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MT41J128M16JT-093:K TR IC DRAM 2GBIT PAR 96FBGA Micron Technology Inc. L'utilisation de la technologie par les opérateurs de télécommunications est interdite.

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xDétails sur le produit
Type de mémoire | Volatil | Format de mémoire | DRACHME |
---|---|---|---|
Technologie | SDRAM - DDR3 | Capacité de la mémoire | 2Gbit |
Organisation de mémoire | 128M x 16 | Interface de mémoire | Parallèlement |
Fréquence du signal d'horloge | 10,066 GHz | Écrivez la durée de cycle - Word, page | - |
Temps d'accès | 20 ns | Voltage - alimentation | 1.425V | 1.575V |
Température de fonctionnement | 0°C | 95°C (COMITÉ TECHNIQUE) | Type de montage | Monture de surface |
Emballage / boîtier | 96-TFBGA | Paquet de dispositifs fournis par le fournisseur | 96-FBGA (8x14) |
Vous pouvez cocher les produits dont vous avez besoin et communiquer avec nous dans le babillard électronique.
Part Number | Description | |
---|---|---|
MT41K128M16JT-107 AAT:K | IC DRAM 2GBIT PAR 96FBGA | |
MT41K128M16JT-107 AAT:K TR | IC DRAM 2GBIT PAR 96FBGA | |
MT41K128M16JT-125 AAT:K TR | IC DRAM 2GBIT PARALLEL 96FBGA | |
MT41J128M16JT-093:K TR | IC DRAM 2GBIT PAR 96FBGA | |
MT41J128M16JT-093G:K TR | IC DRAM 2GBIT PAR 96FBGA | |
MT41J128M16JT-107:K TR | IC DRAM 2GBIT PAR 96FBGA | |
MT41J128M16JT-107G:K TR | IC DRAM 2GBIT PAR 96FBGA | |
MT41J64M16JT-125:G TR | IC DRAM 1GBIT PARALLEL 96FBGA | |
MT41J64M16JT-15E AIT:G TR | IC DRAM 1GBIT PAR 96FBGA | |
MT41J64M16JT-15E XIT:G TR | IC DRAM 1GBIT PAR 96FBGA | |
MT41J64M16JT-187E:G TR | IC DRAM 1GBIT PAR 96FBGA | |
MT41K64M16JT-125:G TR | IC DRAM 1GBIT PARALLEL 96FBGA | |
MT41K64M16JT-15E:G TR | IC DRAM 1GBIT PAR 96FBGA | |
MT41J128M16JT-093:K | IC DRAM 2GBIT PAR 96FBGA | |
MT41J128M16JT-093G:K | IC DRAM 2GBIT PAR 96FBGA | |
MT41J128M16JT-107:K | IC DRAM 2GBIT PAR 96FBGA | |
MT41J128M16JT-107G:K | IC DRAM 2GBIT PAR 96FBGA | |
MT41J64M16JT-125E:G | IC DRAM 1GBIT PARALLEL 96FBGA | |
MT41K64M16JT-125:G | IC DRAM 1GBIT PARALLEL 96FBGA | |
MT41K64M16JT-15E:G | IC DRAM 1GBIT PAR 96FBGA | |
MT41J128M16JT-093 J:K | IC DRAM 2GBIT PAR 96FBGA |
Description de produit
Détails du produit
La mémoire SDRAM DDR3
2 Gb: RAM DDR3 SDRAM x4, x8, x16
Caractéristiques
• VDD= VDDQ= 1,5 V ± 0,075 V• 1,5 V d'entrée/sortie de poussée/pull terminée au centre
• Stroboscope bidirectionnel différentiel de données
• architecture de pré-recherche 8n-bit
• Entrées d'horloge différentielle (CK, CK#)
• 8 banques intérieures
• Termination nominale et dynamique (ODT) pour les signaux de données, de stroboscope et de masque
• latence de lecture CAS programmable (CL)
• La latence de l'additif CAS (AL) affichée
• latence d'écriture CAS programmable (CWL) basée sur tCK
• Longueur de rupture fixe (BL) de 8 et coupure de rupture (BC) de 4 (via le réglage de registre de mode [MRS])
• BC4 ou BL8 sélectionnables à la volée (OTF)
• Mode de mise à jour automatique
• TC de 0 à 95 °C
- 64 ms, 8192 cycles de rafraîchissement de 0°C à 85°C
32 ms, 8192 cycles de rafraîchissement à 85°C à 95°C
• Température de rafraîchissement automatique (SRT)
• Écrire le nivellement
• Registre polyvalent
• Étalonnage du pilote de sortie
Les spécifications
Attribut | Valeur attribuée |
---|---|
Produit de fabrication | Micron Technology Inc. est une société de technologie. |
Catégorie de produits | Circuits intégrés mémoire |
Série | - |
Emballage | Emballages de remplacement en ruban adhésif et bobine (TR) |
Boîtier de colis | 96-TFBGA |
Température de fonctionnement | 0°C à 95°C (TC) |
Interface | Parallèlement |
Appareil de régulation de la tension | 1.425 V à 1,575 V |
Produit fourni par le fournisseur | Pour les appareils à commande numérique: |
Capacité de mémoire | 2G (128M x 16) |
Type de mémoire | La mémoire SDRAM DDR3 |
Vitesse | 1066 MHz |
Format-mémoire | La RAM |
Décrits
SDRAM - mémoire DDR3 IC 2Gb (128M x 16) parallèle 1066MHz 20ns 96-FBGA (8x14)
La carte SD est un fichier graphique qui permet d'afficher les données du fichier.
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