La Chine M68AW031AM70N6T IC SRAM 256KBIT PARALLEL 28TSOP STMicroélectronique

M68AW031AM70N6T IC SRAM 256KBIT PARALLEL 28TSOP STMicroélectronique

Type de mémoire: Volatil
Format de mémoire: SRAM
Technologie: SRAM - Asynchrone
La Chine CY7C1019DV33-10VXI IC SRAM 1MBIT PARALLEL 32SOJ Infineon Technologies est une société américaine basée à New York.

CY7C1019DV33-10VXI IC SRAM 1MBIT PARALLEL 32SOJ Infineon Technologies est une société américaine basée à New York.

Type de mémoire: Volatil
Format de mémoire: SRAM
Technologie: SRAM - Asynchrone
La Chine CY7C144AV-25AXC IC SRAM 64KBIT PARALLEL 64TQFP Cypress Semi-conducteurs Corp.

CY7C144AV-25AXC IC SRAM 64KBIT PARALLEL 64TQFP Cypress Semi-conducteurs Corp.

Type de mémoire: Volatil
Format de mémoire: SRAM
Technologie: SRAM - Port double, asynchrone
La Chine S25FL128LAGMFA000 IC FLASH 128MBIT SPI/QUAD 16SOIC Les technologies Infineon ont été développées par

S25FL128LAGMFA000 IC FLASH 128MBIT SPI/QUAD 16SOIC Les technologies Infineon ont été développées par

Type de mémoire: Non-volatile
Format de mémoire: Flash
Technologie: ÉCLAIR - NI
La Chine MR2A16AVMA35 IC RAM 4MBIT PARALÈL 48FBGA Everspin Technologies Inc.

MR2A16AVMA35 IC RAM 4MBIT PARALÈL 48FBGA Everspin Technologies Inc.

Type de mémoire: Non-volatile
Format de mémoire: La RAM
Technologie: une résistance à la combustion de l'air supérieure ou égale à 1 kPa;
La Chine AS7C256A-10TCN IC SRAM 256KBIT PAR 28TSOP I Alliance Memory, Inc. Il est fourni par le fournisseur de services de stockage et de traitement des données.

AS7C256A-10TCN IC SRAM 256KBIT PAR 28TSOP I Alliance Memory, Inc. Il est fourni par le fournisseur de services de stockage et de traitement des données.

Type de mémoire: Volatil
Format de mémoire: SRAM
Technologie: SRAM - Asynchrone
La Chine S70FL01GSAGMFI010 IC FLASH 1GBIT SPI/QUAD 16SOIC Les technologies Infineon ont été créées

S70FL01GSAGMFI010 IC FLASH 1GBIT SPI/QUAD 16SOIC Les technologies Infineon ont été créées

Type de mémoire: Non-volatile
Format de mémoire: Flash
Technologie: ÉCLAIR - NI
La Chine CY7C1049GN30-10VXI IC SRAM 4MBIT PARALÈL 36SOJ Infineon Technologies

CY7C1049GN30-10VXI IC SRAM 4MBIT PARALÈL 36SOJ Infineon Technologies

Type de mémoire: Volatil
Format de mémoire: SRAM
Technologie: SRAM - Asynchrone
La Chine Le système d'exploitation de l'appareil est basé sur les données de base fournies par le fabricant.

Le système d'exploitation de l'appareil est basé sur les données de base fournies par le fabricant.

Type de mémoire: Non-volatile
Format de mémoire: Flash
Technologie: ÉCLAIR - NI
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