AS4C128M32MD2A-18BIN IC DRAM 4GBIT PARALLEL 134FBGA Alliance Memory, Inc. Il est fourni par le fournisseur d'accès à la mémoire.

Nom de marque Alliance Memory, Inc.
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Détails d'emballage sacs antistatiques et boîtes en carton
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Détails sur le produit
Type de mémoire Volatil Format de mémoire DRACHME
Technologie SDRAM - LPDDR2 mobile Capacité de la mémoire 4Gbit
Organisation de mémoire 128M x 32 Interface de mémoire Parallèlement
Fréquence du signal d'horloge 533 mégahertz Écrivez la durée de cycle - Word, page 15ns
Temps d'accès - Voltage - alimentation 1.14V à 1.95V
Température de fonctionnement -40°C | 85°C (COMITÉ TECHNIQUE) Type de montage Monture de surface
Emballage / boîtier Les produits de base doivent être présentés dans la liste ci-après: Paquet de dispositifs fournis par le fournisseur Pour les appareils à commande numérique:
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Part Number Description
AS4C128M32MD2A-18BIN IC DRAM 4GBIT PARALLEL 134FBGA
AS4C64M32MD2A-25BIN IC DRAM 2GBIT PARALLEL 134FBGA
AS4C128M32MD2A-25BIN IC DRAM 4GBIT PARALLEL 134FBGA
AS4C8M32MD2A-25BCN IC DRAM 256MBIT PARALLEL 134FBGA
AS4C32M32MD2A-25BIN IC DRAM 1GBIT PARALLEL 134FBGA
AS4C128M16MD2A-25BIN IC DRAM 2GBIT PARALLEL 134FBGA
AS4C64M32MD2-25BCN IC DRAM 2GBIT PARALLEL 134FBGA
AS4C64M16MD2A-25BIN IC DRAM 1GBIT PARALLEL 134FBGA
AS4C128M32MD2A-25BINTR IC DRAM 4GBIT PARALLEL 134FBGA
AS4C128M32MD2A-18BINTR IC DRAM 4GBIT PARALLEL 134FBGA
AS4C128M16MD2-25BCN IC DRAM 2GBIT PARALLEL 134FBGA
AS4C128M32MD2-18BCN IC DRAM 4GBIT PARALLEL 134FBGA
AS4C32M32MD2-25BCN IC DRAM 1GBIT PARALLEL 134FBGA
AS4C64M16MD2-25BCN IC DRAM 1GBIT PARALLEL 134FBGA
AS4C128M16MD2-25BCNTR IC DRAM 2GBIT PARALLEL 134FBGA
AS4C128M32MD2-18BCNTR IC DRAM 4GBIT PARALLEL 134FBGA
AS4C128M32MD2-18BIN IC DRAM 4GBIT PARALLEL 134FBGA
AS4C128M32MD2-18BINTR IC DRAM 4GBIT PARALLEL 134FBGA
AS4C32M32MD2-25BCNTR IC DRAM 1GBIT PARALLEL 134FBGA
AS4C64M16MD2-25BCNTR IC DRAM 1GBIT PARALLEL 134FBGA
AS4C64M32MD2-25BCNTR IC DRAM 2GBIT PARALLEL 134FBGA
AS4C64M16MD2A-25BCN IC DRAM 1GBIT PARALLEL 134FBGA
AS4C64M16MD2A-25BCNTR IC DRAM 1GBIT PARALLEL 134FBGA
AS4C32M32MD2A-25BCN IC DRAM 1GBIT PARALLEL 134FBGA
AS4C32M32MD2A-25BCNTR IC DRAM 1GBIT PARALLEL 134FBGA
AS4C128M16MD2A-25BCN IC DRAM 2GBIT PARALLEL 134FBGA
AS4C128M16MD2A-25BCNTR IC DRAM 2GBIT PARALLEL 134FBGA
AS4C64M32MD2A-25BCN IC DRAM 2GBIT PARALLEL 134FBGA
AS4C64M32MD2A-25BCNTR IC DRAM 2GBIT PARALLEL 134FBGA
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Part Number Description
Description de produit

Détails du produit

Caractéristiques

• organisation: 1,048,576 mots × 4 bits
• Haute vitesse
- 40/50/60/70 ns de temps d'accès au RAS
- 20/25/30/35 ns Temps d'accès à l'adresse de colonne
- 10/13/15/18 ns Temps d'accès au CAS
• Faible consommation électrique
- Actif: 385 mW maximum (-60)
- En veille: 5,5 mW maximum, I/O CMOS
• Mode de page rapide (AS4C14400) ou EDO (AS4C14405)
• 1024 cycles de mise à jour, intervalle de mise à jour de 16 ms
- Récupération du RAS uniquement ou du CAS avant le RAS
• Lire-modifier-écrire
• compatibles avec TTL, I/O à trois états
• les paquets standard de la JEDEC
- 300 mil, 20/26 broches de SOJ
- 300 millilitres, 20/26 épingles
• alimentation à 5 V unique
• Protection contre les DSE ≥ 2001V
• Courant de verrouillage ≥ 200 mA

Les spécifications

AttributValeur attribuée
Produit de fabricationAlliance Memory, Inc. Elle est une entreprise de renommée mondiale.
Catégorie de produitsLes puces IC
MfrAlliance mémoire inc.
Série-
Le paquetPlateau
Statut du produitActif
Type de mémoireLes produits de base
Format de mémoireDRAM
TechnologieSDRAM - LPDDR2 mobile
Taille de la mémoire4Gb (128M x 32)
Interface mémoireParallèlement
Fréquence d'horloge533 MHz
Écrire-cycle-temps-mot-page15 ans
Appareil de régulation de la tension1,14 V à 1,95 V
Température de fonctionnement-40°C à 85°C (TC)
Type de montageMonture de surface
Boîtier de colisLes produits de base doivent être présentés dans la liste ci-après:
Produit fourni par le fournisseurPour les appareils à commande numérique:
Numéro du produit de basePour les appareils de surveillance de la sécurité