MT41J128M16JT-093:K TR IC DRAM 2GBIT PAR 96FBGA Micron Technology Inc. L'utilisation de la technologie par les opérateurs de télécommunications est interdite.

Nom de marque Micron Technology Inc.
Numéro de modèle MT41J128M16JT-093:K TR
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Détails d'emballage sacs antistatiques et boîtes en carton
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Détails sur le produit
Type de mémoire Volatil Format de mémoire DRACHME
Technologie SDRAM - DDR3 Capacité de la mémoire 2Gbit
Organisation de mémoire 128M x 16 Interface de mémoire Parallèlement
Fréquence du signal d'horloge 10,066 GHz Écrivez la durée de cycle - Word, page -
Temps d'accès 20 ns Voltage - alimentation 1.425V | 1.575V
Température de fonctionnement 0°C | 95°C (COMITÉ TECHNIQUE) Type de montage Monture de surface
Emballage / boîtier 96-TFBGA Paquet de dispositifs fournis par le fournisseur 96-FBGA (8x14)
Vous pouvez cocher les produits dont vous avez besoin et communiquer avec nous dans le babillard électronique.
Part Number Description
MT41K128M16JT-107 AAT:K IC DRAM 2GBIT PAR 96FBGA
MT41K128M16JT-107 AAT:K TR IC DRAM 2GBIT PAR 96FBGA
MT41K128M16JT-125 AAT:K TR IC DRAM 2GBIT PARALLEL 96FBGA
MT41J128M16JT-093:K TR IC DRAM 2GBIT PAR 96FBGA
MT41J128M16JT-093G:K TR IC DRAM 2GBIT PAR 96FBGA
MT41J128M16JT-107:K TR IC DRAM 2GBIT PAR 96FBGA
MT41J128M16JT-107G:K TR IC DRAM 2GBIT PAR 96FBGA
MT41J64M16JT-125:G TR IC DRAM 1GBIT PARALLEL 96FBGA
MT41J64M16JT-15E AIT:G TR IC DRAM 1GBIT PAR 96FBGA
MT41J64M16JT-15E XIT:G TR IC DRAM 1GBIT PAR 96FBGA
MT41J64M16JT-187E:G TR IC DRAM 1GBIT PAR 96FBGA
MT41K64M16JT-125:G TR IC DRAM 1GBIT PARALLEL 96FBGA
MT41K64M16JT-15E:G TR IC DRAM 1GBIT PAR 96FBGA
MT41J128M16JT-093:K IC DRAM 2GBIT PAR 96FBGA
MT41J128M16JT-093G:K IC DRAM 2GBIT PAR 96FBGA
MT41J128M16JT-107:K IC DRAM 2GBIT PAR 96FBGA
MT41J128M16JT-107G:K IC DRAM 2GBIT PAR 96FBGA
MT41J64M16JT-125E:G IC DRAM 1GBIT PARALLEL 96FBGA
MT41K64M16JT-125:G IC DRAM 1GBIT PARALLEL 96FBGA
MT41K64M16JT-15E:G IC DRAM 1GBIT PAR 96FBGA
MT41J128M16JT-093 J:K IC DRAM 2GBIT PAR 96FBGA
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Part Number Description
Description de produit

Détails du produit

La mémoire SDRAM DDR3

2 Gb: RAM DDR3 SDRAM x4, x8, x16

Caractéristiques

• VDD= VDDQ= 1,5 V ± 0,075 V
• 1,5 V d'entrée/sortie de poussée/pull terminée au centre
• Stroboscope bidirectionnel différentiel de données
• architecture de pré-recherche 8n-bit
• Entrées d'horloge différentielle (CK, CK#)
• 8 banques intérieures
• Termination nominale et dynamique (ODT) pour les signaux de données, de stroboscope et de masque
• latence de lecture CAS programmable (CL)
• La latence de l'additif CAS (AL) affichée
• latence d'écriture CAS programmable (CWL) basée sur tCK
• Longueur de rupture fixe (BL) de 8 et coupure de rupture (BC) de 4 (via le réglage de registre de mode [MRS])
• BC4 ou BL8 sélectionnables à la volée (OTF)
• Mode de mise à jour automatique
• TC de 0 à 95 °C
- 64 ms, 8192 cycles de rafraîchissement de 0°C à 85°C
32 ms, 8192 cycles de rafraîchissement à 85°C à 95°C
• Température de rafraîchissement automatique (SRT)
• Écrire le nivellement
• Registre polyvalent
• Étalonnage du pilote de sortie

Les spécifications

Attribut Valeur attribuée
Produit de fabrication Micron Technology Inc. est une société de technologie.
Catégorie de produits Circuits intégrés mémoire
Série -
Emballage Emballages de remplacement en ruban adhésif et bobine (TR)
Boîtier de colis 96-TFBGA
Température de fonctionnement 0°C à 95°C (TC)
Interface Parallèlement
Appareil de régulation de la tension 1.425 V à 1,575 V
Produit fourni par le fournisseur Pour les appareils à commande numérique:
Capacité de mémoire 2G (128M x 16)
Type de mémoire La mémoire SDRAM DDR3
Vitesse 1066 MHz
Format-mémoire La RAM

Décrits

SDRAM - mémoire DDR3 IC 2Gb (128M x 16) parallèle 1066MHz 20ns 96-FBGA (8x14)
La carte SD est un fichier graphique qui permet d'afficher les données du fichier.