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La Chine MT29F4G08ABADAH4-IT:D TR IC FLASH 4GBIT PARALLEL 63VFBGA Micron Technology Inc. Il est également utilisé pour les téléphones mobiles.

MT29F4G08ABADAH4-IT:D TR IC FLASH 4GBIT PARALLEL 63VFBGA Micron Technology Inc. Il est également utilisé pour les téléphones mobiles.

Type de mémoire: Non-volatile
Format de mémoire: Flash
Technologie: ÉCLAIR - NON-ET
La Chine La technologie des puces à puces est utilisée pour la fabrication de puces à puces.

La technologie des puces à puces est utilisée pour la fabrication de puces à puces.

Type de mémoire: Non-volatile
Format de mémoire: Flash
Technologie: Flash
La Chine M24C02-FMC6TG IC EEPROM 2KBIT I2C 8UFDFPN STMicroélectronique

M24C02-FMC6TG IC EEPROM 2KBIT I2C 8UFDFPN STMicroélectronique

Type de mémoire: Non-volatile
Format de mémoire: EEPROM
Technologie: EEPROM
La Chine Les produits de la catégorie 1 peuvent être utilisés pour les produits de la catégorie 2 ou 3

Les produits de la catégorie 1 peuvent être utilisés pour les produits de la catégorie 2 ou 3

Type de mémoire: Volatil
Format de mémoire: SRAM
Technologie: SRAM - Synchrone, DTS
La Chine W949D2DBJX5I IC DRAM 512MBIT PAR 90VFBGA Électronique de Winbond

W949D2DBJX5I IC DRAM 512MBIT PAR 90VFBGA Électronique de Winbond

Type de mémoire: Volatil
Format de mémoire: DRACHME
Technologie: SDRAM - LPDDR mobile
La Chine NM93C06M8 IC EEPROM 256BIT MICROWIRE 8SOIC à semi

NM93C06M8 IC EEPROM 256BIT MICROWIRE 8SOIC à semi

Type de mémoire: Non-volatile
Format de mémoire: EEPROM
Technologie: EEPROM
La Chine MT29C4G48MAZBBAKB-48 IT IC FLASH RAM 4GBIT PAR 168WFBGA Micron Technology Inc. Il est fourni par les fournisseurs de services de téléphonie mobile.

MT29C4G48MAZBBAKB-48 IT IC FLASH RAM 4GBIT PAR 168WFBGA Micron Technology Inc. Il est fourni par les fournisseurs de services de téléphonie mobile.

Type de mémoire: Non volatil, volatil
Format de mémoire: ÉCLAIR, RAM
Technologie: Flash - NAND, LPDRAM pour appareil mobile
La Chine IS43R16160F-6BLI IC DRAM 256MBIT PAR 60TFBGA ISSI, Solution intégrée au silicium inc.

IS43R16160F-6BLI IC DRAM 256MBIT PAR 60TFBGA ISSI, Solution intégrée au silicium inc.

Type de mémoire: Volatil
Format de mémoire: DRACHME
Technologie: SDRAM-DDR
La Chine MT44K16M36RB-107E:B TR IC DRAM 576 MBIT PAR 168BGA Micron Technology Inc.

MT44K16M36RB-107E:B TR IC DRAM 576 MBIT PAR 168BGA Micron Technology Inc.

Type de mémoire: Volatil
Format de mémoire: DRACHME
Technologie: DRACHME
La Chine MX25L2006EM1I-12G IC FLASH 2MBIT SPI 86MHZ 8SOP Macronix qui est équipé d'un écran de commande

MX25L2006EM1I-12G IC FLASH 2MBIT SPI 86MHZ 8SOP Macronix qui est équipé d'un écran de commande

Type de mémoire: Non-volatile
Format de mémoire: Flash
Technologie: ÉCLAIR - NI
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