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Le système de traitement des données est basé sur les données fournies par les fournisseurs de services.
| Nom de marque | ISSI, Integrated Silicon Solution Inc |
|---|---|
| Numéro de modèle | Pour les produits présentant une teneur en dioxyde de carbone supérieure à 50% |
| Quantité de commande min | 1 |
| Prix | Based on current price |
| Détails d'emballage | sacs antistatiques et boîtes en carton |
| Délai de livraison | 3 à 5 jours ouvrables |
| Conditions de paiement | T/T |
| Capacité d'approvisionnement | En stock |
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xDétails sur le produit
| Type de mémoire | Volatil | Format de mémoire | DRACHME |
|---|---|---|---|
| Technologie | DRACHME | Capacité de la mémoire | 576 Mbit |
| Organisation de mémoire | 32 M x 18 | Interface de mémoire | Parallèlement |
| Fréquence du signal d'horloge | 10,066 GHz | Écrivez la durée de cycle - Word, page | - |
| Temps d'accès | 10 ns | Voltage - alimentation | 1.28V ~ 1.42V |
| Température de fonctionnement | Pour les appareils de traitement des eaux usées: | Type de montage | Monture de surface |
| Emballage / boîtier | 168-LBGA | Paquet de dispositifs fournis par le fournisseur | Pour les appareils à commande numérique: |
Vous pouvez cocher les produits dont vous avez besoin et communiquer avec nous dans le babillard électronique.
| Part Number | Description | |
|---|---|---|
| IS49RL36160A-107EBL | IC DRAM 576MBIT PAR 168FBGA | |
| IS49RL36160A-093EBL | IC DRAM 576MBIT PAR 168FBGA | |
| IS49RL36160A-093FBL | IC DRAM 576MBIT PAR 168FBGA | |
| IS49RL36160A-093EBLI | IC DRAM 576MBIT PAR 168FBGA | |
| IS49RL36160A-093FBLI | IC DRAM 576MBIT PAR 168FBGA | |
| IS49RL36160A-107EBLI | IC DRAM 576MBIT PAR 168FBGA | |
| IS49RL18320A-107EBL | IC DRAM 576MBIT PAR 168FCBGA | |
| IS49RL18320A-093EBL | IC DRAM 576MBIT PAR 168FCBGA | |
| IS49RL18320A-107EBLI | IC DRAM 576MBIT PAR 168FCBGA | |
| IS49RL18320A-093EBLI | IC DRAM 576MBIT PAR 168FCBGA | |
| IS49RL18320-093BL | IC DRAM 576MBIT PAR 168FBGA | |
| IS49RL18320-093BLI | IC DRAM 576MBIT PAR 168FBGA | |
| IS49RL18320-093EBL | IC DRAM 576MBIT PAR 168FBGA | |
| IS49RL18320-093EBLI | IC DRAM 576MBIT PAR 168FBGA | |
| IS49RL18320-107BL | IC DRAM 576MBIT PAR 168FBGA | |
| IS49RL18320-107BLI | IC DRAM 576MBIT PAR 168FBGA | |
| IS49RL18320-107EBL | IC DRAM 576MBIT PAR 168FBGA | |
| IS49RL18320-107EBLI | IC DRAM 576MBIT PAR 168FBGA | |
| IS49RL18320-125BL | IC DRAM 576MBIT PAR 168FBGA | |
| IS49RL18320-125BLI | IC DRAM 576MBIT PAR 168FBGA | |
| IS49RL18320-125EBL | IC DRAM 576MBIT PAR 168FBGA | |
| IS49RL18320-125EBLI | IC DRAM 576MBIT PAR 168FBGA | |
| IS49RL36160-093BL | IC DRAM 576MBIT PAR 168FBGA | |
| IS49RL36160-093BLI | IC DRAM 576MBIT PAR 168FBGA | |
| IS49RL36160-093EBL | IC DRAM 576MBIT PAR 168FBGA | |
| IS49RL36160-093EBLI | IC DRAM 576MBIT PAR 168FBGA | |
| IS49RL36160-107BL | IC DRAM 576MBIT PAR 168FBGA | |
| IS49RL36160-107BLI | IC DRAM 576MBIT PAR 168FBGA | |
| IS49RL36160-107EBL | IC DRAM 576MBIT PAR 168FBGA | |
| IS49RL36160-107EBLI | IC DRAM 576MBIT PAR 168FBGA | |
| IS49RL36160-125BL | IC DRAM 576MBIT PAR 168FBGA | |
| IS49RL36160-125BLI | IC DRAM 576MBIT PAR 168FBGA | |
| IS49RL36160-125EBL | IC DRAM 576MBIT PAR 168FBGA | |
| IS49RL36160-125EBLI | IC DRAM 576MBIT PAR 168FBGA |
Description de produit
Détails du produit
■ Caractéristiques
1- Circuit de déclenchement intégré.2. Haute sensibilité ((E V : MAX. 35rx à Ta= 25 ̊C)
3. Une large gamme de tension d'alimentation
(VCC: 4,5 à 17 V)
4. Sortie compatible avec les LSTTL et TTL
5. Baisse de la puissance de sortie sous la lumière incident (IS485)
Résistance à l'éclairage incident (IS486)
6- Un emballage compact
■ Applications
