Tous les produits
-
Circuit intégré IC
-
Module de rf IC
-
Gestion IC de puissance
-
Unité de microcontrôleur de MCU
-
Circuit intégré de FPGA
-
Capteur de circuit intégré
-
Circuits intégrés d'interface
-
Isolant opto de Digital
-
Mémoire instantanée IC
-
TAMPON IC de logique
-
Puce d'IC d'amplificateur
-
Synchronisation IC d'horloge
-
IC par acquisition de données
MT47H16M16BG-37E:B TR IC SDRAM 256MBIT 266MHZ 84FBGA Micron Technology Inc.
| Nom de marque | Micron Technology Inc. |
|---|---|
| Numéro de modèle | MT47H16M16BG-37E:B TR |
| Quantité de commande min | 1 |
| Prix | Based on current price |
| Détails d'emballage | sacs antistatiques et boîtes en carton |
| Délai de livraison | 3 à 5 jours ouvrables |
| Conditions de paiement | T/T |
| Capacité d'approvisionnement | En stock |
Contactez-moi pour des aperçus gratuits et des bons.
Whatsapp:0086 18588475571
wechat: 0086 18588475571
Skype: sales10@aixton.com
Si vous avez n'importe quel souci, nous fournissons l'aide en ligne de 24 heures.
xDétails sur le produit
| Type de mémoire | Volatil | Format de mémoire | DRACHME |
|---|---|---|---|
| Technologie | SDRAM-DDR2 | Capacité de la mémoire | 256Mbit |
| Organisation de mémoire | 16M x 16 | Interface de mémoire | Parallèlement |
| Fréquence du signal d'horloge | 267 mégahertz | Écrivez la durée de cycle - Word, page | 15ns |
| Temps d'accès | 500 picosecondes | Voltage - alimentation | 1.7V à 1.9V |
| Température de fonctionnement | 0°C | 85°C (COMITÉ TECHNIQUE) | Type de montage | Monture de surface |
| Emballage / boîtier | 84-FBGA | Paquet de dispositifs fournis par le fournisseur | Pour les appareils à commande numérique: |
Vous pouvez cocher les produits dont vous avez besoin et communiquer avec nous dans le babillard électronique.
| Part Number | Description | |
|---|---|---|
| MT47H16M16BG-37E:B TR | IC SDRAM 256MBIT 266MHZ 84FBGA | |
| MT47H16M16BG-3:B TR | IC DRAM 256MBIT PARALLEL 84FBGA | |
| MT47H16M16BG-37V:B | IC DRAM 256MBIT PAR 84FBGA | |
| MT47H32M16CC-37E IT:B | IC DRAM 512MBIT PAR 84FBGA | |
| MT47H32M16CC-37E IT:B TR | IC DRAM 512MBIT PAR 84FBGA | |
| MT47H32M16CC-37E L:B | IC DRAM 512MBIT PAR 84FBGA | |
| MT47H32M16CC-37E L:B TR | IC DRAM 512MBIT PAR 84FBGA | |
| MT47H32M16CC-3E:B | IC DRAM 512MBIT PARALLEL 84FBGA | |
| MT47H32M16CC-3E:B TR | IC DRAM 512MBIT PARALLEL 84FBGA | |
| MT47H32M16CC-5E IT:B | IC DRAM 512MBIT PARALLEL 84FBGA | |
| MT47H32M16CC-5E IT:B TR | IC DRAM 512MBIT PARALLEL 84FBGA | |
| MT47H32M16CC-5E L:B | IC DRAM 512MBIT PARALLEL 84FBGA | |
| MT47H32M16CC-5E L:B TR | IC DRAM 512MBIT PARALLEL 84FBGA | |
| MT47H16M16BG-3E:B | IC DRAM 256MBIT PARALLEL 84FBGA | |
| MT47H16M16BG-5E:B | IC DRAM 256MBIT PARALLEL 84FBGA | |
| MT47H16M16BG-5E:B TR | IC DRAM 256MBIT PARALLEL 84FBGA | |
