La Chine 70V9269L12PRFGI IC SRAM 256KBIT PARALLEL 128TQFP Renesas Electronics America Inc. Il est également utilisé pour les télécommunications.

70V9269L12PRFGI IC SRAM 256KBIT PARALLEL 128TQFP Renesas Electronics America Inc. Il est également utilisé pour les télécommunications.

Type de mémoire: Volatil
Format de mémoire: SRAM
Technologie: SRAM - double port, synchrone
La Chine IS42S32200L-7TL IC DRAM 64MBIT PAR 86TSOP II ISSI, Solution intégrée au silicium inc.

IS42S32200L-7TL IC DRAM 64MBIT PAR 86TSOP II ISSI, Solution intégrée au silicium inc.

Type de mémoire: Volatil
Format de mémoire: DRACHME
Technologie: SDRAM
La Chine S34MS01G104BHI010 IC FLASH 1GBIT PARALLEL 63BGA Cypress Semi-conducteurs Corp.

S34MS01G104BHI010 IC FLASH 1GBIT PARALLEL 63BGA Cypress Semi-conducteurs Corp.

Type de mémoire: Non-volatile
Format de mémoire: Flash
Technologie: ÉCLAIR - NON-ET
La Chine MT47H64M4BP-37E:B TR IC DRAM 256 MBIT PAR 60FBGA Micron Technology Inc.

MT47H64M4BP-37E:B TR IC DRAM 256 MBIT PAR 60FBGA Micron Technology Inc.

Type de mémoire: Volatil
Format de mémoire: DRACHME
Technologie: SDRAM-DDR2
La Chine W631GG8KB-11 IC DRAM 1GBIT PAR 78WBGA Électronique Winbond

W631GG8KB-11 IC DRAM 1GBIT PAR 78WBGA Électronique Winbond

Type de mémoire: Volatil
Format de mémoire: DRACHME
Technologie: SDRAM - DDR3
La Chine CY62128ELL-45SXIT IC SRAM 1MBIT PARALLEL 32SOIC Infineon Technologies est une société américaine de technologie

CY62128ELL-45SXIT IC SRAM 1MBIT PARALLEL 32SOIC Infineon Technologies est une société américaine de technologie

Type de mémoire: Volatil
Format de mémoire: SRAM
Technologie: SRAM - Asynchrone
La Chine Le système de gestion des données est basé sur les données fournies par le système de gestion des données.

Le système de gestion des données est basé sur les données fournies par le système de gestion des données.

Type de mémoire: Non-volatile
Format de mémoire: EEPROM
Technologie: EEPROM
La Chine 7026L15JG IC SRAM 256KBIT PARALLEL 84PLCC Renesas Electronics America Inc. Elle a été créée en collaboration avec la société américaine Renesas Electronics.

7026L15JG IC SRAM 256KBIT PARALLEL 84PLCC Renesas Electronics America Inc. Elle a été créée en collaboration avec la société américaine Renesas Electronics.

Type de mémoire: Volatil
Format de mémoire: SRAM
Technologie: SRAM - Port double, asynchrone
La Chine AT27LV040A-12VI IC EPROM 4MBIT PARALLEL 32VSOP Technologie à puce

AT27LV040A-12VI IC EPROM 4MBIT PARALLEL 32VSOP Technologie à puce

Type de mémoire: Non-volatile
Format de mémoire: EPROM
Technologie: EPROM - OTP (en anglais seulement)
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