AS4C32M16D2A-25BIN IC DRAM 512MBIT PARALLEL 84FBGA Alliance Memory, Inc. Il est fourni par le fournisseur de mémoire.

Nom de marque Alliance Memory, Inc.
Numéro de modèle AS4C32M16D2A-25BIN
Quantité de commande min 1
Prix Based on current price
Détails d'emballage sacs antistatiques et boîtes en carton
Délai de livraison 3 à 5 jours ouvrables
Conditions de paiement T/T
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Détails sur le produit
Type de mémoire Volatil Format de mémoire DRACHME
Technologie SDRAM-DDR2 Capacité de la mémoire 512Mbit
Organisation de mémoire 32M x 16 Interface de mémoire Parallèlement
Fréquence du signal d'horloge 400 MHz Écrivez la durée de cycle - Word, page 15ns
Temps d'accès 400 picosecondes Voltage - alimentation 1.7V à 1.9V
Température de fonctionnement -40°C | 95°C (COMITÉ TECHNIQUE) Type de montage Monture de surface
Emballage / boîtier 84-TFBGA Paquet de dispositifs fournis par le fournisseur 84-FBGA (8x12.5)
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Part Number Description
AS4C32M16D2A-25BIN IC DRAM 512MBIT PARALLEL 84FBGA
AS4C64M16D2A-25BIN IC DRAM 1GBIT PARALLEL 84FBGA
AS4C64M16D2A-25BCN IC DRAM 1GBIT PARALLEL 84FBGA
AS4C32M16D2A-25BCN IC DRAM 512MBIT PARALLEL 84FBGA
AS4C64M16D2B-25BCN IC DRAM 1GBIT PARALLEL 84FBGA
AS4C128M16D2A-25BIN IC DRAM 2GBIT PARALLEL 84FBGA
AS4C32M16D2A-25BCNTR IC DRAM 512MBIT PAR 84TFBGA
AS4C32M16D2A-25BINTR IC DRAM 512MBIT PAR 84TFBGA
AS4C64M16D2A-25BCNTR IC DRAM 1GBIT PARALLEL 84FBGA
AS4C32M16D2A-25BANTR IC DRAM 512MBIT PAR 84TFBGA
AS4C32M16D2A-25BAN IC DRAM 512MBIT PAR 84TFBGA
AS4C64M16D2B-25BCNTR IC DRAM 1GBIT PARALLEL 84FBGA
AS4C64M16D2A-25BINTR IC DRAM 1GBIT PARALLEL 84FBGA
AS4C64M16D2A-25BANTR IC DRAM 1GBIT PARALLEL 84FBGA
AS4C64M16D2A-25BAN IC DRAM 1GBIT PARALLEL 84FBGA
AS4C128M16D2A-25BINTR IC DRAM 2GBIT PARALLEL 84TFBGA
AS4C32M16D2-25BCNTR IC DRAM 512MBIT PAR 84TFBGA
AS4C32M16D2-25BINTR IC DRAM 512MBIT PAR 84TFBGA
AS4C64M16D2-25BCNTR IC DRAM 1GBIT PARALLEL 84TFBGA
AS4C64M16D2-25BINTR IC DRAM 1GBIT PARALLEL 84TFBGA
AS4C32M16D2-25BCN IC DRAM 512MBIT PAR 84TFBGA
AS4C32M16D2-25BIN IC DRAM 512MBIT PAR 84TFBGA
AS4C64M16D2-25BCN IC DRAM 1GBIT PARALLEL 84TFBGA
AS4C64M16D2-25BIN IC DRAM 1GBIT PARALLEL 84TFBGA
AS4C32M16D2-25BANTR IC DRAM 512MBIT PAR 84TFBGA
AS4C64M16D2-25BAN IC DRAM 1GBIT PARALLEL 84FBGA
MT47H128M16PK-25E IT:C IC DRAM 2GBIT PARALLEL 84FBGA
MT47H128M16PK-25E IT:CTR IC DRAM 2GBIT PARALLEL 84FBGA
AS4C64M16D2-25BANTR IC DRAM 1GBIT PARALLEL 84FBGA
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Part Number Description
Description de produit

Les spécifications

Attribut Valeur attribuée
Produit de fabrication Alliance Memory, Inc. Elle est une entreprise de renommée mondiale.
Catégorie de produits Circuits intégrés mémoire
Série -
Le type DDR2
Emballage Emballage de remplacement de plateau
Mode de montage DSM/SMT
Boîtier de colis Pour l'équipement de la catégorie 84-TFBGA
Température de fonctionnement -40°C à 95°C (TC)
Interface Parallèlement
Appareil de régulation de la tension 10,7 V à 1,9 V
Produit fourni par le fournisseur Pour les appareils à commande numérique:
Capacité de mémoire 512M (32M x 16)
Type de mémoire La mémoire SDRAM DDR2
Vitesse 400 MHz
Temps d'accès 0.4 ns
Format-mémoire La RAM
Température de fonctionnement maximale + 95 °C
Plage de température de fonctionnement - Quarante degrés.
Organisation du projet 32 M x 16
Le courant d'approvisionnement maximal 100 mA
Largeur du bus de données 16 bits
Voltage d'alimentation maximal 1.9 V
Le système de régulation de la tension d'alimentation doit être conforme à la norme ISO 7638:2003. 1.7 V
Boîtier de colis Le numéro de série:
Fréquence d'horloge maximale 400 MHz

Décrits

SDRAM - mémoire DDR2 IC 512 Mb (32 M x 16) parallèle 400 MHz 400ps 84-TFBGA (12.5 x8)
DRAM