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MR4A16BYS35 IC RAM 16MBIT PARALLEL 54TSOP2 Everspin Technologies Inc. est une société américaine de technologie de l'information.
| Nom de marque | Everspin Technologies Inc. |
|---|---|
| Numéro de modèle | Le numéro d'immatriculation du véhicule: |
| Quantité de commande min | 1 |
| Prix | Based on current price |
| Détails d'emballage | sacs antistatiques et boîtes en carton |
| Délai de livraison | 3 à 5 jours ouvrables |
| Conditions de paiement | T/T |
| Capacité d'approvisionnement | En stock |
Détails sur le produit
| Type de mémoire | Non-volatile | Format de mémoire | La RAM |
|---|---|---|---|
| Technologie | une résistance à la combustion de l'air supérieure ou égale à 1 kPa; | Capacité de la mémoire | 16Mbit |
| Organisation de mémoire | 1M x 16 | Interface de mémoire | Parallèlement |
| Fréquence du signal d'horloge | - | Écrivez la durée de cycle - Word, page | 35ns |
| Temps d'accès | 35 NS | Voltage - alimentation | 3V à 3,6V |
| Température de fonctionnement | Pour les appareils de traitement des eaux usées: | Type de montage | Monture de surface |
| Emballage / boîtier | 54-TSOP (0,400", largeur de 10.16mm) | Paquet de dispositifs fournis par le fournisseur | Le nombre d'équipements |
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| Part Number | Description | |
|---|---|---|
| NDS66PT5-16IT TR | IC DRAM 64MBIT PAR 54TSOP II | |
| NDS36PT5-16IT TR | IC DRAM 256MBIT PAR 54TSOP II | |
| MR4A16BYS35 | IC RAM 16MBIT PARALLEL 54TSOP2 | |
| MR5A16ACYS35 | IC RAM 32MBIT PARALLEL 54TSOP2 | |
| NDS36PT5-20ET TR | IC DRAM 256MBIT PAR 54TSOP II | |
| NDS76PT5-16IT TR | IC DRAM 128MBIT PAR 54TSOP II | |
| NDS76PT5-20IT TR | IC DRAM 128MBIT PAR 54TSOP II | |
| NDS36PT5-16ET TR | IC DRAM 256MBIT PAR 54TSOP II | |
| MR4A16BCYS35R | IC RAM 16MBIT PARALLEL 54TSOP2 | |
| NDS66PT5-16ET TR | IC DRAM 64MBIT PAR 54TSOP II | |
| MR4A16BCYS35 | IC RAM 16MBIT PARALLEL 54TSOP2 | |
| MR3A16ACYS35 | IC RAM 8MBIT PARALLEL 54TSOP2 | |
| MR3A16AYS35R | IC RAM 8MBIT PARALLEL 54TSOP2 | |
| MR3A16AYS35 | IC RAM 8MBIT PARALLEL 54TSOP2 | |
| MR3A16ACYS35R | IC RAM 8MBIT PARALLEL 54TSOP2 | |
| MR4A16BYS35R | IC RAM 16MBIT PARALLEL 54TSOP2 | |
| MR3A16AUYS45R | IC RAM 8MBIT PARALLEL 54TSOP2 | |
| MR3A16AUYS45 | IC RAM 8MBIT PARALLEL 54TSOP2 | |
| MR5A16AYS35R | IC RAM 32MBIT PARALLEL 54TSOP2 | |
| MR5A16AYS35 | IC RAM 32MBIT PARALLEL 54TSOP2 | |
| MR5A16ACYS35R | IC RAM 32MBIT PARALLEL 54TSOP2 | |
| MR5A16AUYS45R | IC RAM 32MBIT PARALLEL 54TSOP2 | |
| MR5A16AUYS45 | IC RAM 32MBIT PARALLEL 54TSOP2 |
Description de produit
Détails du produit
MR3 Ensembles de lampes réfléchissantes
MR4 Ensembles de lampes réfléchissantes
MR6 Ensembles de lampes réfléchissantes
Ensembles de réflecteurs de mise au point réglables
Les spécifications
| Attribut | Valeur attribuée |
|---|---|
| Produit de fabrication | - Je ne sais pas. |
| Catégorie de produits | Circuits intégrés mémoire |
| Série | Le numéro de série est le numéro de série. |
| Emballage | Emballage de remplacement de plateau |
| Mode de montage | DSM/SMT |
| Boîtier de colis | La taille de l'échantillon doit être comprise entre 5 mm et 10 mm. |
| Température de fonctionnement | Pour les appareils de traitement des eaux usées: |
| Interface | Parallèlement |
| Appareil de régulation de la tension | 3 V à 3,6 V |
| Produit fourni par le fournisseur | Le nombre d'équipements |
| Capacité de mémoire | 16M (1M x 16) |
| Type de mémoire | une résistance à la combustion de l'air supérieure ou égale à 1 kPa; |
| Vitesse | 35 ans |
| Temps d'accès | 35 ns |
| Format-mémoire | La RAM |
| Température de fonctionnement maximale | + 70 °C |
| Plage de température de fonctionnement | 0 C |
| Courant d'alimentation en fonctionnement | 110 mA |
| Type d'interface | Parallèlement |
| Organisation du projet | 1 M x 16 |
| Largeur du bus de données | 16 bits |
| Voltage d'alimentation maximal | 3.6 V |
| Le système de régulation de la tension d'alimentation doit être conforme à la norme ISO 7638:2003. | 3 V |
| Boîtier de colis | Le TSOP-54 |
| Partie du fabricant | Définition | Produit de fabrication | Comparer |
| Le numéro d'immatriculation du véhicule est: La mémoire |
Circuit de mémoire, 1MX16, CMOS, PDSO54, TSOP2-54 | Des technologies Everspin | Les données sont fournies par les autorités compétentes. |
| Le numéro de série est le numéro de série de l'appareil La mémoire |
Circuit de mémoire, 1MX16, CMOS, PDSO54, TSOP2-54 | Des technologies Everspin | Les résultats de l'analyse de l'efficacité de l'émission de dioxyde de carbone sont présentés dans le tableau ci-dessous. |
| Le numéro de série est le numéro de série. La mémoire |
Circuit de mémoire, 1MX16, CMOS, PDSO54, conforme à la réglementation ROHS, MS-024, TSOP2-54 | Des technologies Everspin | Les résultats de l'analyse de l'efficacité de l'émission de dioxyde de carbone sont présentés dans les tableaux suivants: |
| Les données sont fournies par les autorités compétentes. La mémoire |
Circuit de mémoire, 1MX16, CMOS, PDSO54, conforme à la réglementation ROHS, MS-024, TSOP2-54 | Des technologies Everspin | Les résultats de l'analyse de l'efficacité de la méthode de dépistage de l'ADN doivent être présentés dans le tableau 1 ci-après. |
| Le code de dépôt est le code de dépôt de l'organisme. La mémoire |
Circuit de mémoire, 1MX16, CMOS, PDSO54, TSOP2-54 | Des technologies Everspin | Les résultats de l'analyse de l'efficacité de la méthode de dépistage de l'ADN doivent être présentés dans le dossier de référence. |
Décrits
MRAM (RAM magnétorésistive) mémoire IC 16 Mb (1M x 16) parallèle 35ns 54-TSOP2
MRAM 16Mbit parallèle 3.3V 54-Pin TSOP
NVRAM 16Mb 3.3V 35ns 1Mx16 MRAM parallèle
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