R1LP0108ESF-5SI#B0 IC SRAM 1MBIT PARALLEL 32TSOP I Renesas Electronics America Inc. Il est également utilisé pour le traitement des données de base.

Nom de marque Renesas Electronics America Inc
Numéro de modèle R1LP0108ESF-5SI#B0
Quantité de commande min 1
Prix Based on current price
Détails d'emballage sacs antistatiques et boîtes en carton
Délai de livraison 3 à 5 jours ouvrables
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Détails sur le produit
Type de mémoire Volatil Format de mémoire SRAM
Technologie SRAM Capacité de la mémoire 1Mbit
Organisation de mémoire 128K X 8 Interface de mémoire Parallèlement
Fréquence du signal d'horloge - Écrivez la durée de cycle - Word, page 55ns
Temps d'accès 55 NS Voltage - alimentation 4.5V à 5.5V
Température de fonctionnement -40°C à 85°C (TA) Type de montage Monture de surface
Emballage / boîtier 32-TFSOP (0,724", largeur de 18.40mm) Paquet de dispositifs fournis par le fournisseur 32-TSOP I
Vous pouvez cocher les produits dont vous avez besoin et communiquer avec nous dans le babillard électronique.
Part Number Description
R1LV0108ESF-5SI#S1 IC SRAM 1MBIT PARALLEL 32TSOP I
R1LP0108ESF-5SI#S1 IC SRAM 1MBIT PARALLEL 32TSOP I
R1LV0108ESF-5SI#B1 IC SRAM 1MBIT PARALLEL 32TSOP I
R1LP0108ESF-5SI#B1 IC SRAM 1MBIT PARALLEL 32TSOP I
R1LP0108ESF-5SI#B0 IC SRAM 1MBIT PARALLEL 32TSOP I
R1LP0108ESF-5SI#S0 IC SRAM 1MBIT PARALLEL 32TSOP I
R1LP0108ESF-5SR#B0 IC SRAM 1MBIT PARALLEL 32TSOP I
R1LP0108ESF-5SR#S0 IC SRAM 1MBIT PARALLEL 32TSOP I
R1LP0108ESF-7SI#B0 IC SRAM 1MBIT PARALLEL 32TSOP I
R1LP0108ESF-7SI#S0 IC SRAM 1MBIT PARALLEL 32TSOP I
R1LP0108ESF-7SR#B0 IC SRAM 1MBIT PARALLEL 32TSOP I
R1LP0108ESF-7SR#S0 IC SRAM 1MBIT PARALLEL 32TSOP I
R1LV0108ESF-5SI#B0 IC SRAM 1MBIT PARALLEL 32TSOP I
R1LV0108ESF-5SI#S0 IC SRAM 1MBIT PARALLEL 32TSOP I
R1LV0108ESF-5SR#B0 IC SRAM 1MBIT PARALLEL 32TSOP I
R1LV0108ESF-5SR#S0 IC SRAM 1MBIT PARALLEL 32TSOP I
R1LV0108ESF-7SI#B0 IC SRAM 1MBIT PARALLEL 32TSOP I
R1LV0108ESF-7SI#S0 IC SRAM 1MBIT PARALLEL 32TSOP I
R1LV0108ESF-7SR#B0 IC SRAM 1MBIT PARALLEL 32TSOP I
R1LV0108ESF-7SR#S0 IC SRAM 1MBIT PARALLEL 32TSOP I
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Description de produit

Détails du produit

Définition

La série R1LV0108E est une famille de mémoires RAM statiques basse tension de 1 Mbit organisées en 131.072-mots par 8-bits, fabriquées par les technologies CMOS et TFT de haute performance 0.15um de Renesas.La série R1LV0108E a réalisé une plus grande densitéLa série R1LV0108E est adaptée aux applications de mémoire où une interfaceLe fonctionnement de la batterie et la sauvegarde de la batterie sont les objectifs de conception importantsIl a été conçu en SOP 32 pins, TSOP 32 pins et sTSOP 32 pins.

Caractéristiques

• alimentation simple de 2,7 à 3,6 V
• Petit courant de veille: 1 μA (3,0 V, typique)
• Pas d'horloges, pas de rafraîchissement
• Toutes les entrées et sorties sont compatibles avec TTL.
• Facilité d'expansion de la mémoire par CS1# et CS2
• Résultats de l'E/S des données communes
• sorties à trois états: capacité de liaison OR
• OE# empêche les contentions de données sur le bus E/O

Les spécifications

Attribut Valeur attribuée
Produit de fabrication Renesas Electronics Amérique
Catégorie de produits Circuits intégrés mémoire
Série -
Emballage Emballage de remplacement de plateau
Boîtier de colis 32-TFSOP (0,724", largeur de 18,40 mm)
Température de fonctionnement -40°C à 85°C (TA)
Interface Parallèlement
Appareil de régulation de la tension 4.5 V ~ 5.5 V
Produit fourni par le fournisseur Le nombre d'émissions de CO2 est déterminé par la méthode suivante:
Capacité de mémoire 1M (128K x 8)
Type de mémoire SRAM
Vitesse 55 ans
Format-mémoire La RAM

Décrits

Mémoire SRAM IC 1 Mb (128K x 8) parallèle 55ns 32-TSOP (8x20)
SRAM Chip Async Single 5V 1M-Bit 128K x 8 55ns plateau TSOP-I à 32 broches