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S29WS064RABBHW010 IC FLASH 64MBIT PARALLEL 84FBGA Cypress Semi-conducteurs Corp.

  • S29WS064RABBHW010 IC FLASH 64MBIT PARALLEL 84FBGA Cypress Semiconductor Corp
Nom de marque Cypress Semiconductor Corp
Numéro de modèle Les États membres doivent communiquer à l'autorité compétente les informations suivantes:
Quantité de commande min 1
Prix Based on current price
Détails d'emballage sacs antistatiques et boîtes en carton
Délai de livraison 3 à 5 jours ouvrables
Conditions de paiement T/T
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Détails sur le produit
Type de mémoire Non-volatile Format de mémoire Flash
Technologie ÉCLAIR - NI Capacité de la mémoire 64Mbit
Organisation de mémoire 4M x 16 Interface de mémoire Parallèlement
Fréquence du signal d'horloge 108 mégahertz Écrivez la durée de cycle - Word, page 60ns
Temps d'accès 80 NS Voltage - alimentation 1.7V | 1.95V
Température de fonctionnement -25°C ~ 85°C (TA) Type de montage Monture de surface
Emballage / boîtier 84-VFBGA Paquet de dispositifs fournis par le fournisseur Pour les appareils à compression par induction, les caractéristiques suivantes sont applicables:
Vous pouvez cocher les produits dont vous avez besoin et communiquer avec nous dans le babillard électronique.
Part Number Description
S29WS064RABBHW010 IC FLASH 64MBIT PARALLEL 84FBGA
S29WS064RABBHI000 IC FLASH 64MBIT PARALLEL 84FBGA
S29WS064RABBHI010 IC FLASH 64MBIT PARALLEL 84FBGA
S29WS128P0PBFW000 IC FLASH 128MBIT PARALLEL 84FBGA
S29WS128P0SBFW000 IC FLASH 128MBIT PARALLEL 84FBGA
S29WS256P0PBFW000 IC FLASH 256MBIT PARALLEL 84FBGA
S29WS256P0SBFW000 IC FLASH 256MBIT PARALLEL 84FBGA
S29WS512P0PBFW000 IC FLASH 512MBIT PARALLEL 84FBGA
S29WS512P0SBFW000 IC FLASH 512MBIT PARALLEL 84FBGA
S29WS256P0LBFW000 IC FLASH 256MBIT PAR 84FBGA
S29WS128P0PBFW003 IC FLASH 128MBIT PARALLEL 84FBGA
S29WS256P0SBFW002 IC FLASH 256MBIT PARALLEL 84FBGA
S29WS064RABBHW000 IC FLASH 64MBIT PARALLEL 84FBGA
S29WS064RABBHW010 IC FLASH 64MBIT PARALLEL 84FBGA
S29WS128P0PBAW000 IC FLASH 128MBIT PARALLEL 84FBGA
S29WS128PABBFW000 IC FLASH 128MBIT PAR 84FBGA
S29WS256PABBAW000 IC FLASH 256MBIT PAR 84FBGA
S29WS256PABBFW000 IC FLASH 256MBIT PAR 84FBGA
S29WS512PABBFW000 IC FLASH 512MBIT PAR 84FBGA
S29WS256R0SBHW000 IC FLASH 256MBIT PAR 84FBGA
S29WS256RAABHW000 IC FLASH 256MBIT PAR 84FBGA
S29WS256RAABHW000E IC FLASH 256MBIT PAR 84FBGA
S29WS256RAABHW200E IC FLASH 256MBIT PAR 84FBGA
S29WS512R0SBHW200E IC FLASH 512MBIT PAR 84FBGA
S29WS512R0SBHW000 IC FLASH 512MBIT PAR 84FBGA
S29WS512R0SBHW200 IC FLASH 512MBIT PAR 84FBGA
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Part Number Description
Description de produit

Détails du produit

Description générale

Les Spansion S29WS256/128/064N sont des produits Flash MirrorbitTM fabriqués sur une technologie de processus de 110 nm.Ces périphériques flash en mode burst sont capables d'effectuer des opérations de lecture et d'écriture simultanées avec zéro latence sur deux banques distinctes en utilisant des données et des broches d'adresse séparéesCes produits peuvent fonctionner jusqu'à 80 MHz et utilisent un seul VCC de 1,7 V à 1,95 V, ce qui les rend idéaux pour les applications sans fil exigeantes d'aujourd'hui nécessitant une plus grande densité.une meilleure performance et une consommation d'énergie réduite.

Caractéristiques distinctives

■ lecture/programme/effacement à 1,8 V uniques (1,70 à 1,95 V)
■ Technologie MirrorBitTM à 110 nm
■ Opération de lecture/écriture simultanée avec zéro
latence
■ Buffer d'écriture de 32 mots
■ architecture de 16 bancs composée de 16/8/4
Les termes pour WS256N/128N/064N, respectivement
■ Quatre secteurs de 16 Kword à la fois en haut et en bas de la
séquence de mémoire
■ 254/126/62 64 secteurs de l'industrie (WS256N/128N/
064N)
■ Les modes de lecture en rafale peuvent être programmés
Légendaire pour 32, 16 ou 8 mots Légendaire avec ou
sans enveloppe
Le mode de lecture séquentielle continue
■ Région du secteur SecSiTM (Silicium sécurisé) composée de:
de 128 mots chacun pour l'usine et le client
■ conservation des données pendant 20 ans (typiquement)
■ Endurance au vélo: 100 000 cycles par secteur
(typique)
■ La sortie RDY indique les données disponibles pour le système
■ Un ensemble de commandes compatible avec JEDEC (42.4)
norme
■ Protection matérielle (WP#) du haut et du bas
secteurs
■ Configuration à double secteur de démarrage (en haut et en bas)
■ offres de forfaits
¢ WS064N: FBGA à 80 balles (7 mm x 9 mm)
¢ WS256N/128N: FBGA à 84 boules (8 mm x 11,6 mm)
■ Faible inhibiteur d'écriture du VCC
■ méthodes persistantes et de mot de passe
Protection du secteur
■ Les bits d'état d'écriture indiquent le programme et
opération de suppression terminée
■ Suspendre et reprendre les commandes de programme et
Opérations de suppression
■ Déverrouillez la commande de programme Bypass pour réduire
temps de programmation
■ fonctionnement synchrone ou asynchrone du programme,
indépendant des réglages du registre de contrôle des éclatements
■ Pins d'entrée ACC pour réduire le temps de programmation en usine
■ Prise en charge de l'interface commune Flash (CFI)
■ Plage de température industrielle (usine de contact)

