MT29F256G08CKCDBJ5-6R:D IC FLASH 256GBIT PAR 132TBGA Micron Technology Inc.

Nom de marque Micron Technology Inc.
Numéro de modèle MT29F256G08CKCDBJ5-6R : D
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Prix Based on current price
Détails d'emballage sacs antistatiques et boîtes en carton
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Détails sur le produit
Type de mémoire Non-volatile Format de mémoire Flash
Technologie ÉCLAIR - NON-ET (MLC) Capacité de la mémoire 256Gbit
Organisation de mémoire 32G X 8 Interface de mémoire Parallèlement
Fréquence du signal d'horloge 167 mégahertz Écrivez la durée de cycle - Word, page -
Temps d'accès - Voltage - alimentation 2.7V à 3.6V
Température de fonctionnement Pour les appareils de traitement des eaux usées: Type de montage Monture de surface
Emballage / boîtier - Paquet de dispositifs fournis par le fournisseur Le nombre de fois où les données sont utilisées.
Vous pouvez cocher les produits dont vous avez besoin et communiquer avec nous dans le babillard électronique.
Part Number Description
MT29F256G08CKCDBJ5-6R:D IC FLASH 256GBIT PAR 132TBGA
MT29F256G08CKEDBJ5-12:D IC FLASH 256GBIT PAR 132TBGA
MT29F256G08CMCABJ2-10RZ:A IC FLASH 256GBIT PAR 132TBGA
MT29F128G08AMCABJ2-10Z:A IC FLASH 128GBIT PAR 132TBGA
MT29F256G08CKCDBJ5-6R:D TR IC FLASH 256GBIT PAR 132TBGA
MT29F256G08CKEDBJ5-12:D TR IC FLASH 256GBIT PAR 132TBGA
MT29F256G08CMCDBJ5-6R:D TR IC FLASH 256GBIT PAR 132TBGA
MT29F256G08CMCABJ2-10RZ:A TR IC FLASH 256GBIT PAR 132TBGA
MT29F128G08AMCABJ2-10Z:A TR IC FLASH 128GBIT PAR 132TBGA
MT29F128G08AKCDBJ5-6:D TR IC FLSH 128GBIT PARALLEL 132TBGA
MT29F128G08AKCDBJ5-6IT:D TR IC FLASH 128GBIT PAR 132TBGA
MT29F128G08AMCDBJ5-6:D TR IC FLASH 128GBIT PAR 132TBGA
MT29F128G08AMCDBJ5-6IT:D TR IC FLASH 128GBIT PAR 132TBGA
MT29F256G08CKEDBJ5-12IT:D TR IC FLASH 256GBIT PAR 132TBGA
MT29F256G08CMEDBJ5-12:D TR IC FLASH 256GBIT PAR 132TBGA
MT29F256G08CMEDBJ5-12IT:D TR IC FLASH 256GBIT PAR 132TBGA
MT29F512G08EMCBBJ5-10:B TR IC FLASH 512GBIT PAR 132TBGA
MT29F512G08EMCBBJ5-10ES:B TR IC FLASH 512GBIT PAR 132TBGA
MT29F256G08CMCDBJ5-6ITR:D IC FLASH 256GBIT PAR 132TBGA
MT29F128G08AKEDBJ5-12:D IC FLSH 128GBIT PARALLEL 132TBGA
MT29F512G08EMCBBJ5-10:B IC FLASH 512GBIT PAR 132TBGA
MT29F512G08EKCBBJ5-6:B IC FLASH 512GBIT PAR 132TBGA
MT29F512G08EMCBBJ5-6:B IC FLASH 512GBIT PAR 132TBGA
MT29F512G08EMCBBJ5-6:B.001 IC FLASH 512GBIT PAR 132TBGA
MT29F128G08AMCDBJ5-6ITR:D IC FLASH 128GBIT PAR 132TBGA
MT29F128G08AMEDBJ5-12:D IC FLASH 128GBIT PARALLEL 83MHZ
MT29F128G08AMCDBJ5-6ITR:D TR IC FLASH 128GBIT PAR 132TBGA
MT29F128G08AMEDBJ5-12:D TR IC FLASH 128GBIT PAR 132TBGA
MT29F128G08AMCDBJ5-6IT:D IC FLASH 128GBIT PAR 132TBGA
MT29F128G08AKCDBJ5-6IT:D IC FLSH 128GBIT PARALLEL 132TBGA
MT29F256G08CMCDBJ5-6R:D IC FLASH 256GBIT PAR 132TBGA
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Part Number Description
Description de produit

