La Chine IS43TR85120A-15HBL-TR IC DRAM 4GBIT PAR 78TWBGA ISSI, Solution intégrée au silicium inc.

IS43TR85120A-15HBL-TR IC DRAM 4GBIT PAR 78TWBGA ISSI, Solution intégrée au silicium inc.

Type de mémoire: Volatil
Format de mémoire: DRACHME
Technologie: SDRAM - DDR3
La Chine AT49F008AT-12TC IC FLASH 8MBIT PARALLEL 40TSOP Technologie de micro-puce

AT49F008AT-12TC IC FLASH 8MBIT PARALLEL 40TSOP Technologie de micro-puce

Type de mémoire: Non-volatile
Format de mémoire: Flash
Technologie: Flash
La Chine Les États membres doivent fournir aux autorités compétentes les informations nécessaires pour les contrôler et les contrôler.

Les États membres doivent fournir aux autorités compétentes les informations nécessaires pour les contrôler et les contrôler.

Type de mémoire: Non-volatile
Format de mémoire: FRAM
Technologie: FRAM (RAM ferroélectrique)
La Chine IS61C1024AL-12JLI IC SRAM 1MBIT PARALLEL 32SOJ ISSI, Solution intégrée au silicium inc.

IS61C1024AL-12JLI IC SRAM 1MBIT PARALLEL 32SOJ ISSI, Solution intégrée au silicium inc.

Type de mémoire: Volatil
Format de mémoire: SRAM
Technologie: SRAM - Asynchrone
La Chine AT24C64D-MAHM-T IC EEPROM 64KBIT I2C 8MINI MAP Technologie à puce

AT24C64D-MAHM-T IC EEPROM 64KBIT I2C 8MINI MAP Technologie à puce

Type de mémoire: Non-volatile
Format de mémoire: EEPROM
Technologie: EEPROM
La Chine 71V124SA10PHG8 IC SRAM 1MBIT PARALLEL 32TSOP II Renesas Electronics America Inc. Il est également utilisé pour les télécommunications.

71V124SA10PHG8 IC SRAM 1MBIT PARALLEL 32TSOP II Renesas Electronics America Inc. Il est également utilisé pour les télécommunications.

Type de mémoire: Volatil
Format de mémoire: SRAM
Technologie: SRAM - Asynchrone
La Chine MT28F400B3SG-8 B IC FLASH 4MBIT PARALLÈLE 44SO Micron Technology Inc.

MT28F400B3SG-8 B IC FLASH 4MBIT PARALLÈLE 44SO Micron Technology Inc.

Type de mémoire: Non-volatile
Format de mémoire: Flash
Technologie: ÉCLAIR - NI
La Chine MTFC64GJVDN-3M WT TR IC FLASH 512GBIT MMC 169LFBGA Micron Technology Inc.

MTFC64GJVDN-3M WT TR IC FLASH 512GBIT MMC 169LFBGA Micron Technology Inc.

Type de mémoire: Non-volatile
Format de mémoire: Flash
Technologie: ÉCLAIR - NON-ET
La Chine MT40A1G8WE-083E AIT:B TR IC DRAM 8GBIT PAR 1,2 GHz 78FBGA Micron Technology Inc.

MT40A1G8WE-083E AIT:B TR IC DRAM 8GBIT PAR 1,2 GHz 78FBGA Micron Technology Inc.

Type de mémoire: Volatil
Format de mémoire: DRACHME
Technologie: SDRAM - DDR4
La Chine Le système de traitement des données est basé sur les données fournies par les fournisseurs de services.

Le système de traitement des données est basé sur les données fournies par les fournisseurs de services.

Type de mémoire: Volatil
Format de mémoire: DRACHME
Technologie: DRACHME
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