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W9725G8KB-25 TR IC DRAM 256MBIT PARALÈL 60WBGA Électronique de Winbond
Nom de marque | Winbond Electronics |
---|---|
Numéro de modèle | Le nombre d'hectares est calculé en fonction du nombre d'hectares. |
Quantité de commande min | 1 |
Prix | Based on current price |
Détails d'emballage | sacs antistatiques et boîtes en carton |
Délai de livraison | 3 à 5 jours ouvrables |
Conditions de paiement | T/T |
Capacité d'approvisionnement | En stock |

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xDétails sur le produit
Type de mémoire | Volatil | Format de mémoire | DRACHME |
---|---|---|---|
La technologie | SDRAM-DDR2 | Capacité de la mémoire | 256Mbit |
Organisation de mémoire | 32M x 8 | Interface de mémoire | Parallèlement |
Fréquence du signal d'horloge | 200 MHz | Écrivez la durée de cycle - Word, page | 15ns |
Temps d'accès | 400 picosecondes | Voltage - alimentation | 1.7V à 1.9V |
Température de fonctionnement | 0°C | 85°C (COMITÉ TECHNIQUE) | Type de montage | Monture de surface |
Emballage / boîtier | 60-TFBGA | Paquet de dispositifs fournis par le fournisseur | Pour les appareils à commande numérique: |
Vous pouvez cocher les produits dont vous avez besoin et communiquer avec nous dans le babillard électronique.
Part Number | Description | |
---|---|---|
W9725G8KB-25 TR | IC DRAM 256MBIT PARALLEL 60WBGA | |
W9725G8KB-18 TR | IC DRAM 256MBIT PAR 60WBGA | |
W9725G8KB25I TR | IC DRAM 256MBIT PARALLEL 60WBGA | |
W9725G8KB-25 | IC DRAM 256MBIT PARALLEL 60WBGA | |
W9725G8KB-18 | IC DRAM 256MBIT PAR 60WBGA | |
W9725G8KB25I | IC DRAM 256MBIT PARALLEL 60WBGA | |
W971GG8NB25I TR | IC DRAM 1GBIT SSTL 18 60VFBGA | |
W971GG8NB-25 TR | IC DRAM 1GBIT SSTL 18 60VFBGA | |
W971GG8NB-25 | IC DRAM 1GBIT SSTL 18 60VFBGA | |
W971GG8NB25I | IC DRAM 1GBIT SSTL 18 60VFBGA | |
W971GG8JB-25 | IC DRAM 1GBIT PARALLEL 60WBGA | |
W971GG8KB-25 | IC DRAM 1GBIT PARALLEL 60WBGA | |
W971GG8KB25I | IC DRAM 1GBIT PARALLEL 60WBGA | |
W9751G8KB-25 | IC DRAM 512MBIT PARALLEL 60WBGA | |
W9751G8KB25I | IC DRAM 512MBIT PARALLEL 60WBGA | |
W971GG8JB25I | IC DRAM 1GBIT PARALLEL 60WBGA | |
W971GG8SB-25 | IC DRAM 1GBIT PARALLEL 60WBGA | |
W971GG8SB25I | IC DRAM 1GBIT PARALLEL 60WBGA | |
W971GG8KB-25 TR | IC DRAM 1GBIT PARALLEL 60WBGA | |
W971GG8KB25I TR | IC DRAM 1GBIT PARALLEL 60WBGA | |
W971GG8SB-25 TR | IC DRAM 1GBIT PARALLEL 60WBGA | |
W971GG8SB25I TR | IC DRAM 1GBIT PARALLEL 60WBGA | |
W9751G8KB-25 TR | IC DRAM 512MBIT PARALLEL 60WBGA | |
W9751G8KB25I TR | IC DRAM 512MBIT PARALLEL 60WBGA |
Description de produit
Détails du produit
Définition générale
Le W9725G8JB est une RAM SDR2 DDR2 de 256 M bits, organisée en 8,388,608 mots x 4 banques x 8 bits. Cet appareil atteint des vitesses de transfert à haute vitesse allant jusqu'à 1066Mb/sec/pin (DDR2-1066) pour des applications générales.25I et -3Le -18 est conforme à la spécification DDR2-1066 (7-7-7).Les -25/25I sont conformes aux spécifications DDR2-800 (5-5-5) ou DDR2-800 (6-6-6) (la qualité industrielle de 25I qui est garantie pour supporter -40°C ≤ TCASE ≤ 95°C)Le -3 est conforme à la spécification DDR2-667 (5-5-5).
Caractéristiques
• alimentation électrique: VDD, VDDQ = 1,8 V ± 0,1 V• Architecture à double débit de données: deux transferts de données par cycle d'horloge
• CAS latence: 3, 4, 5, 6 et 7
• Longueur de l'explosion: 4 et 8
• Les strobes bidirectionnelles et différentielles (DQS et DQS) sont transmises/reçues avec les données
• Bordée alignée avec les données de lecture et centre alignée avec les données d'écriture
• DLL aligne les transitions DQ et DQS avec l'horloge
• Entrées d'horloge différentielle (CLK et CLK)
• Masques de données (DM) pour l'écriture des données.
• Les commandes entrées sur chaque bord CLK positif, les données et le masque de données sont référencées sur les deux bords du DQS
• La latence additive programmable CAS publiée est prise en charge pour rendre l'efficacité du bus de commande et de données
• Lecture de la latence = latence additive plus latence CAS (RL = AL + CL)
• Réglage de l'impédance hors puce-conducteur (OCD) et de la terminaison à l'arrêt (ODT) pour une meilleure qualité du signal
• Opération de précharge automatique pour les rafales de lecture et d'écriture
• Mode de mise à jour automatique et de mise à jour automatique
• Désactivation préchargée et active
• Écrire un masque de données
• Écrire la latence = Lire la latence - 1 (WL = RL - 1)
• Interface: SSTL_18
• Emballé en WBGA 60 Ball (8X12,5 mm2), avec des matériaux sans plomb et conformes à la norme RoHS
Les spécifications
Attribut | Valeur attribuée |
---|---|
Produit de fabrication | Électronique Winbond |
Catégorie de produits | Circuits intégrés mémoire |
Série | - |
Emballage | Emballages de remplacement en ruban adhésif et bobine (TR) |
Boîtier de colis | 60 - TFBGA |
Température de fonctionnement | 0°C à 85°C (TC) |
Interface | Parallèlement |
Appareil de régulation de la tension | 10,7 V à 1,9 V |
Produit fourni par le fournisseur | Pour les appareils à commande numérique: |
Capacité de mémoire | 256 M (32 M x 8) |
Type de mémoire | La mémoire SDRAM DDR2 |
Vitesse | 2.5ns |
Format-mémoire | La RAM |
Décrits
SDRAM - mémoire DDR2 IC 256 Mb (32M x 8) parallèle 200 MHz 400ps 60-WBGA (8x12.5)
La carte SD est un fichier de type DDR2.
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