Détails du produit

Description générale

Les périphériques flash NAND Micron comprennent une interface de données asynchrone pour des opérations d'E/S de haute performance.Il y a cinq signaux de contrôle utilisés pour mettre en œuvre l'interface de données asyn chronous: CE#, CLE, ALE, WE# et RE#. Des signaux supplémentaires contrôlent la protection contre l'écriture matérielle (WP#) et surveillent l'état de l'appareil (R/B#).

Caractéristiques

• Interface flash NAND ouverte (ONFI) conforme à la norme 2.2
• Technologie des cellules à plusieurs niveaux (MLC)
• organisation
La taille de la page x8: 8640 octets (8192 + 448 octets)
Taille du bloc: 256 pages (2048K + 112K bytes)
Taille de l'avion: 2 avions x 2048 blocs par avion
La taille de l'appareil: 64 Gb: 4096 blocs;
128 Gb: 8192 blocs;
256 Gb: 16 384 blocs;
512Gb: 32 786 blocs
• Performance d'E/S synchrone
¢ jusqu'au mode de synchronisation 5
Le taux d'horloge: 10ns (DDR)
Le débit de lecture/écriture par broche: 200 MT/s
• Performance d'E/S asynchrone
¢ jusqu'au mode de synchronisation asynchrone 5
Je ne sais pas.
Le nombre de cycles est calculé en fonction de la fréquence d'écoulement.
• Performance du tableau
Lecture de la page: 50 μs (maximum)
¢ Page du programme: 1300 μs (TYP)
Bloc de suppression: 3 ms (TYP)
• Plage de tension de fonctionnement
¢ VCC: 2,7 ¢ 3,6 V
‡ VCCQ: 1,7 ‡ 1,95 V, 2,7 ‡ 3,6 V
• Ensemble de commandes: protocole ONFI NAND Flash
• Un ensemble de commandes avancées
Le cache du programme
Lire le cache séquentiel
Lire le cache aléatoire
– One-time programmable (OTP) mode
Commandes multi-avions
– Multi-LUN operations
Lire l'ID unique
– Copyback
• Le premier bloc (adresse de bloc 00h) est valable à l'expédition
Pour l'ECC minimum requis, voir
Gestion des erreurs (page 109).
• RESET (FFh) requis comme première commande après mise sous tension
sur
• Le byte d'état d'opération fournit une méthode logicielle pour
détecter
L'opération est achevée
Condition de réussite/échec
Le statut de protection contre l'écriture
• Les signaux DQS fournissent une méthode matérielle
pour la synchronisation des données DQ dans le système synchrone
interface
• Opérations de recopiement prises en charge dans l'avion
dont les données sont lues
• Qualité et fiabilité
Réservation des données: 10 ans
¢ Durée de vie: 5000 cycles de programme/effacement
• Température de fonctionnement:
Pour les produits commerciaux: 0°C à +70°C
️ Industrie (IT): ️40°C à +85°C
• Forfait
LGA à 52 plaquettes
¢ TSOP à 48 broches
– 100-ball BGA

Les spécifications

Attribut Valeur attribuée
Produit de fabrication Micron Technology Inc. est une société de technologie.
Catégorie de produits Circuits intégrés mémoire
Série -
Emballage * Emballage alternatif
Boîtier de colis *
Température de fonctionnement Pour les appareils de traitement des eaux usées:
Interface Parallèlement
Appareil de régulation de la tension 2.7 V ~ 3.6 V
Produit fourni par le fournisseur *
Capacité de mémoire 256 G (32 G x 8)
Type de mémoire Flash - NAND
Vitesse -
Format-mémoire Flash

Décrits

Flash - IC de mémoire NAND 256Gb (32G x 8) parallèle à 167 MHz
NAND FLASH, MLC NAND