
Circuit de mémoire, 64KX8, CMOS, PDSO8, SOIC-8 Cypress Semiconductor Le nombre d'émissions de CO2 est calculé en fonction de la fréquence d'émission.
Le numéro de série est le numéro de série de l'appareil.
La mémoire
Circuit de mémoire, 128KX8, CMOS, PDSO32, TSOP1-32 Cypress Semiconductor Le système de surveillance est basé sur les données de l'établissement.
Le numéro de série est le numéro de série.
La mémoire
Le système d'exploitation de l'appareil doit être équipé d'un système d'exploitation de l'appareil, qui doit être équipé d'un système d'exploitation de l'appareil. Cypress Semiconductor Le nombre de points de contact est calculé en fonction du nombre de points de contact.
Le numéro de série FM25V05-GTR
La mémoire
Circuit de mémoire, 64KX8, CMOS, PDSO8, SOIC-8 Cypress Semiconductor Le système de contrôle de la fréquence est utilisé pour contrôler la fréquence.
Le numéro de série est le numéro de série de l'appareil.
La mémoire
Le circuit de mémoire, 32KX8, CMOS, PDSO28, MS-013AE, SOIC-28 Ramtron International Corporation est une société Le nombre de points d'intervention est déterminé par le nombre de points d'intervention.
Le numéro de série est le numéro de série de l'appareil.
La mémoire
Circuits de mémoire, 32KX8, CMOS, PDSO28, GREEN, MS-013DAE, SOIC-28 Ramtron International Corporation est une société Le nombre d'heures d'attente est calculé en fonction de la fréquence de l'appareil.

Décrits

FRAM (RAM ferroélectrique) mémoire IC 256Kb (32K x 8) parallèle 28-SOIC
FRAM 256Kbit parallèle 3,3 V à 28 broches SOIC tube
F-RAM 256Kb 70ns 32K x 8 FRAM parallèle