La Chine MX29LV800CTXEI-70G IC FLASH 8MBIT PARALLÈLE 48LFBGA Macronix

MX29LV800CTXEI-70G IC FLASH 8MBIT PARALLÈLE 48LFBGA Macronix

Type de mémoire: Non-volatile
Format de mémoire: Flash
Technologie: ÉCLAIR - NI
La Chine FM18W08-SG IC FRAM 256KBIT PARALÈL 28SOIC Infineon Technologies

FM18W08-SG IC FRAM 256KBIT PARALÈL 28SOIC Infineon Technologies

Type de mémoire: Non-volatile
Format de mémoire: FRAM
Technologie: FRAM (RAM ferroélectrique)
La Chine Le système d'exploitation de l'appareil est basé sur les données fournies par le fabricant.

Le système d'exploitation de l'appareil est basé sur les données fournies par le fabricant.

Type de mémoire: Non-volatile
Format de mémoire: Flash
Technologie: ÉCLAIR - NI
La Chine MX25R4035FZUIL0 IC FLASH 4MBIT SPI/QUAD 8USON Macronix

MX25R4035FZUIL0 IC FLASH 4MBIT SPI/QUAD 8USON Macronix

Type de mémoire: Non-volatile
Format de mémoire: Flash
Technologie: ÉCLAIR - NI
La Chine X28HC64JIZ-12 IC EEPROM 64KBIT PARALLEL 32PLCC Renesas Electronics America Inc. Il est également utilisé pour les télécommunications

X28HC64JIZ-12 IC EEPROM 64KBIT PARALLEL 32PLCC Renesas Electronics America Inc. Il est également utilisé pour les télécommunications

Type de mémoire: Non-volatile
Format de mémoire: EEPROM
Technologie: EEPROM
La Chine S29GL512S10GHI020 IC FLASH 512MBIT PARALLEL 56FBGA Les technologies Infineon

S29GL512S10GHI020 IC FLASH 512MBIT PARALLEL 56FBGA Les technologies Infineon

Type de mémoire: Non-volatile
Format de mémoire: Flash
Technologie: ÉCLAIR - NI
La Chine M95640-DFDW6TP IC EEPROM 64KBIT SPI 8TSSOP STMicroélectronique

M95640-DFDW6TP IC EEPROM 64KBIT SPI 8TSSOP STMicroélectronique

Type de mémoire: Non-volatile
Format de mémoire: EEPROM
Technologie: EEPROM
La Chine AS7C256A-12JCN IC SRAM 256KBIT PARALLEL 28SOJ Alliance Memory, Inc. Il s'agit d'un système de mémoire qui est utilisé par les utilisateurs de la plateforme.

AS7C256A-12JCN IC SRAM 256KBIT PARALLEL 28SOJ Alliance Memory, Inc. Il s'agit d'un système de mémoire qui est utilisé par les utilisateurs de la plateforme.

Type de mémoire: Volatil
Format de mémoire: SRAM
Technologie: SRAM - Asynchrone
La Chine Les données sont fournies par les autorités compétentes de l'État membre dans lequel elles se trouvent.

Les données sont fournies par les autorités compétentes de l'État membre dans lequel elles se trouvent.

Type de mémoire: Non-volatile
Format de mémoire: EEPROM
Technologie: EEPROM
La Chine DS1270Y-70# IC NVSRAM 16MBIT PARALLEL 36EDIP Analog Devices Inc./Maxim intégré

DS1270Y-70# IC NVSRAM 16MBIT PARALLEL 36EDIP Analog Devices Inc./Maxim intégré

Type de mémoire: Non-volatile
Format de mémoire: NVSRAM
Technologie: NVSRAM (SRAM non-volatile)
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