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AS4C32M16D2A-25BIN IC DRAM 512MBIT PARALLEL 84FBGA Alliance Memory, Inc. Il est fourni par le fournisseur de mémoire.

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xDétails sur le produit
Type de mémoire | Volatil | Format de mémoire | DRACHME |
---|---|---|---|
Technologie | SDRAM-DDR2 | Capacité de la mémoire | 512Mbit |
Organisation de mémoire | 32M x 16 | Interface de mémoire | Parallèlement |
Fréquence du signal d'horloge | 400 MHz | Écrivez la durée de cycle - Word, page | 15ns |
Temps d'accès | 400 picosecondes | Voltage - alimentation | 1.7V à 1.9V |
Température de fonctionnement | -40°C | 95°C (COMITÉ TECHNIQUE) | Type de montage | Monture de surface |
Emballage / boîtier | 84-TFBGA | Paquet de dispositifs fournis par le fournisseur | 84-FBGA (8x12.5) |
Vous pouvez cocher les produits dont vous avez besoin et communiquer avec nous dans le babillard électronique.
Part Number | Description | |
---|---|---|
AS4C32M16D2A-25BIN | IC DRAM 512MBIT PARALLEL 84FBGA | |
AS4C64M16D2A-25BIN | IC DRAM 1GBIT PARALLEL 84FBGA | |
AS4C64M16D2A-25BCN | IC DRAM 1GBIT PARALLEL 84FBGA | |
AS4C32M16D2A-25BCN | IC DRAM 512MBIT PARALLEL 84FBGA | |
AS4C64M16D2B-25BCN | IC DRAM 1GBIT PARALLEL 84FBGA | |
AS4C128M16D2A-25BIN | IC DRAM 2GBIT PARALLEL 84FBGA | |
AS4C32M16D2A-25BCNTR | IC DRAM 512MBIT PAR 84TFBGA | |
AS4C32M16D2A-25BINTR | IC DRAM 512MBIT PAR 84TFBGA | |
AS4C64M16D2A-25BCNTR | IC DRAM 1GBIT PARALLEL 84FBGA | |
AS4C32M16D2A-25BANTR | IC DRAM 512MBIT PAR 84TFBGA | |
AS4C32M16D2A-25BAN | IC DRAM 512MBIT PAR 84TFBGA | |
AS4C64M16D2B-25BCNTR | IC DRAM 1GBIT PARALLEL 84FBGA | |
AS4C64M16D2A-25BINTR | IC DRAM 1GBIT PARALLEL 84FBGA | |
AS4C64M16D2A-25BANTR | IC DRAM 1GBIT PARALLEL 84FBGA | |
AS4C64M16D2A-25BAN | IC DRAM 1GBIT PARALLEL 84FBGA | |
AS4C128M16D2A-25BINTR | IC DRAM 2GBIT PARALLEL 84TFBGA | |
AS4C32M16D2-25BCNTR | IC DRAM 512MBIT PAR 84TFBGA | |
AS4C32M16D2-25BINTR | IC DRAM 512MBIT PAR 84TFBGA | |
AS4C64M16D2-25BCNTR | IC DRAM 1GBIT PARALLEL 84TFBGA | |
AS4C64M16D2-25BINTR | IC DRAM 1GBIT PARALLEL 84TFBGA | |
AS4C32M16D2-25BCN | IC DRAM 512MBIT PAR 84TFBGA | |
AS4C32M16D2-25BIN | IC DRAM 512MBIT PAR 84TFBGA | |
AS4C64M16D2-25BCN | IC DRAM 1GBIT PARALLEL 84TFBGA | |
AS4C64M16D2-25BIN | IC DRAM 1GBIT PARALLEL 84TFBGA | |
AS4C32M16D2-25BANTR | IC DRAM 512MBIT PAR 84TFBGA | |
AS4C64M16D2-25BAN | IC DRAM 1GBIT PARALLEL 84FBGA | |
MT47H128M16PK-25E IT:C | IC DRAM 2GBIT PARALLEL 84FBGA | |
MT47H128M16PK-25E IT:CTR | IC DRAM 2GBIT PARALLEL 84FBGA | |
AS4C64M16D2-25BANTR | IC DRAM 1GBIT PARALLEL 84FBGA |
Description de produit
Les spécifications
Attribut | Valeur attribuée |
---|---|
Produit de fabrication | Alliance Memory, Inc. Elle est une entreprise de renommée mondiale. |
Catégorie de produits | Circuits intégrés mémoire |
Série | - |
Le type | DDR2 |
Emballage | Emballage de remplacement de plateau |
Mode de montage | DSM/SMT |
Boîtier de colis | Pour l'équipement de la catégorie 84-TFBGA |
Température de fonctionnement | -40°C à 95°C (TC) |
Interface | Parallèlement |
Appareil de régulation de la tension | 10,7 V à 1,9 V |
Produit fourni par le fournisseur | Pour les appareils à commande numérique: |
Capacité de mémoire | 512M (32M x 16) |
Type de mémoire | La mémoire SDRAM DDR2 |
Vitesse | 400 MHz |
Temps d'accès | 0.4 ns |
Format-mémoire | La RAM |
Température de fonctionnement maximale | + 95 °C |
Plage de température de fonctionnement | - Quarante degrés. |
Organisation du projet | 32 M x 16 |
Le courant d'approvisionnement maximal | 100 mA |
Largeur du bus de données | 16 bits |
Voltage d'alimentation maximal | 1.9 V |
Le système de régulation de la tension d'alimentation doit être conforme à la norme ISO 7638:2003. | 1.7 V |
Boîtier de colis | Le numéro de série: |
Fréquence d'horloge maximale | 400 MHz |
Décrits
SDRAM - mémoire DDR2 IC 512 Mb (32 M x 16) parallèle 400 MHz 400ps 84-TFBGA (12.5 x8)
DRAM
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