La Chine Le système de traitement des données est basé sur les données de base fournies par le système de traitement des données.

Le système de traitement des données est basé sur les données de base fournies par le système de traitement des données.

Type de mémoire: Volatil
Format de mémoire: SRAM
Technologie: SRAM - Quad Port, synchrone
La Chine Le système de commande de l'appareil est basé sur le système de commande de l'appareil, qui est basé sur le système de commande de l'appareil.

Le système de commande de l'appareil est basé sur le système de commande de l'appareil, qui est basé sur le système de commande de l'appareil.

Type de mémoire: Non-volatile
Format de mémoire: EEPROM
Technologie: EEPROM
La Chine AS7C34098A-10JIN IC SRAM 4MBIT PARALÈL 44SOJ Alliance Memory, Inc. Il est fourni par le fournisseur de services de stockage de données.

AS7C34098A-10JIN IC SRAM 4MBIT PARALÈL 44SOJ Alliance Memory, Inc. Il est fourni par le fournisseur de services de stockage de données.

Type de mémoire: Volatil
Format de mémoire: SRAM
Technologie: SRAM - Asynchrone
La Chine IS61WV102416BLL-10TLI IC SRAM 16MBIT PARALLEL 48TSOP I ISSI, Solution intégrée au silicium inc.

IS61WV102416BLL-10TLI IC SRAM 16MBIT PARALLEL 48TSOP I ISSI, Solution intégrée au silicium inc.

Type de mémoire: Volatil
Format de mémoire: SRAM
Technologie: SRAM - Asynchrone
La Chine 70V657S10DRG IC SRAM 1.125MBIT PAR 208PQFP Renesas Electronics America Inc. Il est fourni par les fournisseurs de services de télécommunications américains.

70V657S10DRG IC SRAM 1.125MBIT PAR 208PQFP Renesas Electronics America Inc. Il est fourni par les fournisseurs de services de télécommunications américains.

Type de mémoire: Volatil
Format de mémoire: SRAM
Technologie: SRAM - Port double, asynchrone
La Chine W979H2KBVX2I IC DRAM 512MBIT PAR 134VFBGA Électronique Winbond

W979H2KBVX2I IC DRAM 512MBIT PAR 134VFBGA Électronique Winbond

Type de mémoire: Volatil
Format de mémoire: DRACHME
Technologie: SDRAM - LPDDR2 mobile
La Chine MX25V1635FZNI IC FLASH 16MBIT SPI/QUAD 8WSON Macronix

MX25V1635FZNI IC FLASH 16MBIT SPI/QUAD 8WSON Macronix

Type de mémoire: Non-volatile
Format de mémoire: Flash
Technologie: ÉCLAIR - NI
La Chine W25Q32JVTCIQ TR IC FLASH 32MBIT SPI/QUAD 24TFBGA Électronique Winbond

W25Q32JVTCIQ TR IC FLASH 32MBIT SPI/QUAD 24TFBGA Électronique Winbond

Type de mémoire: Non-volatile
Format de mémoire: Flash
Technologie: ÉCLAIR - NI
La Chine IS62C256AL-45ULI-TR IC SRAM 256KBIT PARALLEL 28SOP ISSI, Solution intégrée au silicium inc.

IS62C256AL-45ULI-TR IC SRAM 256KBIT PARALLEL 28SOP ISSI, Solution intégrée au silicium inc.

Type de mémoire: Volatil
Format de mémoire: SRAM
Technologie: SRAM - Asynchrone
La Chine CYD09S36V18-200BBXI IC SRAM 9MBIT PARALLEL 256FBGA Cypress Semi-conducteurs Corp.

CYD09S36V18-200BBXI IC SRAM 9MBIT PARALLEL 256FBGA Cypress Semi-conducteurs Corp.

Type de mémoire: Volatil
Format de mémoire: SRAM
Technologie: SRAM - double port, synchrone
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