La Chine AS4C4M32S-7BCN IC DRAM 128MBIT PAR 90TFBGA Alliance Memory, Inc. Il est fourni par le fournisseur d'accès à la mémoire.

AS4C4M32S-7BCN IC DRAM 128MBIT PAR 90TFBGA Alliance Memory, Inc. Il est fourni par le fournisseur d'accès à la mémoire.

Type de mémoire: Volatil
Format de mémoire: DRACHME
Technologie: SDRAM
La Chine BQ4010MA-85 IC NVSRAM 64KBIT PARALLEL 28DIP Instruments du Texas

BQ4010MA-85 IC NVSRAM 64KBIT PARALLEL 28DIP Instruments du Texas

Type de mémoire: Non-volatile
Format de mémoire: NVSRAM
Technologie: NVSRAM (SRAM non-volatile)
La Chine AT26DF161A-MU IC FLASH 16MBIT SPI 70MHZ 8VDFN Renesas Design Allemagne GmbH

AT26DF161A-MU IC FLASH 16MBIT SPI 70MHZ 8VDFN Renesas Design Allemagne GmbH

Type de mémoire: Non-volatile
Format de mémoire: Flash
Technologie: Flash
La Chine IDT70T3319S133DD IC SRAM 4.5MBIT PARALLEL 144TQFP Renesas Electronics America Inc. Il est également utilisé pour les télécommunications.

IDT70T3319S133DD IC SRAM 4.5MBIT PARALLEL 144TQFP Renesas Electronics America Inc. Il est également utilisé pour les télécommunications.

Type de mémoire: Volatil
Format de mémoire: SRAM
Technologie: SRAM - double port, synchrone
La Chine AT25128T2-10TI-1.8 IC EEPROM 128KBIT SPI 20TSSOP Technologie à puce électronique

AT25128T2-10TI-1.8 IC EEPROM 128KBIT SPI 20TSSOP Technologie à puce électronique

Type de mémoire: Non-volatile
Format de mémoire: EEPROM
Technologie: EEPROM
La Chine IS43R32400E-5BL-TR IC DRAM 128MBIT PAR 144LFBGA ISSI, Solution intégrée au silicium inc.

IS43R32400E-5BL-TR IC DRAM 128MBIT PAR 144LFBGA ISSI, Solution intégrée au silicium inc.

Type de mémoire: Volatil
Format de mémoire: DRACHME
Technologie: SDRAM-DDR
La Chine IS61C3216AL-12KLI-TR IC SRAM 512KBIT PARALLEL 44SOJ ISSI, Solution intégrée au silicium inc.

IS61C3216AL-12KLI-TR IC SRAM 512KBIT PARALLEL 44SOJ ISSI, Solution intégrée au silicium inc.

Type de mémoire: Volatil
Format de mémoire: SRAM
Technologie: SRAM - Asynchrone
La Chine IS63WV1024BLL-12TLI IC SRAM 1MBIT PARALLEL 32TSOP II ISSI, Solution intégrée au silicium inc.

IS63WV1024BLL-12TLI IC SRAM 1MBIT PARALLEL 32TSOP II ISSI, Solution intégrée au silicium inc.

Type de mémoire: Volatil
Format de mémoire: SRAM
Technologie: SRAM - Asynchrone
La Chine IS62WV102416EBLL-45BLI IC SRAM 16MBIT PARALLEL 48VFBGA ISSI, Solution intégrée au silicium inc.

IS62WV102416EBLL-45BLI IC SRAM 16MBIT PARALLEL 48VFBGA ISSI, Solution intégrée au silicium inc.

Type de mémoire: Volatil
Format de mémoire: SRAM
Technologie: SRAM - Asynchrone
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