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IS61C1024AL-12JLI IC SRAM 1MBIT PARALLEL 32SOJ ISSI, Solution intégrée au silicium inc.

  • IS61C1024AL-12JLI IC SRAM 1MBIT PARALLEL 32SOJ ISSI, Integrated Silicon Solution Inc
Nom de marque ISSI, Integrated Silicon Solution Inc
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Détails d'emballage sacs antistatiques et boîtes en carton
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Détails sur le produit
Type de mémoire Volatil Format de mémoire SRAM
Technologie SRAM - Asynchrone Capacité de la mémoire 1Mbit
Organisation de mémoire 128K X 8 Interface de mémoire Parallèlement
Fréquence du signal d'horloge - Écrivez la durée de cycle - Word, page 12ns
Temps d'accès 12 ns Voltage - alimentation 4.5V à 5.5V
Température de fonctionnement -40°C à 85°C (TA) Type de montage Monture de surface
Emballage / boîtier 32-BSOJ (0,300", largeur de 7,62 mm) Paquet de dispositifs fournis par le fournisseur 32-SOJ
Vous pouvez cocher les produits dont vous avez besoin et communiquer avec nous dans le babillard électronique.
Part Number Description
IS61C1024AL-12JLI IC SRAM 1MBIT PARALLEL 32SOJ
IS63WV1024BLL-12JLI-TR IC SRAM 1MBIT PARALLEL 32SOJ
IS61C1024AL-12JLI-TR IC SRAM 1MBIT PARALLEL 32SOJ
IS63WV1024BLL-12JLI IC SRAM 1MBIT PARALLEL 32SOJ
IS63WV1288DBLL-10JLI-TR IC SRAM 1MBIT PARALLEL 32SOJ
IS63WV1288DBLL-10JLI IC SRAM 1MBIT PARALLEL 32SOJ
IS61C1024AL-12KLI IC SRAM 1MBIT PARALLEL 32SOJ
IS63LV1024L-12JL IC SRAM 1MBIT PARALLEL 32SOJ
IS61C1024AL-12KI IC SRAM 1MBIT PARALLEL 32SOJ
IS61C1024AL-12KI-TR IC SRAM 1MBIT PARALLEL 32SOJ
IS61C1024AL-12KLI-TR IC SRAM 1MBIT PARALLEL 32SOJ
IS63LV1024-8KI IC SRAM 1MBIT PARALLEL 32SOJ
IS63LV1024-8KI-TR IC SRAM 1MBIT PARALLEL 32SOJ
IS63LV1024-8KL IC SRAM 1MBIT PARALLEL 32SOJ
IS63LV1024-8KL-TR IC SRAM 1MBIT PARALLEL 32SOJ
IS63LV1024-10J IC SRAM 1MBIT PARALLEL 32SOJ
IS63LV1024-10J-TR IC SRAM 1MBIT PARALLEL 32SOJ
IS63LV1024-10KI IC SRAM 1MBIT PARALLEL 32SOJ
IS63LV1024-10KI-TR IC SRAM 1MBIT PARALLEL 32SOJ
IS63LV1024-12J IC SRAM 1MBIT PARALLEL 32SOJ
IS63LV1024-12J-TR IC SRAM 1MBIT PARALLEL 32SOJ
IS63LV1024-12KL IC SRAM 1MBIT PARALLEL 32SOJ
IS63LV1024-12KL-TR IC SRAM 1MBIT PARALLEL 32SOJ
IS63LV1024L-10JLI IC SRAM 1MBIT PARALLEL 32SOJ
IS63LV1024L-10JLI-TR IC SRAM 1MBIT PARALLEL 32SOJ
IS63LV1024L-10KLI IC SRAM 1MBIT PARALLEL 32SOJ
IS63LV1024L-10KLI-TR IC SRAM 1MBIT PARALLEL 32SOJ
IS63LV1024L-12J IC SRAM 1MBIT PARALLEL 32SOJ
IS63LV1024L-12J-TR IC SRAM 1MBIT PARALLEL 32SOJ
IS63LV1024L-12JL-TR IC SRAM 1MBIT PARALLEL 32SOJ
IS61C1024-15JI IC SRAM 1MBIT PARALLEL 32SOJ
IS63WV1288DBLL-10KLI IC SRAM 1MBIT PARALLEL 32SOJ
IS63WV1288DBLL-10KLI-TR IC SRAM 1MBIT PARALLEL 32SOJ
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Part Number Description
Description de produit

Détails du produit

Définition

L'ISSI IS61C1024AL/IS64C1024AL est une mémoire vive statique CMOS de 8 bits de 131 072 mots et de très haute vitesse et de faible puissance.Ce procédé hautement fiable couplé à des techniques innovantes de conception de circuits, produit des dispositifs plus performants et à faible consommation d'énergie.
Lorsque CE1 est élevé ou CE2 est bas (désactivé), l'appareil assume un mode de veille auquel la dissipation de puissance peut être réduite en utilisant les niveaux d'entrée CMOS.
L'expansion facile de la mémoire est assurée par l'utilisation de deux entrées à puce, CE1 et CE2.
L'IS61C1024AL/IS64C1024AL est disponible dans des paquets de 32 broches de 300 millimètres SOJ, 32 broches de 400 millimètres SOJ, 32 broches de TSOP (Type I, 8x20) et 32 broches de sTSOP (Type I, 8 x 13.4).

