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xType de mémoire | Volatil | Format de mémoire | SRAM |
---|---|---|---|
La technologie | SRAM - double port, synchrone | Capacité de la mémoire | 36Mbit |
Organisation de mémoire | 2M x 18 | Interface de mémoire | Parallèlement |
Fréquence du signal d'horloge | 167 mégahertz | Écrivez la durée de cycle - Word, page | - |
Temps d'accès | 4 NS | Voltage - alimentation | 1Pour les appareils à commande numérique, le réglage de la tension doit être effectué à l'aide d'un |
Température de fonctionnement | Pour les appareils de traitement des eaux usées: | Type de montage | Monture de surface |
Emballage / boîtier | 484-FBGA | Paquet de dispositifs fournis par le fournisseur | Le numéro de série est le numéro de série de l'appareil |
Part Number | Description | |
---|---|---|
CYD36S18V18-167BGXC | IC SRAM 36MBIT PAR 484PBGA | |
CYD09S72V18-200BGXI | IC SRAM 9MBIT PARALLEL 484PBGA | |
CYD18S72V18-167BGI | IC SRAM 18MBIT PAR 484PBGA | |
CYD18S72V18-167BGC | IC SRAM 18MBIT PAR 484PBGA | |
CYD18S72V18-167BGXC | IC SRAM 18MBIT PAR 484PBGA | |
CYD36S36V18-200BGXC | IC SRAM 36MBIT PARALLEL 484PBGA | |
CYD36S72V18-167BGXI | IC SRAM 36MBIT PAR 484PBGA | |
CYD36S72V18-200BGXC | IC SRAM 36MBIT PARALLEL 484PBGA | |
CYD36S18V18-167BGXI | IC SRAM 36MBIT PARALLEL 484FBGA | |
CYD18S72V18-200BGI | IC SRAM 18MBIT PARALLEL 484PBGA | |
CYD18S72V18-200BGXI | IC SRAM 18MBIT PARALLEL 484PBGA | |
CYD09S72V18-200BGXI | IC SRAM 9MBIT PARALLEL 484PBGA | |
CYD36S18V18-167BGXC | IC SRAM 36MBIT PAR 484PBGA | |
CYD36S18V18-200BGXC | IC SRAM 36MBIT PARALLEL 484PBGA | |
CYD36S36V18-167BGXC | IC SRAM 36MBIT PAR 484PBGA | |
CYD36S36V18-167BGXI | IC SRAM 36MBIT PAR 484PBGA | |
CYD36S36V18-200BGXC | IC SRAM 36MBIT PARALLEL 484PBGA | |
CYD36S72V18-167BGXC | IC SRAM 36MBIT PAR 484PBGA | |
CYD36S72V18-167BGXI | IC SRAM 36MBIT 167MHZ 484FBGA | |
CYD36S72V18-200BGXC | IC SRAM 36MBIT PARALLEL 484PBGA | |
CYD18S72V18-167BGC | IC SRAM 18MBIT PAR 484PBGA | |
CYD18S72V18-167BGXC | IC SRAM 18MBIT PAR 484PBGA | |
CYD18S72V18-167BGI | IC SRAM 18MBIT PAR 484PBGA |
Détails du produit
Résistances de précision axiales au plomb
La gamme Holco de résistances à film métallique de précision répond à l'exigence de composants à prix économique pour des applications industrielles et militaires.L'installation de fabrication utilise des procédés de production étroitement contrôlés, y compris le revêtement par pulvérisation de films d'alliages métalliques sur des substrats céramiques.Un revêtement époxy est appliqué pour la protection environnementale et mécanique.Commercialement, la série est disponible en deux tailles de boîtier, de 1 ohm à 4M ohms, des tolérances de 0,05% à 1% et des TCR de 5 ppm/°C à 100 ppm/°C. Offert avec la libération à la BS CECC 40101 004, 030 et 804, le H8 est disponible par la distribution.
Principales caractéristiques
■ Ultra précision - Jusqu'à 0,05%■ Ensembles adaptés à 2 ppm/°C
■ Résiste à l'impulsion
■ Faible réactivité
■ TCR faible - Jusqu'à 5 ppm/°C
■ Stabilité à long terme
■ Jusqu'à 1 Watt à 70 °C
■ Publié au CECC 40101 004, 030 et 804
Les spécifications
Attribut | Valeur attribuée |
---|---|
Produit de fabrication | Cypress Semiconductor |
Catégorie de produits | Circuits intégrés mémoire |
Série | - |
Emballage | Plateau |
Boîtier de colis | 484-FBGA |
Température de fonctionnement | Pour les appareils de traitement des eaux usées: |
Interface | Parallèlement |
Appareil de régulation de la tension | 1Pour les appareils à commande numérique, la valeur de l'échantillon doit être égale ou supérieure à 0,42 V. |
Produit fourni par le fournisseur | Le nombre de points de contact est le suivant: |
Capacité de mémoire | 36 M (2 M x 18) |
Type de mémoire | SRAM - double port, synchrone |
Vitesse | 167 MHz |
Format-mémoire | La RAM |