La Chine MT40A1G8SA-062E IT:E IC DRAM 8GBIT PARALÈL 78FBGA Micron Technology Inc.

MT40A1G8SA-062E IT:E IC DRAM 8GBIT PARALÈL 78FBGA Micron Technology Inc.

Type de mémoire: Volatil
Format de mémoire: DRACHME
Technologie: SDRAM - DDR4
La Chine AT25020AY1-10YU-1.8 IC EEPROM 2KBIT SPI 20MHZ 8MAP Technologie à puce

AT25020AY1-10YU-1.8 IC EEPROM 2KBIT SPI 20MHZ 8MAP Technologie à puce

Type de mémoire: Non-volatile
Format de mémoire: EEPROM
Technologie: EEPROM
La Chine MT25QL512ABB8E12-0SIT IC FLASH 512MBIT SPI 24TPBGA Micron Technology Inc.

MT25QL512ABB8E12-0SIT IC FLASH 512MBIT SPI 24TPBGA Micron Technology Inc.

Type de mémoire: Non-volatile
Format de mémoire: Flash
Technologie: ÉCLAIR - NI
La Chine AT24C512C-MAHM-T IC EEPROM 512KBIT I2C 8UDFN Technologie à puce

AT24C512C-MAHM-T IC EEPROM 512KBIT I2C 8UDFN Technologie à puce

Type de mémoire: Non-volatile
Format de mémoire: EEPROM
Technologie: EEPROM
La Chine CY7C1071DV33-12BAXI IC SRAM 32MBIT PARALLEL 48FBGA Les technologies Infineon ont été utilisées pour la mise en œuvre de cette technologie.

CY7C1071DV33-12BAXI IC SRAM 32MBIT PARALLEL 48FBGA Les technologies Infineon ont été utilisées pour la mise en œuvre de cette technologie.

Type de mémoire: Volatil
Format de mémoire: SRAM
Technologie: SRAM - Asynchrone
La Chine AS7C316098A-10BIN IC SRAM 16MBIT PARALLEL 48TFBGA Alliance Memory, Inc. est une société américaine de stockage de mémoires.

AS7C316098A-10BIN IC SRAM 16MBIT PARALLEL 48TFBGA Alliance Memory, Inc. est une société américaine de stockage de mémoires.

Type de mémoire: Volatil
Format de mémoire: SRAM
Technologie: SRAM - Asynchrone
La Chine IS43LD16640A-25BL IC DRAM 1GBIT PARALLEL 134TFBGA ISSI, Solution intégrée au silicium inc.

IS43LD16640A-25BL IC DRAM 1GBIT PARALLEL 134TFBGA ISSI, Solution intégrée au silicium inc.

Type de mémoire: Volatil
Format de mémoire: DRACHME
Technologie: SDRAM - LPDDR2 mobile
La Chine AT24C256C-MAHL-T IC EEPROM 256KBIT I2C 1MHZ 8UDFN Technologie à puce

AT24C256C-MAHL-T IC EEPROM 256KBIT I2C 1MHZ 8UDFN Technologie à puce

Type de mémoire: Non-volatile
Format de mémoire: EEPROM
Technologie: EEPROM
La Chine AT49F1024-55VC IC FLASH 1MBIT PARALLÈLE 40VSOP Technologie à puce

AT49F1024-55VC IC FLASH 1MBIT PARALLÈLE 40VSOP Technologie à puce

Type de mémoire: Non-volatile
Format de mémoire: Flash
Technologie: Flash
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