-
Circuit intégré IC
-
Module de rf IC
-
Gestion IC de puissance
-
Unité de microcontrôleur de MCU
-
Circuit intégré de FPGA
-
Capteur de circuit intégré
-
Circuits intégrés d'interface
-
Isolant opto de Digital
-
Mémoire instantanée IC
-
TAMPON IC de logique
-
Puce d'IC d'amplificateur
-
Synchronisation IC d'horloge
-
IC par acquisition de données
TC58BVG0S3HBAI4 IC FLASH 1GBIT PARALLEL 63TFBGA Kioxia America, Inc. Il est fourni par les fournisseurs de services de téléphonie mobile.
| Nom de marque | Kioxia America, Inc. |
|---|---|
| Numéro de modèle | Le nombre d'heures de travail est déterminé par le nombre d'heures de travail. |
| Quantité de commande min | 1 |
| Prix | Based on current price |
| Détails d'emballage | sacs antistatiques et boîtes en carton |
| Délai de livraison | 3 à 5 jours ouvrables |
| Conditions de paiement | T/T |
| Capacité d'approvisionnement | En stock |
Contactez-moi pour des aperçus gratuits et des bons.
Whatsapp:0086 18588475571
wechat: 0086 18588475571
Skype: sales10@aixton.com
Si vous avez n'importe quel souci, nous fournissons l'aide en ligne de 24 heures.
x| Type de mémoire | Non-volatile | Format de mémoire | Flash |
|---|---|---|---|
| Technologie | ÉCLAIR - NON-ET (SLC) | Capacité de la mémoire | 1Gbit |
| Organisation de mémoire | 128M x 8 | Interface de mémoire | Parallèlement |
| Fréquence du signal d'horloge | - | Écrivez la durée de cycle - Word, page | 25ns |
| Temps d'accès | 25 NS | Voltage - alimentation | 2.7V à 3.6V |
| Température de fonctionnement | -40°C à 85°C (TA) | Type de montage | Monture de surface |
| Emballage / boîtier | 63-VFBGA | Paquet de dispositifs fournis par le fournisseur | 63-TFBGA (9x11) |
| Part Number | Description | |
|---|---|---|
| TC58BVG0S3HBAI4 | IC FLASH 1GBIT PARALLEL 63TFBGA | |
| TH58BYG2S3HBAI4 | IC FLASH 4GBIT 63TFBGA | |
| TH58BVG2S3HBAI4 | IC FLASH 4GBIT 63TFBGA | |
| TC58BYG2S0HBAI4 | IC FLASH 4G PARALLEL 63TFBGA | |
| TH58NYG2S3HBAI4 | IC FLASH 4GBIT PARALLEL 63BGA | |
| TH58NYG3S0HBAI4 | IC FLASH 8GBIT PARALLEL 63TFBGA | |
| TC58BYG0S3HBAI4 | IC FLASH 1GBIT 63TFBGA | |
| TH58NVG2S3HBAI6 | IC FLASH 4GBIT PARALLEL 63BGA | |
| TH58NYG2S3HBAI6 | IC FLASH 4GBIT PARALLEL 63BGA | |
| TH58BYG3S0HBAI4 | IC FLASH 8GBIT PARALLEL 63TFBGA | |
| TC58BVG2S0HBAI4 | IC FLASH 4GBIT PARALLEL 63TFBGA | |
| TC58NVG0S3HBAI4 | IC FLASH 1GBIT PARALLEL 63TFBGA | |
| TC58NVG1S3HBAI4 | IC FLASH 2GBIT PARALLEL 63TFBGA | |
| TC58NVG2S0HBAI4 | IC FLASH 4GBIT PARALLEL 63TFBGA | |
| TC58BVG1S3HBAI4 | IC FLASH 2GBIT 63TFBGA | |
| TC58BYG1S3HBAI4 | IC FLASH 2GBIT 63TFBGA | |
| TC58NYG1S3HBAI4 | IC FLASH 2GBIT 63TFBGA | |
| TC58NYG2S0HBAI4 | IC FLASH 4GBIT 63TFBGA | |
| TH58NVG3S0HBAI4 | IC FLASH 8GBIT PARALLEL 63TFBGA | |
| TH58NVG2S3HBAI4 | IC FLASH 4GBIT PARALLEL 63BGA |
Détails du produit
85 oC, ondulation élevée, condensateur à usage général
Le type TC est un condensateur électrolytique d'aluminium à usage général à 85 oC, à longue durée de vie de 1000 heures, à conduction axiale et à courant ondulatoire élevé, adapté aux équipements électroniques grand public..
Les points forts
• Objectif général• Courant d'ondulation élevé
• Montage à profil bas
Les spécifications
| Attribut | Valeur attribuée |
|---|---|
| Produit de fabrication | Toshiba Semi-conducteurs et stockage |
| Catégorie de produits | Circuits intégrés mémoire |
| Série | BenandTM |
| Emballage | Plateau |
| Boîtier de colis | Le nombre total de pièces de rechange est le suivant: |
| Température de fonctionnement | -40°C à 85°C (TA) |
| Interface | Parallèlement |
| Appareil de régulation de la tension | 2.7 V ~ 3.6 V |
| Produit fourni par le fournisseur | Les produits de la catégorie 1 peuvent être utilisés pour les produits de la catégorie 2 ou 3. |
| Capacité de mémoire | 1G (128M x 8) |
| Type de mémoire | EEPROM - NAND |
| Vitesse | 25 ans |
| Format-mémoire | EEPROM - série |

