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La Chine Le système de commande de l'appareil est basé sur le système de commande de l'appareil

Le système de commande de l'appareil est basé sur le système de commande de l'appareil

Type de mémoire: Non-volatile
Format de mémoire: EEPROM
Technologie: EEPROM
La Chine 71V416S15YG8 IC SRAM 4MBIT PARALÈL 44SOJ Renesas Electronics America Inc.

71V416S15YG8 IC SRAM 4MBIT PARALÈL 44SOJ Renesas Electronics America Inc.

Type de mémoire: Volatil
Format de mémoire: SRAM
Technologie: SRAM - Asynchrone
La Chine MT41K512M16HA-125:A DRAM IC 8GBIT PARALLEL 96FBGA Alliance Memory, Inc. Il est fourni par le fournisseur de la mémoire.

MT41K512M16HA-125:A DRAM IC 8GBIT PARALLEL 96FBGA Alliance Memory, Inc. Il est fourni par le fournisseur de la mémoire.

Type de mémoire: Volatil
Format de mémoire: DRACHME
Technologie: SDRAM - DDR3L
La Chine S25FL256SAGBHVB00 IC FLASH 256MBIT SPI/QUAD 24BGA Les technologies Infineon

S25FL256SAGBHVB00 IC FLASH 256MBIT SPI/QUAD 24BGA Les technologies Infineon

Type de mémoire: Non-volatile
Format de mémoire: Flash
Technologie: ÉCLAIR - NI
La Chine Le système de commande de l'appareil est basé sur le système de commande de l'appareil

Le système de commande de l'appareil est basé sur le système de commande de l'appareil

Type de mémoire: Non-volatile
Format de mémoire: EEPROM
Technologie: EEPROM
La Chine 71256SA25YG IC SRAM 256KBIT PARALÈL 28SOJ Renesas Electronics America Inc.

71256SA25YG IC SRAM 256KBIT PARALÈL 28SOJ Renesas Electronics America Inc.

Type de mémoire: Volatil
Format de mémoire: SRAM
Technologie: SRAM - Asynchrone
La Chine CY7C1399B-15ZXI IC SRAM 256KBIT PAR 28TSOP I Cypress Semi-conducteurs Corp

CY7C1399B-15ZXI IC SRAM 256KBIT PAR 28TSOP I Cypress Semi-conducteurs Corp

Type de mémoire: Volatil
Format de mémoire: SRAM
Technologie: SRAM - Asynchrone
La Chine 71024S15TYG IC SRAM 1MBIT PARALÈL 32SOJ Renesas Electronics America Inc.

71024S15TYG IC SRAM 1MBIT PARALÈL 32SOJ Renesas Electronics America Inc.

Type de mémoire: Volatil
Format de mémoire: SRAM
Technologie: SRAM - Asynchrone
La Chine IS43DR16640C-25DBL IC DRAM 1GBIT PARALLEL 84TWBGA ISSI, Solution intégrée au silicium inc.

IS43DR16640C-25DBL IC DRAM 1GBIT PARALLEL 84TWBGA ISSI, Solution intégrée au silicium inc.

Type de mémoire: Volatil
Format de mémoire: DRACHME
Technologie: SDRAM-DDR2
La Chine W25N01GVZEIG TR IC FLASH 1GBIT SPI 104MHZ 8WSON Électronique Winbond

W25N01GVZEIG TR IC FLASH 1GBIT SPI 104MHZ 8WSON Électronique Winbond

Type de mémoire: Non-volatile
Format de mémoire: Flash
Technologie: ÉCLAIR - NON-ET
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