La Chine Les données de l'enquête sont fournies par les autorités compétentes.

Les données de l'enquête sont fournies par les autorités compétentes.

Type de mémoire: Volatil
Format de mémoire: SRAM
La technologie: SRAM - double port, synchrone
La Chine AS4C16M32MD1-5BCN IC DRAM 512MBIT PARALLEL 90FBGA Alliance Memory, Inc. Il est fourni par le fournisseur d'accès à l'équipement.

AS4C16M32MD1-5BCN IC DRAM 512MBIT PARALLEL 90FBGA Alliance Memory, Inc. Il est fourni par le fournisseur d'accès à l'équipement.

Type de mémoire: Volatil
Format de mémoire: DRACHME
Technologie: SDRAM - LPDDR mobile
La Chine L'utilisation de ces produits est interdite par la réglementation en vigueur.

L'utilisation de ces produits est interdite par la réglementation en vigueur.

Type de mémoire: Volatil
Format de mémoire: PSRAM
Technologie: PSRAM (pseudo SRAM)
La Chine CY7C4021KV13-600FCXC IC SRAM 72MBIT PAR 361FCBGA Les technologies Infineon

CY7C4021KV13-600FCXC IC SRAM 72MBIT PAR 361FCBGA Les technologies Infineon

Type de mémoire: Volatil
Format de mémoire: SRAM
La technologie: La valeur de l'équipement doit être supérieure ou égale à la valeur de l'équipement.
La Chine 7005L20JGI IC SRAM 64KBIT PARALLEL 68PLCC Renesas Electronics America Inc. est une société américaine basée à New York.

7005L20JGI IC SRAM 64KBIT PARALLEL 68PLCC Renesas Electronics America Inc. est une société américaine basée à New York.

Type de mémoire: Volatil
Format de mémoire: SRAM
Technologie: SRAM - Port double, asynchrone
La Chine AT28C010-12EM/883 IC EEPROM 1MBIT PARALLEL 32LCC Technologie de la puce électronique

AT28C010-12EM/883 IC EEPROM 1MBIT PARALLEL 32LCC Technologie de la puce électronique

Type de mémoire: Non-volatile
Format de mémoire: EEPROM
Technologie: EEPROM
La Chine AS4C512M8D3-12BAN IC DRAM 4GBIT PARALLEL 78FBGA Alliance Memory, Inc. Il est fourni par le fournisseur d'accès à la mémoire.

AS4C512M8D3-12BAN IC DRAM 4GBIT PARALLEL 78FBGA Alliance Memory, Inc. Il est fourni par le fournisseur d'accès à la mémoire.

Type de mémoire: Volatil
Format de mémoire: DRACHME
Technologie: SDRAM - DDR3
La Chine Les produits de la catégorie 1 peuvent être utilisés pour des produits de la catégorie 2 ou 3 ou pour des produits de la catégorie 3 ou 4.

Les produits de la catégorie 1 peuvent être utilisés pour des produits de la catégorie 2 ou 3 ou pour des produits de la catégorie 3 ou 4.

Type de mémoire: Non-volatile
Format de mémoire: Flash
Technologie: ÉCLAIR - NON-ET (MLC)
La Chine IS61DDB21M18A-300B4L IC SRAM 18MBIT PARALLEL 165LFBGA ISSI, Solution intégrée au silicium inc.

IS61DDB21M18A-300B4L IC SRAM 18MBIT PARALLEL 165LFBGA ISSI, Solution intégrée au silicium inc.

Type de mémoire: Volatil
Format de mémoire: SRAM
Technologie: SRAM - synchrone, DDR II
1 2 3 4 5 6 7 8