IS43TR16512AL-15HBL IC DRAM 8GBIT PAR 96LFBGA ISSI, Solution intégrée au silicium inc.

Caractéristiques

• Voltage standard: VDD et VDDQ = 1,5 V ± 0,075 V
• Basse tension (L): VDD et VDDQ = 1,35 V + 0,1 V, -0,067 V
- Rétrospectivement compatible à 1,5 V
• Les taux de transfert de données à grande vitesse avec une fréquence du système allant jusqu'à 933 MHz
• 8 banques internes pour une opération simultanée
• Architecture de pré-remplacement 8n-bit
• latence CAS programmable
• La latence additive programmable est de 0, CL-1, CL-2
• latence d'écriture CAS programmable (CWL) basée sur tCK
• Longueur de rafale programmable: 4 et 8
• Séquence d'explosion programmable: séquentielle ou intermédiaire
• Commutateur BL à la volée
• Autorefresh automatique (ASR)
• Température de rafraîchissement automatique (SRT)
• Intervalle de mise à jour:
7.8 us (8192 cycles/64 ms) Tc= -40°C à 85°C
3.9 us (8192 cycles/32 ms) Tc= 85°C à 105°C
• Autorefresquage par matrice partielle
• broche de réinitialisation asynchrone
• TDQS (Termination Data Strobe) pris en charge (x8 uniquement)
• OCD (réglage de l'impédance du pilote hors puce)
• ODT dynamique (termination immédiate)
• Force du conducteur: RZQ/7, RZQ/6 (RZQ = 240 Ω)
• Écrire le nivellement
• Jusqu'à 200 MHz en mode DLL éteint
• Température de fonctionnement:
Pour les produits commerciaux (TC = 0°C à +95°C)
Industrie (TC = -40°C à +95°C)
Automobile, A1 (TC = -40°C à +95°C)
Automobile, A2 (TC = -40°C à +105°C)