IDT70T3319S133DD IC SRAM 4.5MBIT PARALLEL 144TQFP Renesas Electronics America Inc. Il est également utilisé pour les télécommunications.

Nom de marque Renesas Electronics America Inc
Numéro de modèle Le numéro d'immatriculation est le numéro d'immatriculation de l'entreprise.
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Détails d'emballage sacs antistatiques et boîtes en carton
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Détails sur le produit
Type de mémoire Volatil Format de mémoire SRAM
Technologie SRAM - double port, synchrone Capacité de la mémoire 4.5Mbit
Organisation de mémoire 256K x 18 Interface de mémoire Parallèlement
Fréquence du signal d'horloge 133 mégahertz Écrivez la durée de cycle - Word, page -
Temps d'accès 4,2 NS Voltage - alimentation 2,4 V ~ 2,6 V
Température de fonctionnement Pour les appareils de traitement des eaux usées: Type de montage Monture de surface
Emballage / boîtier 144-LQFP a exposé la protection Paquet de dispositifs fournis par le fournisseur 144-TQFP (20x20)
Vous pouvez cocher les produits dont vous avez besoin et communiquer avec nous dans le babillard électronique.
Part Number Description
IDT70T3319S133DD IC SRAM 4.5MBIT PARALLEL 144TQFP
IDT70T3319S133DDI IC SRAM 4.5MBIT PARALLEL 144TQFP
IDT70T3319S166DD IC SRAM 4.5MBIT PARALLEL 144TQFP
IDT70T3399S133DD IC SRAM 2MBIT PARALLEL 144TQFP
IDT70T3399S133DDI IC SRAM 2MBIT PARALLEL 144TQFP
IDT70T3399S166DD IC SRAM 2MBIT PARALLEL 144TQFP
IDT70T631S10DD IC SRAM 4.5MBIT PARALLEL 144TQFP
IDT70T631S12DD IC SRAM 4.5MBIT PARALLEL 144TQFP
IDT70T631S12DDI IC SRAM 4.5MBIT PARALLEL 144TQFP
IDT70T631S15DD IC SRAM 4.5MBIT PARALLEL 144TQFP
IDT70T633S10DD IC SRAM 9MBIT PARALLEL 144TQFP
IDT70T633S12DD IC SRAM 9MBIT PARALLEL 144TQFP
IDT70T633S12DDI IC SRAM 9MBIT PARALLEL 144TQFP
IDT70T633S15DD IC SRAM 9MBIT PARALLEL 144TQFP
IDT70V7319S133DD IC SRAM 4.5MBIT PARALLEL 144TQFP
IDT70V7319S133DDI IC SRAM 4.5MBIT PARALLEL 144TQFP
IDT70V7319S166DD IC SRAM 4.5MBIT PARALLEL 144TQFP
IDT70V7319S166DDI IC SRAM 4.5MBIT PARALLEL 144TQFP
IDT70V7339S133DD IC SRAM 9MBIT PARALLEL 144TQFP
IDT70V7339S133DDI IC SRAM 9MBIT PARALLEL 144TQFP
IDT70V7339S166DD IC SRAM 9MBIT PARALLEL 144TQFP
IDT70V7339S166DDI IC SRAM 9MBIT PARALLEL 144TQFP
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Description de produit

Détails du produit

Définition

L'IDT70T651/9 est une RAM statique à double port asynchrone 256/128K x 36 à grande vitesse.L'IDT70T651/9 est conçu pour être utilisé comme une RAM à double port 9216/4608K-bit autonome ou comme une combinaison de RAM à double port MAS TER / SLAVE pour un système de mots de 72 bits ou plus. L'utilisation de l'approche IDT MASTER/SLAVE Dual-Port RAM dans les applications de système de mémoire de 72 bits ou plus larges se traduit par un fonctionnement sans erreur à pleine vitesse sans avoir besoin de logique discrète supplémentaire.
Cet appareil fournit deux ports indépendants avec des broches de commande, d'adresse et d'E/S séparées qui permettent un accès asynchrone indépendant pour les lectures ou les écritures vers n'importe quel emplacement de la mémoire.Une fonction d'arrêt automatique de l'alimentation contrôlée par la puce permet (CE0 ou CE1) de permettre aux circuits sur la puce de chaque port d'entrer dans un mode de puissance en veille très faible.
L'IDT70T651/9 dispose d'un mode RapidWrite qui permet au concepteur d'effectuer des opérations d'écriture back-to-back sans pulser l'entrée R/W à chaque cycle.Ceci est particulièrement important pour les temps de cycle de 8 et 10 ns de l'IDT70T651/9, facilitant les considérations de conception à ces niveaux de performances élevées.
Le 70T651/9 peut supporter une tension de fonctionnement de 3,3 V ou 2,5 V sur un ou les deux ports, contrôlée par les broches OPT. L'alimentation du noyau du dispositif (VDD) est de 2,5 V.

Caractéristiques

◆ Véritables cellules de mémoire à double port qui permettent l'accès simultané du même emplacement de mémoire
◆ Accès à haut débit
¢ Commercial: 8/10/12/15 jours maximum
Pour les produits industriels: 10/12ns (max.)
◆ Le mode RapidWrite simplifie les cycles d'écriture consécutifs à grande vitesse
◆ Les puces doubles permettent d'étendre la profondeur sans logique externe
◆ L'IDT70T651/9 permet d'élargir facilement la largeur du bus de données à 72 bits ou plus à l'aide de la sélection maître/esclave lorsque plusieurs appareils sont en cascade
◆ M/S = VIH pour le drapeau de sortie BUSY sur Master, M/S = VIL pour l'entrée BUSY sur Slave
◆ Des drapeaux occupés et interrompues
◆ logique d'arbitrage des ports sur puce
◆ Une prise en charge complète du matériel sur la puce pour la signalisation des sémaphores entre les ports
◆ Opération entièrement asynchrone depuis les deux ports
◆ Contrôles d'octets séparés pour la compatibilité de bus multiplexés et de bus
◆ Entrées en mode veille sur les deux ports
◆ Prend en charge les fonctionnalités JTAG conformes à l'IEEE 1149.1
◆ alimentation unique de 2,5 V (± 100 mV) pour le noyau
◆ L'alimentation électrique de 3,3 V (± 150 mV) /2,5 V (± 100 mV) sélectionnable, compatible LVTTL, pour les I/O et les signaux de commande sur chaque port
◆ Il est disponible dans une gamme de grilles à boules de 256 balles, une gamme de plateaux en plastique à quatre broches de 208 broches et une gamme de grilles à boules de 208 balles.
◆ Une plage de températures industrielles (de 40°C à +85°C) est disponible pour certaines vitesses.

Les spécifications

Attribut Valeur attribuée
Produit de fabrication Systèmes de circuits intégrés
Catégorie de produits Circuits intégrés mémoire
Série -
Emballage Plateau
Boîtier de colis 144-LQFP Plaquette exposée
Température de fonctionnement Pour les appareils de traitement des eaux usées:
Interface Parallèlement
Appareil de régulation de la tension 2.4 V ~ 2,6 V
Produit fourni par le fournisseur Le nombre d'émissions de CO2 est déterminé par la fréquence d'émission.
Capacité de mémoire 4.5M (256K x 18)
Type de mémoire SRAM - double port, synchrone
Vitesse 133 MHz
Format-mémoire La RAM

Décrits

SRAM - Port double, mémoire synchrone IC 4,5 Mb (256K x 18) parallèle 133MHz 4,2ns 144-TQFP (20x20)