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CY7C1021DV33-10VXIT IC SRAM 1MBIT PARALLEL 44SOJ Infineon Technologies est une société américaine basée à New York.
| Type de mémoire: | Volatil |
|---|---|
| Format de mémoire: | SRAM |
| Technologie: | SRAM - Asynchrone |
AT25DF021A-XMHN-T IC FLASH 2MBIT SPI 104MHZ 8TSSOP Renesas Design Allemagne GmbH
| Type de mémoire: | Non-volatile |
|---|---|
| Format de mémoire: | Flash |
| Technologie: | Flash |
93LC56BT-I/MC IC EEPROM 2KBIT MICROWIRE 8DFN Technologie à puce électronique
| Type de mémoire: | Non-volatile |
|---|---|
| Format de mémoire: | EEPROM |
| Technologie: | EEPROM |
IS43TR81280B-107MBL-TR IC DRAM 1GBIT PAR 78TWBGA ISSI, Solution intégrée au silicium inc.
| Type de mémoire: | Volatil |
|---|---|
| Format de mémoire: | DRACHME |
| Technologie: | SDRAM - DDR3 |
MT48LC16M16A2B4-7E IT:G IC DRAM 256 MBIT PAR 54VFBGA Micron Technology Inc.
| Type de mémoire: | Volatil |
|---|---|
| Format de mémoire: | DRACHME |
| Technologie: | SDRAM |
7130SA100C IC SRAM 8KBIT PARALLEL SB48 Renesas Electronics America Inc. est une société américaine
| Type de mémoire: | Volatil |
|---|---|
| Format de mémoire: | SRAM |
| Technologie: | SRAM - Port double, asynchrone |
AS4C4M16SA-6TIN IC DRAM 64MBIT PAR 54TSOP II Alliance Memory, Inc. Il est fourni par le fournisseur d'accès à la mémoire.
| Type de mémoire: | Volatil |
|---|---|
| Format de mémoire: | DRACHME |
| Technologie: | SDRAM |
71V424S10PHG IC SRAM 4MBIT PARALLEL 44TSOP II Renesas Electronics America Inc. Il est également utilisé pour les télécommunications.
| Type de mémoire: | Volatil |
|---|---|
| Format de mémoire: | SRAM |
| Technologie: | SRAM - Asynchrone |
24CW1280T-I/OT IC EEPROM 128KBIT I2C SOT23-5 Technologie à puce
| Type de mémoire: | Non-volatile |
|---|---|
| Format de mémoire: | EEPROM |
| Technologie: | EEPROM |
Le système de commande de l'appareil est basé sur le système de commande de l'appareil.
| Type de mémoire: | Non-volatile |
|---|---|
| Format de mémoire: | EEPROM |
| Technologie: | EEPROM |