Caractéristiques

• Temps d'accès à grande vitesse: 12, 15 ns
• Faible puissance active: 160 mW (typique)
• Faible puissance en veille: 1000 μW (typique) en veille CMOS
• Output Enable (OE) et deux entrées Chip Enable (CE1 et CE2) pour faciliter les applications
• Fonctionnement entièrement statique: pas besoin d'horloge ni de rafraîchissement
• Les entrées et sorties compatibles avec TTL
• alimentation à 5 V (± 10%) unique
• Des gammes de températures commerciales, industrielles et automobiles sont disponibles
• Disponible sans plomb

Les spécifications

Attribut Valeur attribuée
Produit de fabrication Le secteur privé
Catégorie de produits Circuits intégrés mémoire
Série -
Emballage Emballage de remplacement de plateau
Boîtier de colis 32-BSOJ (0,300", largeur de 7,62 mm)
Température de fonctionnement -40°C à 85°C (TA)
Interface Parallèlement
Appareil de régulation de la tension 4.5 V ~ 5.5 V
Produit fourni par le fournisseur 32-SOJ
Capacité de mémoire 1M (128K x 8)
Type de mémoire SRAM - Asynchrone
Vitesse 12 ans
Format-mémoire La RAM
Mfr ISSI Solution intégrée au silicium Inc.
Le paquet Plateau
Statut du produit Actif
Type de mémoire Les produits de base
Format de mémoire SRAM
Technologie SRAM - Asynchrone
Taille de la mémoire 1 MB (128K x 8)
Interface mémoire Parallèlement
Écrire-cycle-temps-mot-page 12 ans
Temps d'accès 12 ns
Appareil de régulation de la tension 4,5 V à 5,5 V
Type de montage Monture de surface
Boîtier de colis 32-BSOJ (0,300" 7,62 mm de largeur)
Numéro du produit de base Pour l'utilisation dans le secteur de l'énergie

Composant fonctionnel compatible

Forme,emballage,composant compatible fonctionnel

Partie du fabricant Définition Produit de fabrication Comparer
Pour les appareils de traitement de l'air
La mémoire		 La RAM standard est de 128KX8, 12ns, CMOS, PDSO32, 0,300 pouces, plastique, SOJ-32. Solution intégrée au silicium Inc. Le nombre d'unités utilisées est déterminé en fonction de la fréquence d'exposition.
Les données sont fournies par les autorités compétentes de l'État membre.
La mémoire		 SRAM standard, 128KX8, 12ns, CMOS, PDSO32, 0,300 pouces, SOJ-32 Cypress Semiconductor Les données sont fournies par les autorités compétentes.
Les données de l'établissement doivent être fournies conformément à l'annexe V.
La mémoire		 SRAM standard, 128KX8, 12ns, CMOS, PDSO32, 0,300 pouces, SOJ-32 Cypress Semiconductor Le nombre total d'émissions de CO2 est déterminé en fonction de la fréquence de l'émission de CO2.
Pour l'utilisation dans les appareils électroménagers
La mémoire		 La RAM standard est de 128KX8, 12ns, CMOS, PDSO32, 0,300 pouces, plastique, SOJ-32. Solution intégrée au silicium Inc. Le nombre d'équipements utilisés est déterminé en fonction de l'échantillon.
Les données sont fournies par les autorités compétentes de l'État membre.
La mémoire		 La valeur de l'échantillon doit être supérieure ou égale à la valeur de l'échantillon. Rochester Electronics LLC est une société Le nombre total d'émissions de CO2 est calculé en fonction de l'indice de CO2 de l'établissement.
Les données relatives à l'utilisation du système d'exploitation doivent être fournies à l'autorité compétente de l'État membre concerné.
La mémoire		 SRAM standard, 128KX8, 12ns, CMOS, PDSO32, 0,300 pouces, sans plomb, en plastique, SOJ-32 Alliance mémoire inc. Le nombre d'émissions de CO2 est déterminé par la méthode suivante:
Le produit doit être soumis à un contrôle d'approvisionnement.
La mémoire		 La RAM standard est de 128KX8, 12ns, CMOS, PDSO32, 0,300 pouces, plastique, SOJ-32. Solution intégrée au silicium Inc. Le nombre d'unités d'équipement doit être déterminé en tenant compte de l'expérience acquise par le fabricant.
MT4département d'exploitation
La mémoire		 La RAM standard est de 128KX8, 12ns, CMOS, PDSO32, 0,300 pouces, plastique, SOJ-32. Micron Technology Inc. est une société Les données sont fournies par les autorités compétentes de l'Union européenne.

Décrits

SRAM Chip Async Single 5V 1M-Bit 128K x 8 12ns 32 épingles SOJ
Étiquettes:

Mémoire instantanée stable IC

Mémoire instantanée IC non volatil

Mémoire INSTANTANÉE IC de SPI