MT28F400B3SG-8 B IC FLASH 4MBIT PARALLÈLE 44SO Micron Technology Inc.

Définition générale

Les MT28F004B3 (x8) et MT28F400B3 (x16/x8) sont des périphériques de mémoire programmables non volatils, électriquement effaçables (flash), contenant 4,194L'écriture ou l'effacement de l'appareil est effectué avec une tension VPP de 3,3 V ou 5 V, tandis que toutes les opérations sont effectuées avec une tension de 3,3 V.3V VCCEn raison des progrès de la technologie de traitement, le VPP 5V est optimal pour la programmation des applications et de la production.
Les MT28F004B3 et MT28F400B3 sont organisés en sept blocs supprimables séparément.les appareils disposent d'un bloc de démarrage protégé par matériel. L'écriture ou l'effacement du bloc de démarrage nécessite soit l'application d'une super tension à la broche RP#, soit la conduite de WP# HIGH en plus de l'exécution des séquences d'écriture ou d'effacement normales.Ce bloc peut être utilisé pour stocker le code mis en œuvre dans la récupération du système de bas niveau.Les blocs restants varient en densité et sont écrits et effacés sans mesures de sécurité supplémentaires.

Caractéristiques

• Sept blocs d'effacement:
Bloc de démarrage de mot 16KB/8K (protégé)
Deux blocs de paramètres de mots de 8KB/4K
Quatre blocs de mémoire principaux
• technologie Smart 3 (B3):
3.3V ± 0,3V VCC
3.3V ± 0,3V programmation de l'application VPP
La fréquence d'écoulement de l'appareil doit être supérieure ou égale à:
• Compatible avec le dispositif Smart 3 de 0,3 μm
• procédé CMOS à porte flottante de 0,18 μm avancé
• Temps d'accès à l'adresse: 80 ns
• 100 000 cycles d'ERASE
• Des étiquettes standardisées
• Les entrées et les sorties sont entièrement compatibles avec TTL
• Algoritme d'écriture et d'effacement automatisé
• Séquence écrire/effacer à deux cycles
• LIRE et ECRIRE à l'échelle d'un octet ou d'un mot
(MT28F400B3, 256K x 16/512K x 8)
• Lire et écrire uniquement
(MT28F004B3, 512K x 8)
• Options d'emballage selon les PTS et les PTS