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AS4C16M32MD1-5BCN IC DRAM 512MBIT PARALLEL 90FBGA Alliance Memory, Inc. Il est fourni par le fournisseur d'accès à l'équipement.
| Nom de marque | Alliance Memory, Inc. |
|---|---|
| Numéro de modèle | Pour les appareils à commande numérique, le numéro d'immatriculation est le numéro d'immatriculation |
| Quantité de commande min | 1 |
| Prix | Based on current price |
| Détails d'emballage | sacs antistatiques et boîtes en carton |
| Délai de livraison | 3 à 5 jours ouvrables |
| Conditions de paiement | T/T |
| Capacité d'approvisionnement | En stock |
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Whatsapp:0086 18588475571
wechat: 0086 18588475571
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xDétails sur le produit
| Type de mémoire | Volatil | Format de mémoire | DRACHME |
|---|---|---|---|
| Technologie | SDRAM - LPDDR mobile | Capacité de la mémoire | 512Mbit |
| Organisation de mémoire | 16M x 32 | Interface de mémoire | Parallèlement |
| Fréquence du signal d'horloge | 200 MHz | Écrivez la durée de cycle - Word, page | 15ns |
| Temps d'accès | 5 NS | Voltage - alimentation | 1.7V | 1.95V |
| Température de fonctionnement | -25°C | 85°C (TJ) | Type de montage | Monture de surface |
| Emballage / boîtier | 90-VFBGA | Paquet de dispositifs fournis par le fournisseur | Pour les appareils à commande numérique: |
Vous pouvez cocher les produits dont vous avez besoin et communiquer avec nous dans le babillard électronique.
| Part Number | Description | |
|---|---|---|
| AS4C16M32MD1-5BCN | IC DRAM 512MBIT PARALLEL 90FBGA | |
| AS4C16M32MSA-6BIN | IC DRAM 512MBIT PARALLEL 90FBGA | |
| AS4C64M32MD1-5BCN | IC DRAM 2GBIT PARALLEL 90FBGA | |
| AS4C32M32MD1A-5BIN | IC DRAM 1GBIT PARALLEL 90FBGA | |
| AS4C16M32MD1-5BCNTR | IC DRAM 512MBIT PARALLEL 90FBGA | |
| AS4C4M32MSA-6BINTR | IC DRAM 128MBIT PARALLEL 90FBGA | |
| AS4C16M32MD1-5BINTR | IC DRAM 512MBIT PARALLEL 90FBGA | |
| AS4C4M32MSA-6BIN | IC DRAM 128MBIT PARALLEL 90FBGA | |
| AS4C16M32MD1-5BIN | IC DRAM 512MBIT PARALLEL 90FBGA | |
| AS4C8M32MSA-6BINTR | IC DRAM 256MBIT PARALLEL 90FBGA | |
| AS4C16M32MSA-6BINTR | IC DRAM 512MBIT PARALLEL 90FBGA | |
| AS4C8M32MSA-6BIN | IC DRAM 256MBIT PARALLEL 90FBGA | |
| AS4C32M32MD1A-5BINTR | IC DRAM 1GBIT PARALLEL 90FBGA | |
| AS4C64M32MD1-5BCNTR | IC DRAM 2GBIT PARALLEL 90FBGA | |
| AS4C64M32MD1-5BINTR | IC DRAM 2GBIT PARALLEL 90FBGA | |
| AS4C64M32MD1-5BIN | IC DRAM 2GBIT PARALLEL 90FBGA | |
| AS4C32M32MD1-5BCN | IC DRAM 1GBIT PARALLEL 90FBGA | |
| AS4C32M32MD1-5BCNTR | IC DRAM 1GBIT PARALLEL 90FBGA | |
| AS4C32M32MD1-5BIN | IC DRAM 1GBIT PARALLEL 90FBGA | |
| AS4C32M32MD1-5BINTR | IC DRAM 1GBIT PARALLEL 90FBGA | |
| AS4C16M32MS-7BCN | IC DRAM 512MBIT PARALLEL 90FBGA | |
| AS4C16M32MS-6BIN | IC DRAM 512MBIT PARALLEL 90FBGA | |
| AS4C16M32MS-6BINTR | IC DRAM 512MBIT PARALLEL 90FBGA | |
| AS4C16M32MS-7BCNTR | IC DRAM 512MBIT PARALLEL 90FBGA |
Description de produit
Détails du produit
Caractéristiques
• organisation: 1,048,576 mots × 4 bits• Haute vitesse
- 40/50/60/70 ns de temps d'accès au RAS
- 20/25/30/35 ns Temps d'accès à l'adresse de colonne
- 10/13/15/18 ns Temps d'accès au CAS
• Faible consommation électrique
- Actif: 385 mW maximum (-60)
- En veille: 5,5 mW maximum, I/O CMOS
• Mode de page rapide (AS4C14400) ou EDO (AS4C14405)
• 1024 cycles de mise à jour, intervalle de mise à jour de 16 ms
- Récupération du RAS uniquement ou du CAS avant le RAS
• Lire-modifier-écrire
• compatibles avec TTL, I/O à trois états
• les paquets standard de la JEDEC
- 300 mil, 20/26 broches de SOJ
- 300 millilitres, 20/26 épingles
• alimentation à 5 V unique
• Protection contre les DSE ≥ 2001V
• Courant de verrouillage ≥ 200 mA
Les spécifications
| Attribut | Valeur attribuée |
|---|---|
| Produit de fabrication | Alliance Memory, Inc. Elle est une entreprise de renommée mondiale. |
| Catégorie de produits | Circuits intégrés mémoire |
| Série | - |
| Emballage | Emballage de remplacement de plateau |
| Boîtier de colis | 90 VFBGA |
| Température de fonctionnement | -25°C à 85°C (TJ) |
| Interface | Parallèlement |
| Appareil de régulation de la tension | 10,7 V à 1,95 V |
| Produit fourni par le fournisseur | Pour les appareils à commande numérique: |
| Capacité de mémoire | 512M (16M x 32) |
| Type de mémoire | SDRAM DDR mobiles |
| Vitesse | 200 MHz |
| Format-mémoire | La RAM |
Décrits
SDRAM - mémoire LPDDR mobile IC 512 Mb (16M x 32) parallèle 200 MHz 5ns 90-FBGA (8x13)
DRAM 512M, 1.8V, 200Mhz 16M x 32 DDR mobile
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