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L'équipement est équipé d'une caméra de surveillance de l'équipement.
Type de mémoire: | Non-volatile |
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Format de mémoire: | NVSRAM |
La technologie: | NVSRAM (SRAM non-volatile) |
W9464G6KH-5 IC DRAM 64MBIT PAR 66TSOP II Électronique par câble
Type de mémoire: | Volatil |
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Format de mémoire: | DRACHME |
Technologie: | SDRAM-DDR |
S29WS064RABBHW010 IC FLASH 64MBIT PARALLEL 84FBGA Cypress Semi-conducteurs Corp.
Type de mémoire: | Non-volatile |
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Format de mémoire: | Flash |
Technologie: | ÉCLAIR - NI |
MT40A256M16LY-062E:F IC DRAM 4GBIT PARALLEL 96FBGA Micron Technology Inc. Il s'agit d'un système de traitement de données basé sur les données fournies par les fournisseurs.
Type de mémoire: | Volatil |
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Format de mémoire: | DRACHME |
Technologie: | SDRAM - DDR4 |
S29CD016J0MFAM010 IC FLASH 16MBIT PAR 56MHZ 80FBGA Les technologies Infineon ont été développées par des spécialistes de la technologie
Type de mémoire: | Non-volatile |
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Format de mémoire: | Flash |
Technologie: | ÉCLAIR - NI |
AT24CS08-STUM-T IC EEPROM 8KBIT I2C 1MHZ SOT23-5 Technologie à puce
Type de mémoire: | Non-volatile |
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Format de mémoire: | EEPROM |
Technologie: | EEPROM |
M27C2001-15F1 IC EPROM 2MBIT PARALLEL 32CDIP STMicroélectronique
Type de mémoire: | Non-volatile |
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Format de mémoire: | EPROM |
Technologie: | EPROM - UV |
70V24S55PFG IC SRAM 64KBIT PARALLEL 100TQFP Renesas Electronics America Inc. est une société américaine de fabrication d'électronique.
Type de mémoire: | Volatil |
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Format de mémoire: | SRAM |
Technologie: | SRAM - Port double, asynchrone |
IS41LV16100B-50KL IC DRAM 16MBIT PARALLEL 42SOJ ISSI, Solution intégrée au silicium inc.
Type de mémoire: | Volatil |
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Format de mémoire: | DRACHME |
Technologie: | DRAM - EDO |
IS43TR16512AL-15HBL IC DRAM 8GBIT PAR 96LFBGA ISSI, Solution intégrée au silicium inc.
Type de mémoire: | Volatil |
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Format de mémoire: | DRACHME |
Technologie: | SDRAM - DDR3L |