La Chine AS4C128M8D3-12BAN IC DRAM 1GBIT PARALLEL 78FBGA Alliance Memory, Inc. Il est fourni par le fournisseur d'accès à la mémoire.

AS4C128M8D3-12BAN IC DRAM 1GBIT PARALLEL 78FBGA Alliance Memory, Inc. Il est fourni par le fournisseur d'accès à la mémoire.

Type de mémoire: Volatil
Format de mémoire: DRACHME
Technologie: SDRAM - DDR3
La Chine CY14V256LA-BA35XI IC NVSRAM 256KBIT PAR 48FBGA Pour les technologies Infineon

CY14V256LA-BA35XI IC NVSRAM 256KBIT PAR 48FBGA Pour les technologies Infineon

Type de mémoire: Non-volatile
Format de mémoire: NVSRAM
Technologie: NVSRAM (SRAM non-volatile)
La Chine IS43DR81280C-25DBL IC DRAM 1GBIT PARALLEL 60TWBGA ISSI, Solution intégrée au silicium inc.

IS43DR81280C-25DBL IC DRAM 1GBIT PARALLEL 60TWBGA ISSI, Solution intégrée au silicium inc.

Type de mémoire: Volatil
Format de mémoire: DRACHME
Technologie: SDRAM-DDR2
La Chine DS1225AD-200+ IC NVSRAM 64KBIT PARALLEL 28EDIP Analog Devices Inc./Maxim Intégré

DS1225AD-200+ IC NVSRAM 64KBIT PARALLEL 28EDIP Analog Devices Inc./Maxim Intégré

Type de mémoire: Non-volatile
Format de mémoire: NVSRAM
Technologie: NVSRAM (SRAM non-volatile)
La Chine CY7C10612G30-10ZSXI IC SRAM 16MBIT PAR 54TSOP II Les technologies Infineon

CY7C10612G30-10ZSXI IC SRAM 16MBIT PAR 54TSOP II Les technologies Infineon

Type de mémoire: Volatil
Format de mémoire: SRAM
Technologie: SRAM - Asynchrone
La Chine IS25LP128-JBLE IC FLASH 128MBIT SPI/QUAD 8SOIC ISSI, Solution intégrée au silicium inc.

IS25LP128-JBLE IC FLASH 128MBIT SPI/QUAD 8SOIC ISSI, Solution intégrée au silicium inc.

Type de mémoire: Non-volatile
Format de mémoire: Flash
Technologie: ÉCLAIR - NI
La Chine IS25LP128-JMLE IC FLASH 128MBIT SPI/QUAD 16SOIC ISSI, Solution intégrée au silicium inc.

IS25LP128-JMLE IC FLASH 128MBIT SPI/QUAD 16SOIC ISSI, Solution intégrée au silicium inc.

Type de mémoire: Non-volatile
Format de mémoire: Flash
Technologie: ÉCLAIR - NI
La Chine CY62146EV30LL-45ZSXI IC SRAM 4MBIT PARALLEL 44TSOP II Les technologies Infineon ont été développées par des spécialistes de la technologie

CY62146EV30LL-45ZSXI IC SRAM 4MBIT PARALLEL 44TSOP II Les technologies Infineon ont été développées par des spécialistes de la technologie

Type de mémoire: Volatil
Format de mémoire: SRAM
Technologie: SRAM - Asynchrone
La Chine MX29F200CBTI-70G IC FLASH 2MBIT PARALLÈLE 48TSOP Macronix

MX29F200CBTI-70G IC FLASH 2MBIT PARALLÈLE 48TSOP Macronix

Type de mémoire: Non-volatile
Format de mémoire: Flash
Technologie: ÉCLAIR - NI
La Chine S25FL128LAGNFI010 IC FLASH 128MBIT SPI/QUAD 8WSON Les technologies Infineon ont été utilisées pour la fabrication de l'appareil

S25FL128LAGNFI010 IC FLASH 128MBIT SPI/QUAD 8WSON Les technologies Infineon ont été utilisées pour la fabrication de l'appareil

Type de mémoire: Non-volatile
Format de mémoire: Flash
Technologie: ÉCLAIR - NI
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