1. Disques durs2Copieurs, imprimantes et télécopieurs
3. les magnétoscopes, les cassettes
4. Machines à vendre automatiques
Les spécifications
| Attribut | Valeur attribuée |
|---|---|
| Produit de fabrication | Le secteur privé |
| Catégorie de produits | Circuits intégrés mémoire |
| Série | - |
| Emballage | Plateau |
| Boîtier de colis | 168-LBGA |
| Température de fonctionnement | Pour les appareils de traitement des eaux usées: |
| Interface | Résultats de l'enquête |
| Appareil de régulation de la tension | 1.28 V ~ 1.42 V |
| Produit fourni par le fournisseur | Les pièces détachées ne doivent pas contenir de matériaux en acier. |
| Capacité de mémoire | 576M (32M x 18) |
| Type de mémoire | RLDRAM 3 |
| Vitesse | 0.93ns |
| Format-mémoire | La RAM |
| Partie du fabricant | Définition | Produit de fabrication | Comparer |
| Le produit doit être présenté dans un emballage de qualité supérieure. La mémoire |
Les données sont stockées dans une zone de stockage. | Solution intégrée au silicium Inc. | Les résultats de l'enquête sont publiés dans le Bulletin annuel de l'OMS. |
| Le produit doit être présenté sous forme d'une couche d'huile de lin. La mémoire |
Les données sont stockées dans une zone de stockage de l'appareil. | Solution intégrée au silicium Inc. | Les résultats de l'enquête sont publiés dans le Bulletin annuel de l'OMS. |
| Le produit doit être présenté sous forme d'une couche d'huile de lin. La mémoire |
Les données sont stockées dans une zone de stockage de stockage. | Solution intégrée au silicium Inc. | Le nombre total d'unités utilisées pour les systèmes d'exploitation est estimé en fonction de l'utilisation de l'installation. |
| Le produit doit être présenté sous forme d'une couche d'huile de lin. La mémoire |
Les données sont stockées dans une zone de stockage de l'appareil. | Solution intégrée au silicium Inc. | Les résultats de l'enquête sont publiés dans le Bulletin annuel de l'OMS. |
| Le produit doit être présenté sous forme d'une couche d'écoulement. La mémoire |
Les données sont stockées dans une zone de stockage. | Solution intégrée au silicium Inc. | Les données sont fournies par les autorités compétentes. |
| Le produit doit être présenté sous forme d'une couche d'huile de lin. La mémoire |
Les données sont stockées dans une zone de stockage de l'appareil. | Solution intégrée au silicium Inc. | Les résultats de l'enquête sont publiés dans le Bulletin de l'Union européenne. |
| Le produit doit être présenté sous forme d'une couche d'eau. La mémoire |
Les données sont stockées dans une zone de stockage. | Solution intégrée au silicium Inc. | Le nombre total d'émissions de CO2 est estimé en fonction de la fréquence de l'émission de CO2. |
| Le produit doit être présenté dans un emballage de qualité supérieure. La mémoire |
Les données sont stockées dans une zone de stockage. | Solution intégrée au silicium Inc. | Les résultats de l'enquête sont publiés dans le Bulletin annuel de l'OMS. |
| Le produit doit être présenté dans un emballage de qualité supérieure. La mémoire |
Les données sont stockées dans une zone de stockage de l'appareil. | Solution intégrée au silicium Inc. | Les résultats de l'enquête sont publiés dans le Bulletin de l'Union européenne. |
| Le produit doit être présenté sous forme d'une couche d'huile de lin. La mémoire |
Les données sont stockées dans une zone de stockage. | Solution intégrée au silicium Inc. | Les produits de l'industrie de l'assurance doivent être soumis à des contrôles d'éthique. |
Décrits
Mémoire DRAM IC 576Mb (32M x 18) parallèle 1,066GHz 10ns 168-FC ((LF) BGA (13.5x13.5)
La carte DRAM est une puce RLDRAM3 576Mbit 32Mx18 1.35V 168-Pin FBGA
DRAM RLDRAM3 mémoire, 576M I/O commun, 1066Mhz
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