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AS4C128M32MD2A-18BIN IC DRAM 4GBIT PARALLEL 134FBGA Alliance Memory, Inc. Il est fourni par le fournisseur d'accès à la mémoire.
Nom de marque | Alliance Memory, Inc. |
---|---|
Numéro de modèle | Pour les appareils à commande numérique, le numéro d'immatriculation doit être le suivant: |
Quantité de commande min | 1 |
Prix | Based on current price |
Détails d'emballage | sacs antistatiques et boîtes en carton |
Délai de livraison | 3 à 5 jours ouvrables |
Conditions de paiement | T/T |
Capacité d'approvisionnement | En stock |

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Whatsapp:0086 18588475571
wechat: 0086 18588475571
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xDétails sur le produit
Type de mémoire | Volatil | Format de mémoire | DRACHME |
---|---|---|---|
Technologie | SDRAM - LPDDR2 mobile | Capacité de la mémoire | 4Gbit |
Organisation de mémoire | 128M x 32 | Interface de mémoire | Parallèlement |
Fréquence du signal d'horloge | 533 mégahertz | Écrivez la durée de cycle - Word, page | 15ns |
Temps d'accès | - | Voltage - alimentation | 1.14V à 1.95V |
Température de fonctionnement | -40°C | 85°C (COMITÉ TECHNIQUE) | Type de montage | Monture de surface |
Emballage / boîtier | Les produits de base doivent être présentés dans la liste ci-après: | Paquet de dispositifs fournis par le fournisseur | Pour les appareils à commande numérique: |
Vous pouvez cocher les produits dont vous avez besoin et communiquer avec nous dans le babillard électronique.
Part Number | Description | |
---|---|---|
AS4C128M32MD2A-18BIN | IC DRAM 4GBIT PARALLEL 134FBGA | |
AS4C64M32MD2A-25BIN | IC DRAM 2GBIT PARALLEL 134FBGA | |
AS4C128M32MD2A-25BIN | IC DRAM 4GBIT PARALLEL 134FBGA | |
AS4C8M32MD2A-25BCN | IC DRAM 256MBIT PARALLEL 134FBGA | |
AS4C32M32MD2A-25BIN | IC DRAM 1GBIT PARALLEL 134FBGA | |
AS4C128M16MD2A-25BIN | IC DRAM 2GBIT PARALLEL 134FBGA | |
AS4C64M32MD2-25BCN | IC DRAM 2GBIT PARALLEL 134FBGA | |
AS4C64M16MD2A-25BIN | IC DRAM 1GBIT PARALLEL 134FBGA | |
AS4C128M32MD2A-25BINTR | IC DRAM 4GBIT PARALLEL 134FBGA | |
AS4C128M32MD2A-18BINTR | IC DRAM 4GBIT PARALLEL 134FBGA | |
AS4C128M16MD2-25BCN | IC DRAM 2GBIT PARALLEL 134FBGA | |
AS4C128M32MD2-18BCN | IC DRAM 4GBIT PARALLEL 134FBGA | |
AS4C32M32MD2-25BCN | IC DRAM 1GBIT PARALLEL 134FBGA | |
AS4C64M16MD2-25BCN | IC DRAM 1GBIT PARALLEL 134FBGA | |
AS4C128M16MD2-25BCNTR | IC DRAM 2GBIT PARALLEL 134FBGA | |
AS4C128M32MD2-18BCNTR | IC DRAM 4GBIT PARALLEL 134FBGA | |
AS4C128M32MD2-18BIN | IC DRAM 4GBIT PARALLEL 134FBGA | |
AS4C128M32MD2-18BINTR | IC DRAM 4GBIT PARALLEL 134FBGA | |
AS4C32M32MD2-25BCNTR | IC DRAM 1GBIT PARALLEL 134FBGA | |
AS4C64M16MD2-25BCNTR | IC DRAM 1GBIT PARALLEL 134FBGA | |
AS4C64M32MD2-25BCNTR | IC DRAM 2GBIT PARALLEL 134FBGA | |
AS4C64M16MD2A-25BCN | IC DRAM 1GBIT PARALLEL 134FBGA | |
AS4C64M16MD2A-25BCNTR | IC DRAM 1GBIT PARALLEL 134FBGA | |
AS4C32M32MD2A-25BCN | IC DRAM 1GBIT PARALLEL 134FBGA | |
AS4C32M32MD2A-25BCNTR | IC DRAM 1GBIT PARALLEL 134FBGA | |
AS4C128M16MD2A-25BCN | IC DRAM 2GBIT PARALLEL 134FBGA | |
AS4C128M16MD2A-25BCNTR | IC DRAM 2GBIT PARALLEL 134FBGA | |
AS4C64M32MD2A-25BCN | IC DRAM 2GBIT PARALLEL 134FBGA | |
AS4C64M32MD2A-25BCNTR | IC DRAM 2GBIT PARALLEL 134FBGA |
Description de produit
Détails du produit
Caractéristiques
• organisation: 1,048,576 mots × 4 bits• Haute vitesse
- 40/50/60/70 ns de temps d'accès au RAS
- 20/25/30/35 ns Temps d'accès à l'adresse de colonne
- 10/13/15/18 ns Temps d'accès au CAS
• Faible consommation électrique
- Actif: 385 mW maximum (-60)
- En veille: 5,5 mW maximum, I/O CMOS
• Mode de page rapide (AS4C14400) ou EDO (AS4C14405)
• 1024 cycles de mise à jour, intervalle de mise à jour de 16 ms
- Récupération du RAS uniquement ou du CAS avant le RAS
• Lire-modifier-écrire
• compatibles avec TTL, I/O à trois états
• les paquets standard de la JEDEC
- 300 mil, 20/26 broches de SOJ
- 300 millilitres, 20/26 épingles
• alimentation à 5 V unique
• Protection contre les DSE ≥ 2001V
• Courant de verrouillage ≥ 200 mA
Les spécifications
Attribut | Valeur attribuée |
---|---|
Produit de fabrication | Alliance Memory, Inc. Elle est une entreprise de renommée mondiale. |
Catégorie de produits | Les puces IC |
Mfr | Alliance mémoire inc. |
Série | - |
Le paquet | Plateau |
Statut du produit | Actif |
Type de mémoire | Les produits de base |
Format de mémoire | DRAM |
Technologie | SDRAM - LPDDR2 mobile |
Taille de la mémoire | 4Gb (128M x 32) |
Interface mémoire | Parallèlement |
Fréquence d'horloge | 533 MHz |
Écrire-cycle-temps-mot-page | 15 ans |
Appareil de régulation de la tension | 1,14 V à 1,95 V |
Température de fonctionnement | -40°C à 85°C (TC) |
Type de montage | Monture de surface |
Boîtier de colis | Les produits de base doivent être présentés dans la liste ci-après: |
Produit fourni par le fournisseur | Pour les appareils à commande numérique: |
Numéro du produit de base | Pour les appareils de surveillance de la sécurité |
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