La Chine L'équipement est équipé d'une caméra de surveillance de l'équipement.

L'équipement est équipé d'une caméra de surveillance de l'équipement.

Type de mémoire: Non-volatile
Format de mémoire: NVSRAM
La technologie: NVSRAM (SRAM non-volatile)
La Chine W9464G6KH-5 IC DRAM 64MBIT PAR 66TSOP II Électronique par câble

W9464G6KH-5 IC DRAM 64MBIT PAR 66TSOP II Électronique par câble

Type de mémoire: Volatil
Format de mémoire: DRACHME
Technologie: SDRAM-DDR
La Chine S29WS064RABBHW010 IC FLASH 64MBIT PARALLEL 84FBGA Cypress Semi-conducteurs Corp.

S29WS064RABBHW010 IC FLASH 64MBIT PARALLEL 84FBGA Cypress Semi-conducteurs Corp.

Type de mémoire: Non-volatile
Format de mémoire: Flash
Technologie: ÉCLAIR - NI
La Chine S29CD016J0MFAM010 IC FLASH 16MBIT PAR 56MHZ 80FBGA Les technologies Infineon ont été développées par des spécialistes de la technologie

S29CD016J0MFAM010 IC FLASH 16MBIT PAR 56MHZ 80FBGA Les technologies Infineon ont été développées par des spécialistes de la technologie

Type de mémoire: Non-volatile
Format de mémoire: Flash
Technologie: ÉCLAIR - NI
La Chine AT24CS08-STUM-T IC EEPROM 8KBIT I2C 1MHZ SOT23-5 Technologie à puce

AT24CS08-STUM-T IC EEPROM 8KBIT I2C 1MHZ SOT23-5 Technologie à puce

Type de mémoire: Non-volatile
Format de mémoire: EEPROM
Technologie: EEPROM
La Chine M27C2001-15F1 IC EPROM 2MBIT PARALLEL 32CDIP STMicroélectronique

M27C2001-15F1 IC EPROM 2MBIT PARALLEL 32CDIP STMicroélectronique

Type de mémoire: Non-volatile
Format de mémoire: EPROM
Technologie: EPROM - UV
La Chine 70V24S55PFG IC SRAM 64KBIT PARALLEL 100TQFP Renesas Electronics America Inc. est une société américaine de fabrication d'électronique.

70V24S55PFG IC SRAM 64KBIT PARALLEL 100TQFP Renesas Electronics America Inc. est une société américaine de fabrication d'électronique.

Type de mémoire: Volatil
Format de mémoire: SRAM
Technologie: SRAM - Port double, asynchrone
La Chine IS41LV16100B-50KL IC DRAM 16MBIT PARALLEL 42SOJ ISSI, Solution intégrée au silicium inc.

IS41LV16100B-50KL IC DRAM 16MBIT PARALLEL 42SOJ ISSI, Solution intégrée au silicium inc.

Type de mémoire: Volatil
Format de mémoire: DRACHME
Technologie: DRAM - EDO
La Chine IS43TR16512AL-15HBL IC DRAM 8GBIT PAR 96LFBGA ISSI, Solution intégrée au silicium inc.

IS43TR16512AL-15HBL IC DRAM 8GBIT PAR 96LFBGA ISSI, Solution intégrée au silicium inc.

Type de mémoire: Volatil
Format de mémoire: DRACHME
Technologie: SDRAM - DDR3L
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