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AS4C4M16SA-6BIN IC DRAM 64MBIT PARALLEL 54TFBGA Alliance Memory, Inc. Il est fourni par le fournisseur d'accès à la mémoire.

  • AS4C4M16SA-6BIN IC DRAM 64MBIT PARALLEL 54TFBGA Alliance Memory, Inc.
Nom de marque Alliance Memory, Inc.
Numéro de modèle Les données relatives à l'équipement doivent être fournies à l'autorité compétente de l'État membre
Quantité de commande min 1
Prix Based on current price
Détails d'emballage sacs antistatiques et boîtes en carton
Délai de livraison 3 à 5 jours ouvrables
Conditions de paiement T/T
Capacité d'approvisionnement En stock

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Détails sur le produit
Type de mémoire Volatil Format de mémoire DRACHME
Technologie SDRAM Capacité de la mémoire 64Mbit
Organisation de mémoire 4M x 16 Interface de mémoire Parallèlement
Fréquence du signal d'horloge 166 MHz Écrivez la durée de cycle - Word, page -
Temps d'accès 5,4 NS Voltage - alimentation 3V à 3,6V
Température de fonctionnement -40°C à 85°C (TA) Type de montage Monture de surface
Emballage / boîtier 54-TFBGA Paquet de dispositifs fournis par le fournisseur 54-TFBGA (8x8)
Vous pouvez cocher les produits dont vous avez besoin et communiquer avec nous dans le babillard électronique.
Part Number Description
AS4C4M16SA-6BIN IC DRAM 64MBIT PARALLEL 54TFBGA
AS4C8M16SA-6BINTR IC DRAM 128MBIT PAR 54TFBGA
AS4C8M16SA-7BCN IC DRAM 128MBIT PAR 54TFBGA
AS4C8M16SA-6BAN IC DRAM 128MBIT PAR 54TFBGA
AS4C16M16SA-7BCN IC DRAM 256MBIT PAR 54TFBGA
AS4C16M16SA-6BIN IC DRAM 256MBIT PAR 54TFBGA
AS4C16M16SA-6BAN IC DRAM 256MBIT PAR 54TFBGA
AS4C4M16SA-7BCN IC DRAM 64MBIT PAR 54TFBGA
AS4C4M16SA-6BAN IC DRAM 64MBIT PARALLEL 54TFBGA
AS4C8M16SA-6BIN IC DRAM 128MBIT PAR 54TFBGA
AS4C4M16SA-7BCNTR IC DRAM 64MBIT PAR 54TFBGA
AS4C4M16SA-6BINTR IC DRAM 64MBIT PARALLEL 54TFBGA
AS4C4M16SA-6BANTR IC DRAM 64MBIT PARALLEL 54TFBGA
AS4C8M16SA-7BCNTR IC DRAM 128MBIT PAR 54TFBGA
AS4C8M16SA-6BANTR IC DRAM 128MBIT PAR 54TFBGA
AS4C16M16SA-7BCNTR IC DRAM 256MBIT PAR 54TFBGA
AS4C16M16SA-6BINTR IC DRAM 256MBIT PAR 54TFBGA
AS4C16M16SA-6BANTR IC DRAM 256MBIT PAR 54TFBGA
AS4C16M16SB-6BIN IC DRAM 256MBIT LVTTL 54TFBGA
AS4C16M16S-7BCN IC DRAM 256MBIT PAR 54TFBGA
AS4C8M16S-7BCN IC DRAM 128MBIT PAR 54TFBGA
AS4C16M16S-7BCNTR IC DRAM 256MBIT PAR 54TFBGA
AS4C8M16S-7BCNTR IC DRAM 128MBIT PAR 54TFBGA
AS4C16M16S-6BIN IC DRAM 256MBIT PAR 54TFBGA
AS4C4M16S-6BIN IC DRAM 64MBIT PARALLEL 54TFBGA
AS4C8M16S-6BIN IC DRAM 128MBIT PAR 54TFBGA
AS4C16M16S-6BINTR IC DRAM 256MBIT PAR 54TFBGA
AS4C4M16S-6BINTR IC DRAM 64MBIT PARALLEL 54TFBGA
AS4C8M16S-6BINTR IC DRAM 128MBIT PAR 54TFBGA
MT48LC16M16A2F4-6A:G IC DRAM 256MBIT PAR 54VFBGA
MT48LC16M16A2F4-6A IT:GTR IC DRAM 256MBIT PAR 54VFBGA
MT48LC16M16A2F4-6A:GTR IC DRAM 256MBIT PAR 54VFBGA
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Part Number Description
Description de produit

Les spécifications

Attribut Valeur attribuée
Produit de fabrication Alliance Memory, Inc. Elle est une entreprise de renommée mondiale.
Catégorie de produits Circuits intégrés mémoire
Série -
Le type SDRAM
Emballage Plateau
Mode de montage DSM/SMT
Boîtier de colis Pour l'aéronef
Température de fonctionnement -40°C à 85°C (TA)
Interface Parallèlement
Appareil de régulation de la tension 3 V à 3,6 V
Produit fourni par le fournisseur Le nombre de pièces de rechange doit être supérieur ou égal à:
Capacité de mémoire 64 M (4 M x 16)
Type de mémoire SDRAM
Vitesse 166 MHz
Temps d'accès 5.4 ns
Format-mémoire La RAM
Température de fonctionnement maximale + 85 C
Plage de température de fonctionnement - Quarante degrés.
Organisation du projet 4 M x 16
Le courant d'approvisionnement maximal 50 mA
Largeur du bus de données 16 bits
Voltage d'alimentation maximal 3.6 V
Le système de régulation de la tension d'alimentation doit être conforme à la norme ISO 7638:2003. 3 V
Boîtier de colis Le numéro d'immatriculation est:
Fréquence d'horloge maximale 166 MHz

Décrits

Mémoire SDRAM IC de 64 Mb (4M x 16) parallèle à 166 MHz 5,4ns 54-TFBGA (8x8)
DRAM
Étiquettes:

Mémoire instantanée stable IC

Mémoire instantanée IC non volatil

Mémoire INSTANTANÉE IC de SPI