| MT47H32M16CC-37E:B | IC DRAM 512MBIT PAR 84FBGA | |
| MT47H32M16CC-37E:B TR | IC DRAM 512MBIT PAR 84FBGA | |
| MT47H32M16CC-3:B | IC DRAM 512MBIT PARALLEL 84FBGA | |
| MT47H32M16CC-5E:B | IC DRAM 512MBIT PARALLEL 84FBGA | |
| MT47H32M16CC-5E:B TR | IC DRAM 512MBIT PARALLEL 84FBGA | |
| MT47H32M16CC-3:B TR | IC DRAM 512MBIT PARALLEL 84FBGA | |
| MT47H32M16BN-3:D TR | IC DRAM 512MBIT PARALLEL 84FBGA | |
| MT47H16M16BG-3 IT:B TR | IC DRAM 256MBIT PARALLEL 84FBGA | |
| MT47H32M16BN-37E:D TR | IC DRAM 512MBIT PAR 84FBGA | |
| MT47H32M16BN-25E:D TR | IC DRAM 512MBIT PARALLEL 84FBGA | |
| MT47H32M16BN-25:D TR | IC DRAM 512MBIT PARALLEL 84FBGA | |
| MT47H32M16BN-5E IT:D TR | IC DRAM 512MBIT PARALLEL 84FBGA | |
| MT47H32M16BN-37E IT:D TR | IC DRAM 512MBIT PAR 84FBGA | |
| MT47H32M16BN-3 IT:D TR | IC DRAM 512MBIT PARALLEL 84FBGA | |
| MT47H32M16BN-25E IT:D TR | IC DRAM 512MBIT PARALLEL 84FBGA | |
| MT47H32M16BN-5E:D TR | IC DRAM 512MBIT PARALLEL 84FBGA |
Description de produit
Détails du produit
La mémoire SDRAM DDR2
MT47H256M4 ¢ 32 Meg x 4 x 8 banquesMT47H128M8 16 Meg x 8 x 8 banques
MT47H64M16 8 Meg x 16 x 8 banques
Caractéristiques
• VDD = 1,8 V ± 0,1 V, VDDQ = 1,8 V ± 0,1 V• Émetteur/sortie de 1,8 V selon la norme JEDEC (compatible avec SSTL_18)
• Option de stroboscope différentiel de données (DQS, DQS#)
• architecture de pré-recherche 4n-bits
• Option de rétroéclairage à sortie double (RDQS) pour x8
• DLL pour aligner les transitions DQ et DQS avec CK
• 8 banques internes pour une opération simultanée
• latence CAS programmable (CL)
• La latence de l'additif CAS (AL) affichée
• RÉCITER la latence = LIRE la latence - 1 tCK
• Longueur d'éclatation sélectionnable (BL): 4 ou 8
• Puissance réglable de l'entraînement de sortie de données
• 64 ms, 8192 cycles de mise à jour
• Termination au moment de la mise au point (ODT)
• Option de température industrielle
• Option de température automobile (AT)
• Conforme à la directive RoHS
• Prend en charge les spécifications JEDEC pour le jitter d'horloge
Les spécifications
| Attribut | Valeur attribuée |
|---|---|
| Produit de fabrication | Micron Technology Inc. est une société de technologie. |
| Catégorie de produits | Circuits intégrés mémoire |
| Série | - |
| Emballage | |
| Boîtier de colis | 84-FBGA |
| Température de fonctionnement | 0°C à 85°C (TC) |
| Interface | Parallèlement |
| Appareil de régulation de la tension | 10,7 V à 1,9 V |
| Produit fourni par le fournisseur | Pour les appareils à commande numérique: |
| Capacité de mémoire | 256 M (16 M x 16) |
| Type de mémoire | La mémoire SDRAM DDR2 |
| Vitesse | 3.75ns |
| Format-mémoire | La RAM |
Décrits
SDRAM - mémoire DDR2 IC 256 Mb (16M x 16) parallèle 267MHz 500ps 84-FBGA (8x14)
produits recommandés