Les spécifications

Attribut Valeur attribuée
Produit de fabrication Cypress Semiconductor
Catégorie de produits Circuits intégrés mémoire
Série Les produits de base
Emballage Plateau
Mode de montage DSM/SMT
Plage de température de fonctionnement - 25 ° C à + 85 ° C
Boîtier de colis *
Température de fonctionnement -25°C à 85°C (TA)
Interface Parallèlement
Appareil de régulation de la tension 10,7 V à 1,95 V
Produit fourni par le fournisseur *
Capacité de mémoire 64 M (4 M x 16)
Type de mémoire Flash - Ni même
Vitesse 108 MHz
L' architecture Secteur
Format-mémoire Flash
La norme Interface flash commune (CFI)
Type d'interface Parallèlement
Organisation du projet 4 M x 16
Le courant d'approvisionnement maximal 44 mA
Largeur du bus de données 16 bits
Voltage d'alimentation maximal 1.95 V
Le système de régulation de la tension d'alimentation doit être conforme à la norme ISO 7638:2003. 1.7 V
Boîtier de colis Le numéro de série:
Fréquence d'horloge maximale 108 MHz
Type de synchronisation Asynchrone Synchrone
Composant fonctionnel compatibleForme,emballage,composant compatible fonctionnel
Partie du fabricant Définition Produit de fabrication Comparer
Le montant de la subvention est calculé en fonction des coûts de production.
La mémoire		 Les données sont fournies par les autorités compétentes de l'État membre dans lequel elles sont situées. Cypress Semiconductor Le montant de la subvention est calculé en fonction des coûts de production et de l'exploitation.
Le montant de la subvention est calculé en fonction de l'évolution de l'activité.
La mémoire		 Les données sont fournies par les autorités compétentes de l'État membre dans lequel elles sont situées. Cypress Semiconductor Le montant de l'impôt sur les sociétés est calculé en fonction du montant de l'impôt sur les sociétés.
Les États membres doivent communiquer à l'autorité compétente les informations suivantes:
La mémoire		 Les données sont fournies par les autorités compétentes de l'État membre dans lequel elles sont situées. Cypress Semiconductor Le montant de la subvention est calculé en fonction des coûts de production et de l'exploitation.
Le montant de l'impôt sur le revenu est calculé en fonction de la valeur de l'impôt.
La mémoire		 Les données sont fournies par les autorités compétentes de l'État membre dans lequel elles sont situées. Cypress Semiconductor Le montant de la subvention est calculé en fonction de l'évolution de l'activité de l'entreprise.
Le nombre d'heures de travail est calculé en fonction de la durée de travail.
La mémoire		 Les données sont fournies par les autorités compétentes de l'État membre dans lequel elles sont situées. Cypress Semiconductor Le montant de l'impôt sur les sociétés est calculé en fonction de l'impôt sur les sociétés.
Le nombre d'heures d'attente est calculé en fonction de la fréquence de l'émission.
La mémoire		 Les données sont fournies par les autorités compétentes de l'État membre dans lequel elles sont situées. Cypress Semiconductor S29WS064RABBHW010 contre S29WS064R0SBHW003
Les États membres peuvent prévoir des mesures de précaution.
La mémoire		 Les données sont fournies par les autorités compétentes de l'État membre dans lequel elles sont situées. Cypress Semiconductor Le montant de la subvention est calculé en fonction de l'évolution de l'activité.
Les États membres doivent communiquer à l'autorité compétente les informations suivantes:
La mémoire		 Les données sont fournies par les autorités compétentes de l'État membre dans lequel elles sont situées. Cypress Semiconductor Le montant de l'impôt sur les sociétés est calculé en fonction de l'impôt sur les sociétés.
S29WS064RABBHW003 Les États membres doivent fournir aux autorités compétentes les informations suivantes:
La mémoire		 Les données sont fournies par les autorités compétentes de l'État membre dans lequel elles sont situées. Cypress Semiconductor Le montant de l'impôt sur les sociétés est calculé en fonction de l'impôt sur les sociétés.
Le nombre total d'émissions de CO2 est déterminé par la méthode suivante:
La mémoire		 Les données sont fournies par les autorités compétentes de l'État membre dans lequel elles sont situées. Cypress Semiconductor Le montant de l'aide est calculé en fonction de la valeur de l'aide accordée.

Décrits

Flash - NOR mémoire IC 64 Mb (4M x 16) parallèle 108 MHz 80ns 84-FBGA (11.6x8)
NOR Flash parallèle 1.8V 64M-bit 4M x 16 80ns plateau TFBGA à 84 broches
Mémoire flash
Étiquettes:

Mémoire instantanée stable IC

Mémoire instantanée IC non volatil

Mémoire INSTANTANÉE IC de SPI