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MT53D1G64D8NZ-046 WT:E TR IC DRAM 64 GBIT 2,133 GHZ 376WFBGA Micron Technology Inc.

  • MT53D1G64D8NZ-046 WT:E TR IC DRAM 64GBIT 2.133GHZ 376WFBGA Micron Technology Inc.
Nom de marque Micron Technology Inc.
Numéro de modèle MT4A1A2A2A2A2A2A2A2A2A2A2A2A2A2A2A2A2A2A2A2A2A2A2A2A2A2A2A2A2A2A2A2A2A2A2A2A2A2A2A2A2A2A2A2A2A2A2A2A
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Détails sur le produit
Type de mémoire Volatil Format de mémoire DRACHME
Technologie SDRAM - LPDDR4 mobile Capacité de la mémoire 64Gbit
Organisation de mémoire 1G X 64 Interface de mémoire -
Fréquence du signal d'horloge 2,133 gigahertz Écrivez la durée de cycle - Word, page -
Temps d'accès - Voltage - alimentation 1.1V
Température de fonctionnement -30°C | 85°C (COMITÉ TECHNIQUE) Type de montage Monture de surface
Emballage / boîtier 376-WFBGA Paquet de dispositifs fournis par le fournisseur Le nombre d'équipements utilisés est de 376
Vous pouvez cocher les produits dont vous avez besoin et communiquer avec nous dans le babillard électronique.
Part Number Description
MT53E512M64D2NZ-46 WT:B TR IC DRAM 32GBIT PAR 376WFBGA
MT53E512M64D2NZ-46 WT:B IC DRAM 32GBIT PAR 376WFBGA
MT53E1G64D4NZ-046 WT:C TR LPDDR4 64G 1GX64 FBGA
MT53E1G64D4NZ-046 WT:C LPDDR4 64G 1GX64 FBGA
MT53E1G64D4NZ-046 WT ES:C TR LPDDR4 64GBIT 64 376/1156 WFBGA
MT53E1G64D4NZ-046 WT ES:C LPDDR4 64GBIT 64 376/1156 WFBGA
MT53D512M64D4NZ-046 WT:E IC DRAM 32GBIT 2.133GHZ 376WFBGA
MT53D512M64D4NZ-046 WT:E TR IC DRAM 32GBIT 2.133GHZ 376WFBGA
MT53E1G64D4NZ-46 WT:C TR IC DRAM 64GBIT PAR 376WFBGA
MT53E1G64D4NZ-46 WT:C IC DRAM 64GBIT PAR 376WFBGA
MT53D1G64D8NZ-046 WT:E IC DRAM 64GBIT 2.133GHZ 376WFBGA
MT53D1G64D8NZ-046 WT:E TR IC DRAM 64GBIT 2.133GHZ 376WFBGA
MT53D768M64D8NZ-046 WT:E IC DRAM 48GBIT 2.133GHZ 376WFBGA
MT53D768M64D8NZ-046 WT:E TR IC DRAM 48GBIT 2.133GHZ 376WFBGA
MT53D512M64D4NZ-053 WT:D IC DRAM 32GBIT 1.866GHZ 376WFBGA
MT53D768M64D8WF-053 WT:D IC DRAM 48GBIT 1.866GHZ 376WFBGA
MT53D512M64D4NZ-053 WT:D TR IC DRAM 32GBIT 1.866GHZ 376WFBGA
MT53D768M64D8WF-053 WT:D TR IC DRAM 48GBIT 1.866GHZ 376WFBGA
MT53D8DBWF-DC IC DRAM 376WFBGA
MT53D8DBWF-DC TR IC DRAM SPECIAL/CUSTOM 376WFBGA
MT53D1G64D8NZ-046 WT ES:E IC DRAM 64GBIT 2.133GHZ 376WFBGA
MT53D512M64D4NZ-046 WT ES:E IC DRAM 32GBIT 2.133GHZ 376WFBGA
MT53D512M64D4NZ-053 WT ES:D IC DRAM 32GBIT 1.866GHZ 376WFBGA
MT53D768M64D8NZ-046 WT ES:E IC DRAM 48GBIT 2.133GHZ 376WFBGA
MT53D768M64D8WF-053 WT ES:D IC DRAM 48GBIT 1.866GHZ 376WFBGA
MT53D1G64D8NZ-046 WT ES:E TR IC DRAM 64GBIT 2.133GHZ 376WFBGA
MT53D512M64D4NZ-046 WT ES:E TR IC DRAM 32GBIT 2.133GHZ 376WFBGA
MT53D512M64D4NZ-053 WT ES:D TR IC DRAM 32GBIT 1.866GHZ 376WFBGA
MT53D768M64D8NZ-046 WT ES:E TR IC DRAM 48GBIT 2.133GHZ 376WFBGA
MT53D768M64D8WF-053 WT ES:D TR IC DRAM 48GBIT 1.866GHZ 376WFBGA
MT53E256M64D4NZ-053 WT:B TR IC DRAM 16GBIT 1.866GHZ WFBGA
MT53E256M64D4NZ-053 WT:B IC DRAM 16GBIT 1.866GHZ WFBGA
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Part Number Description
Description de produit

Les spécifications

Attribut Valeur attribuée
Produit de fabrication Micron Technology Inc. est une société de technologie.
Catégorie de produits Résonnateurs
Mfr Micron Technology Inc. est une société
Série -
Le paquet Tape et bobine (TR)
Statut du produit Actif
Type de mémoire Les produits de base
Format de mémoire DRAM
Technologie SDRAM - LPDDR4 mobile
Taille de la mémoire 64 Go (1G x 64)
Interface mémoire -
Fréquence d'horloge 2,133 GHz
Écrire-cycle-temps-mot-page -
Appareil de régulation de la tension 1.1V
Température de fonctionnement -30°C à 85°C (TC)
Type de montage Monture de surface
Boîtier de colis 376-WFBGA
Produit fourni par le fournisseur Le nombre d'équipements utilisés est de 376
Numéro du produit de base MT5 dérivé

Décrits

SDRAM - mémoire mobile LPDDR4 IC 64Gb (1G x 64) 2133 MHz
Étiquettes:

Mémoire instantanée stable IC

Mémoire instantanée IC non volatil

Mémoire INSTANTANÉE IC de SPI