IS43TR85120A-15HBL-TR IC DRAM 4GBIT PAR 78TWBGA ISSI, Solution intégrée au silicium inc.

Caractéristiques

● Voltage standard: VDD et VDDQ = 1,5 V ± 0,075 V
● Basse tension (L): VDD et VDDQ = 1,35 V + 0,1 V, -0,067 V
- Rétrospectivement compatible à 1,5 V
● Rapides transferts de données avec une fréquence système allant jusqu'à 1066 MHz
● 8 banques internes pour une opération simultanée
● Architecture de pré-remplacement 8n-bit
● La latence CAS programmable
● La latence additive programmable est de 0, CL-1, CL-2
● La latence d'écriture CAS (CWL) programmable basée sur tCK
● Longueur des rafales programmable: 4 et 8
● Séquence d'explosion programmable: séquentielle ou intercalaire
● Commutateur BL à la volée
● Autorefraîchissement automatique (ASR)
● Température de rafraîchissement automatique
● Intervalle de mise à jour:
7.8 us (8192 cycles/64 ms) Tc= -40°C à 85°C
3.9 us (8192 cycles/32 ms) Tc= 85°C à 105°C
● Réglage partiel
● Une broche de redémarrage asynchrone
● TDQS (Termination Data Strobe) pris en charge (x8 uniquement)
● OCD (réglage de l'impédance du pilote hors puce)
● ODT dynamique (termination immédiate)
● Force du conducteur: RZQ/7, RZQ/6 (RZQ = 240 Ω)
● Écrire le niveau
● Jusqu'à 200 MHz en mode DLL éteint
● Température de fonctionnement:
Pour les produits commerciaux (TC = 0°C à +95°C)
Industrie (TC = -40°C à +95°C)
Automobile, A1 (TC = -40°C à +95°C)
Automobile, A2 (TC = -40°C à +105°C)