La Chine IS61WV5128BLL-10BLI IC SRAM 4MBIT PARALLEL 36TFBGA ISSI, Solution intégrée au silicium inc.

IS61WV5128BLL-10BLI IC SRAM 4MBIT PARALLEL 36TFBGA ISSI, Solution intégrée au silicium inc.

Type de mémoire: Volatil
Format de mémoire: SRAM
La technologie: SRAM - Asynchrone
La Chine MTFC16GJUEF-AIT TR IC FLASH 128GBIT MMC 169TFBGA Micron Technology Inc. Il est fourni par les fournisseurs de services de téléphonie mobile.

MTFC16GJUEF-AIT TR IC FLASH 128GBIT MMC 169TFBGA Micron Technology Inc. Il est fourni par les fournisseurs de services de téléphonie mobile.

Type de mémoire: Non-volatile
Format de mémoire: Flash
Technologie: ÉCLAIR - NON-ET
La Chine MTFC32GAPALNA-AAT IC FLASH 256GBIT MMC 100TBGA Micron Technology Inc. Il est fourni par les fournisseurs de services de téléphonie mobile.

MTFC32GAPALNA-AAT IC FLASH 256GBIT MMC 100TBGA Micron Technology Inc. Il est fourni par les fournisseurs de services de téléphonie mobile.

Type de mémoire: Non-volatile
Format de mémoire: Flash
Technologie: ÉCLAIR - NON-ET
La Chine R1LV1616RSD-7SI#B0 IC SRAM 16MBIT PAR 52TSOP II Renesas Electronics America Inc. est une société américaine de fabrication d'électronique.

R1LV1616RSD-7SI#B0 IC SRAM 16MBIT PAR 52TSOP II Renesas Electronics America Inc. est une société américaine de fabrication d'électronique.

Type de mémoire: Volatil
Format de mémoire: SRAM
La technologie: SRAM
La Chine M29F800FB5AN6E2 IC FLASH 8MBIT PARALLEL 48TSOP I Alliance Memory, Inc. Il est également utilisé pour les mémoires de base.

M29F800FB5AN6E2 IC FLASH 8MBIT PARALLEL 48TSOP I Alliance Memory, Inc. Il est également utilisé pour les mémoires de base.

Type de mémoire: Non-volatile
Format de mémoire: Flash
Technologie: ÉCLAIR - NI
La Chine MR4A16BYS35 IC RAM 16MBIT PARALLEL 54TSOP2 Everspin Technologies Inc. est une société américaine de technologie de l'information.

MR4A16BYS35 IC RAM 16MBIT PARALLEL 54TSOP2 Everspin Technologies Inc. est une société américaine de technologie de l'information.

Type de mémoire: Non-volatile
Format de mémoire: La RAM
Technologie: une résistance à la combustion de l'air supérieure ou égale à 1 kPa;
La Chine FT93C46A-IDR-B IC EEPROM 1KBIT 3-WIRE 2MHZ 8DIP Fremont Micro Devices Ltd. est un fabricant américain de circuits intégrés.

FT93C46A-IDR-B IC EEPROM 1KBIT 3-WIRE 2MHZ 8DIP Fremont Micro Devices Ltd. est un fabricant américain de circuits intégrés.

Type de mémoire: Non-volatile
Format de mémoire: EEPROM
Technologie: EEPROM
La Chine 71V25761S166PFG8 IC SRAM 4.5MBIT PAR 100TQFP Renesas Electronics America Inc. Il est également utilisé pour les télécommunications.

71V25761S166PFG8 IC SRAM 4.5MBIT PAR 100TQFP Renesas Electronics America Inc. Il est également utilisé pour les télécommunications.

Type de mémoire: Volatil
Format de mémoire: SRAM
La technologie: SRAM - Synchrone, DTS
La Chine MX29F400CTMI-90G IC FLASH 4MBIT PARALLÈLE 44SOP Macronix

MX29F400CTMI-90G IC FLASH 4MBIT PARALLÈLE 44SOP Macronix

Type de mémoire: Non-volatile
Format de mémoire: Flash
Technologie: ÉCLAIR - NI
La Chine W9725G8KB-25 TR IC DRAM 256MBIT PARALÈL 60WBGA Électronique de Winbond

W9725G8KB-25 TR IC DRAM 256MBIT PARALÈL 60WBGA Électronique de Winbond

Type de mémoire: Volatil
Format de mémoire: DRACHME
La technologie: SDRAM-DDR2
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