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IS41LV16100B-50KL IC DRAM 16MBIT PARALLEL 42SOJ ISSI, Solution intégrée au silicium inc.
Nom de marque | ISSI, Integrated Silicon Solution Inc |
---|---|
Numéro de modèle | Le nombre d'émissions de CO2 est déterminé par la méthode suivante: |
Quantité de commande min | 1 |
Prix | Based on current price |
Détails d'emballage | sacs antistatiques et boîtes en carton |
Délai de livraison | 3 à 5 jours ouvrables |
Conditions de paiement | T/T |
Capacité d'approvisionnement | En stock |

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xDétails sur le produit
Type de mémoire | Volatil | Format de mémoire | DRACHME |
---|---|---|---|
Technologie | DRAM - EDO | Capacité de la mémoire | 16Mbit |
Organisation de mémoire | 1M x 16 | Interface de mémoire | Parallèlement |
Fréquence du signal d'horloge | - | Écrivez la durée de cycle - Word, page | - |
Temps d'accès | 25 NS | Voltage - alimentation | 3V à 3,6V |
Température de fonctionnement | Pour les appareils de traitement des eaux usées: | Type de montage | Monture de surface |
Emballage / boîtier | 42-BSOJ (0,400", largeur de 10,16 mm) | Paquet de dispositifs fournis par le fournisseur | 42-SOJ |
Vous pouvez cocher les produits dont vous avez besoin et communiquer avec nous dans le babillard électronique.
Part Number | Description | |
---|---|---|
IS41LV16100B-50KL | IC DRAM 16MBIT PARALLEL 42SOJ | |
IS41LV16100B-50KL-TR | IC DRAM 16MBIT PARALLEL 42SOJ | |
IS41LV16100B-50KLI | IC DRAM 16MBIT PARALLEL 42SOJ | |
IS41LV16100B-50KLI-TR | IC DRAM 16MBIT PARALLEL 42SOJ | |
IS41LV16100B-60KL | IC DRAM 16MBIT PARALLEL 42SOJ | |
IS41LV16100B-60KL-TR | IC DRAM 16MBIT PARALLEL 42SOJ | |
IS41LV16100B-60KLI | IC DRAM 16MBIT PARALLEL 42SOJ | |
IS41LV16100B-60KLI-TR | IC DRAM 16MBIT PARALLEL 42SOJ | |
IS41LV16105B-50KL | IC DRAM 16MBIT PARALLEL 42SOJ | |
IS41LV16105B-50KL-TR | IC DRAM 16MBIT PARALLEL 42SOJ | |
IS41LV16105B-50KLI | IC DRAM 16MBIT PARALLEL 42SOJ | |
IS41LV16105B-50KLI-TR | IC DRAM 16MBIT PARALLEL 42SOJ | |
IS41LV16105B-60KL | IC DRAM 16MBIT PARALLEL 42SOJ | |
IS41LV16105B-60KL-TR | IC DRAM 16MBIT PARALLEL 42SOJ | |
IS41LV16105B-60KLI | IC DRAM 16MBIT PARALLEL 42SOJ | |
IS41LV16105B-60KLI-TR | IC DRAM 16MBIT PARALLEL 42SOJ | |
IS41C16100C-50KLI | IC DRAM 16MBIT PARALLEL 42SOJ | |
IS41C16100C-50KLI-TR | IC DRAM 16MBIT PARALLEL 42SOJ | |
IS41C16105C-50KLI | IC DRAM 16MBIT PARALLEL 42SOJ | |
IS41C16105C-50KLI-TR | IC DRAM 16MBIT PARALLEL 42SOJ | |
IS41LV16100C-50KLI | IC DRAM 16MBIT PARALLEL 42SOJ | |
IS41LV16100C-50KLI-TR | IC DRAM 16MBIT PARALLEL 42SOJ | |
IS41LV16105C-50KLI | IC DRAM 16MBIT PARALLEL 42SOJ | |
IS41LV16105C-50KLI-TR | IC DRAM 16MBIT PARALLEL 42SOJ | |
IS41LV16100D-50KLI | IC DRAM 16MBIT PARALLEL 42SOJ | |
IS41LV16100D-50KLI-TR | IC DRAM 16MBIT PARALLEL 42SOJ | |
IS41LV16105D-50KLI | IC DRAM 16MBIT PARALLEL 42SOJ | |
IS41LV16105D-50KLI-TR | IC DRAM 16MBIT PARALLEL 42SOJ |
Description de produit
Détails du produit
Définition
L'ISSIIS41LV16100B est 1,048,576 x 16 bits de haute performance CMOS Dynamic Random Access Memories. Ces appareils offrent un accès à cycle accéléré appelé mode page EDO.024 accès aléatoires dans une seule ligne avec un temps de cycle d'accès aussi court que 20 ns par mot à 16 bits.
Caractéristiques
• Entrées et sorties compatibles TTL; E/S à trois états• Intervalle de mise à jour:
Mode de mise à jour automatique: 1 024 cycles / 16 ms
¢ RAS uniquement, CAS avant RAS (CBR) et caché
• Le dessin standard de la JEDEC
• alimentation unique: 3,3 V ± 10%
• Opération d'écriture et de lecture par byte via deux CAS
• Plage de température industrielle: -40°C à +85°C
• Disponible sans plomb
Les spécifications
Attribut | Valeur attribuée |
---|---|
Produit de fabrication | Le secteur privé |
Catégorie de produits | Les puces IC |
Série | - |
Emballage | Tuyaux |
Boîtier de colis | 42-BSOJ (0,400" et 10,16 mm) |
Température de fonctionnement | Pour les appareils de traitement des eaux usées: |
Interface | Parallèlement |
Appareil de régulation de la tension | 3 V à 3,6 V |
Produit fourni par le fournisseur | 42-SOJ |
Capacité de mémoire | 16M (1M x 16) |
Type de mémoire | DRAM - EDO |
Vitesse | 50 ans |
Format-mémoire | La RAM |
Décrits
DRAM - mémoire EDO IC 16 Mb (1M x 16) parallèle 25ns 42-SOJ
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