IS63WV1024BLL-12TLI IC SRAM 1MBIT PARALLEL 32TSOP II ISSI, Solution intégrée au silicium inc.

Nom de marque ISSI, Integrated Silicon Solution Inc
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Détails d'emballage sacs antistatiques et boîtes en carton
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Détails sur le produit
Type de mémoire Volatil Format de mémoire SRAM
Technologie SRAM - Asynchrone Capacité de la mémoire 1Mbit
Organisation de mémoire 128K X 8 Interface de mémoire Parallèlement
Fréquence du signal d'horloge - Écrivez la durée de cycle - Word, page 12ns
Temps d'accès 12 ns Voltage - alimentation 3V à 3,6V
Température de fonctionnement -40°C à 85°C (TA) Type de montage Monture de surface
Emballage / boîtier 32 SOIC (0,400", largeur de 10,16 mm) Paquet de dispositifs fournis par le fournisseur 32-TSOP II
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Part Number Description
IS63WV1024BLL-12TLI IC SRAM 1MBIT PARALLEL 32TSOP II
IS62WV5128BLL-55T2LI IC SRAM 4MBIT PARALLEL 32TSOP II
IS61C5128AS-25TLI IC SRAM 4MBIT PARALLEL 32TSOP II
IS61WV1288EEBLL-10TLI IC SRAM 1MBIT PARALLEL 32TSOP II
IS63WV1288DBLL-10TLI-TR IC SRAM 1MBIT PARALLEL 32TSOP II
IS61WV1288EEBLL-10TLI-TR IC SRAM 1MBIT PARALLEL 32TSOP II
IS63WV1024BLL-12TLI-TR IC SRAM 1MBIT PARALLEL 32TSOP II
IS63WV1288DBLL-10TLI IC SRAM 1MBIT PARALLEL 32TSOP II
IS62WV5128BLL-55T2LI-TR IC SRAM 4MBIT PARALLEL 32TSOP II
IS61C5128AS-25TLI-TR IC SRAM 4MBIT PARALLEL 32TSOP II
IS62WV5128BLL-55T2I IC SRAM 4MBIT PARALLEL 32TSOP II
IS62WV5128BLL-55T2I-TR IC SRAM 4MBIT PARALLEL 32TSOP II
IS63LV1024L-10T IC SRAM 1MBIT PARALLEL 32TSOP II
IS63LV1024L-10T-TR IC SRAM 1MBIT PARALLEL 32TSOP II
IS63LV1024L-10TL IC SRAM 1MBIT PARALLEL 32TSOP II
IS63LV1024L-10TL-TR IC SRAM 1MBIT PARALLEL 32TSOP II
IS63LV1024L-10TLI IC SRAM 1MBIT PARALLEL 32TSOP II
IS63LV1024L-10TLI-TR IC SRAM 1MBIT PARALLEL 32TSOP II
IS62WV5128DBLL-45T2LI IC SRAM 4MBIT PARALLEL 32TSOP II
IS62C5128BL-45TLI IC SRAM 4MBIT PARALLEL 32TSOP II
IS62C5128BL-45TLI-TR IC SRAM 4MBIT PARALLEL 32TSOP II
IS62WV5128DBLL-45T2LI-TR IC SRAM 4MBIT PARALLEL 32TSOP II
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Part Number Description
Description de produit

Détails du produit

Définition

L'ICSI IS63LV1024 est une mémoire vive statique CMOS de 8 bits de 131.072 mots et de faible puissance.Ce procédé hautement fiable couplé à des techniques innovantes de conception de circuits, produit des dispositifs plus performants et à faible consommation d'énergie.

Caractéristiques

• Temps d'accès à grande vitesse: 8, 10, 12 et 15 ns
• Processus CMOS à haute performance et à faible consommation
• Multiple alimentation centrale et épingles de terre pour une meilleure immunité au bruit
• Extension facile de la mémoire avec les options CE et OE
• Désactivation de l'appareil CE
• Fonctionnement entièrement statique: pas besoin d'horloge ni de rafraîchissement
• Les entrées et sorties compatibles avec TTL
• alimentation unique de 3,3 V
• Forfaits disponibles:


¢ 32 broches et 400 millimètres

Les spécifications

Attribut Valeur attribuée
Produit de fabrication Le secteur privé
Catégorie de produits Circuits intégrés mémoire
Série Le nombre d'émissions de CO2 est déterminé par la méthode suivante:
Le type Asynchrone
Emballage Emballage de remplacement de plateau
Mode de montage DSM/SMT
Boîtier de colis 32 SOIC (0,400", largeur de 10,16 mm)
Température de fonctionnement -40°C à 85°C (TA)
Interface Parallèlement
Appareil de régulation de la tension 3 V à 3,6 V
Produit fourni par le fournisseur 32-TSOP II
Capacité de mémoire 1M (128K x 8)
Type de mémoire SRAM - Asynchrone
Vitesse 12 ans
Taux de données Les DTS
Temps d'accès 12 ns
Format-mémoire La RAM
Température de fonctionnement maximale + 85 C
Plage de température de fonctionnement - Quarante degrés.
Type d'interface Parallèlement
Organisation du projet 128 k x 8
Le courant d'approvisionnement maximal 45 mA
Voltage d'alimentation maximal 3.63 V
Le système de régulation de la tension d'alimentation doit être conforme à la norme ISO 7638:2003. 2.97 V
Boîtier de colis Le dépôt de la demande est effectué par la société.

Composant fonctionnel compatible

Forme,emballage,composant compatible fonctionnel

Partie du fabricant Définition Produit de fabrication Comparer
Les États membres doivent communiquer à l'autorité compétente les informations suivantes:
La mémoire
Une RAM standard, 128KX8, 12ns, CMOS, PDSO32, 0,400 pouces, TSOP2-32 est fournie. ABLIC Inc. Le nombre total d'émissions de CO2 est calculé en fonction de la fréquence d'émission de CO2.

Décrits

SRAM - mémoire asynchrone IC 1 Mb (128K x 8) parallèle 12ns 32-TSOP II
SRAM Chip Async Unique 3.3V 1M-Bit 128K x 8 12ns 32 broches TSOP-II
SRAM 1 Mb 128Kx8 12ns/3.3V SRAM asynchrone 3.3v