W9725G8KB-25 TR IC DRAM 256MBIT PARALÈL 60WBGA Électronique de Winbond

Nom de marque Winbond Electronics
Numéro de modèle Le nombre d'hectares est calculé en fonction du nombre d'hectares.
Quantité de commande min 1
Prix Based on current price
Détails d'emballage sacs antistatiques et boîtes en carton
Délai de livraison 3 à 5 jours ouvrables
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Détails sur le produit
Type de mémoire Volatil Format de mémoire DRACHME
La technologie SDRAM-DDR2 Capacité de la mémoire 256Mbit
Organisation de mémoire 32M x 8 Interface de mémoire Parallèlement
Fréquence du signal d'horloge 200 MHz Écrivez la durée de cycle - Word, page 15ns
Temps d'accès 400 picosecondes Voltage - alimentation 1.7V à 1.9V
Température de fonctionnement 0°C | 85°C (COMITÉ TECHNIQUE) Type de montage Monture de surface
Emballage / boîtier 60-TFBGA Paquet de dispositifs fournis par le fournisseur Pour les appareils à commande numérique:
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Part Number Description
W9725G8KB-25 TR IC DRAM 256MBIT PARALLEL 60WBGA
W9725G8KB-18 TR IC DRAM 256MBIT PAR 60WBGA
W9725G8KB25I TR IC DRAM 256MBIT PARALLEL 60WBGA
W9725G8KB-25 IC DRAM 256MBIT PARALLEL 60WBGA
W9725G8KB-18 IC DRAM 256MBIT PAR 60WBGA
W9725G8KB25I IC DRAM 256MBIT PARALLEL 60WBGA
W971GG8NB25I TR IC DRAM 1GBIT SSTL 18 60VFBGA
W971GG8NB-25 TR IC DRAM 1GBIT SSTL 18 60VFBGA
W971GG8NB-25 IC DRAM 1GBIT SSTL 18 60VFBGA
W971GG8NB25I IC DRAM 1GBIT SSTL 18 60VFBGA
W971GG8JB-25 IC DRAM 1GBIT PARALLEL 60WBGA
W971GG8KB-25 IC DRAM 1GBIT PARALLEL 60WBGA
W971GG8KB25I IC DRAM 1GBIT PARALLEL 60WBGA
W9751G8KB-25 IC DRAM 512MBIT PARALLEL 60WBGA
W9751G8KB25I IC DRAM 512MBIT PARALLEL 60WBGA
W971GG8JB25I IC DRAM 1GBIT PARALLEL 60WBGA
W971GG8SB-25 IC DRAM 1GBIT PARALLEL 60WBGA
W971GG8SB25I IC DRAM 1GBIT PARALLEL 60WBGA
W971GG8KB-25 TR IC DRAM 1GBIT PARALLEL 60WBGA
W971GG8KB25I TR IC DRAM 1GBIT PARALLEL 60WBGA
W971GG8SB-25 TR IC DRAM 1GBIT PARALLEL 60WBGA
W971GG8SB25I TR IC DRAM 1GBIT PARALLEL 60WBGA
W9751G8KB-25 TR IC DRAM 512MBIT PARALLEL 60WBGA
W9751G8KB25I TR IC DRAM 512MBIT PARALLEL 60WBGA
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Part Number Description
Description de produit

Détails du produit

Définition générale

Le W9725G8JB est une RAM SDR2 DDR2 de 256 M bits, organisée en 8,388,608 mots x 4 banques x 8 bits. Cet appareil atteint des vitesses de transfert à haute vitesse allant jusqu'à 1066Mb/sec/pin (DDR2-1066) pour des applications générales.25I et -3Le -18 est conforme à la spécification DDR2-1066 (7-7-7).Les -25/25I sont conformes aux spécifications DDR2-800 (5-5-5) ou DDR2-800 (6-6-6) (la qualité industrielle de 25I qui est garantie pour supporter -40°C ≤ TCASE ≤ 95°C)Le -3 est conforme à la spécification DDR2-667 (5-5-5).

Caractéristiques

• alimentation électrique: VDD, VDDQ = 1,8 V ± 0,1 V
• Architecture à double débit de données: deux transferts de données par cycle d'horloge
• CAS latence: 3, 4, 5, 6 et 7
• Longueur de l'explosion: 4 et 8
• Les strobes bidirectionnelles et différentielles (DQS et DQS) sont transmises/reçues avec les données
• Bordée alignée avec les données de lecture et centre alignée avec les données d'écriture
• DLL aligne les transitions DQ et DQS avec l'horloge
• Entrées d'horloge différentielle (CLK et CLK)
• Masques de données (DM) pour l'écriture des données.
• Les commandes entrées sur chaque bord CLK positif, les données et le masque de données sont référencées sur les deux bords du DQS
• La latence additive programmable CAS publiée est prise en charge pour rendre l'efficacité du bus de commande et de données
• Lecture de la latence = latence additive plus latence CAS (RL = AL + CL)
• Réglage de l'impédance hors puce-conducteur (OCD) et de la terminaison à l'arrêt (ODT) pour une meilleure qualité du signal
• Opération de précharge automatique pour les rafales de lecture et d'écriture
• Mode de mise à jour automatique et de mise à jour automatique
• Désactivation préchargée et active
• Écrire un masque de données
• Écrire la latence = Lire la latence - 1 (WL = RL - 1)
• Interface: SSTL_18
• Emballé en WBGA 60 Ball (8X12,5 mm2), avec des matériaux sans plomb et conformes à la norme RoHS

Les spécifications

Attribut Valeur attribuée
Produit de fabrication Électronique Winbond
Catégorie de produits Circuits intégrés mémoire
Série -
Emballage Emballages de remplacement en ruban adhésif et bobine (TR)
Boîtier de colis 60 - TFBGA
Température de fonctionnement 0°C à 85°C (TC)
Interface Parallèlement
Appareil de régulation de la tension 10,7 V à 1,9 V
Produit fourni par le fournisseur Pour les appareils à commande numérique:
Capacité de mémoire 256 M (32 M x 8)
Type de mémoire La mémoire SDRAM DDR2
Vitesse 2.5ns
Format-mémoire La RAM

Décrits

SDRAM - mémoire DDR2 IC 256 Mb (32M x 8) parallèle 200 MHz 400ps 60-WBGA (8x12.5)
La carte SD est un fichier de type DDR2.