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W25Q128JVFIQ IC FLASH 128MBIT SPI/QUAD 16SOIC Électronique Winbond
| Type de mémoire: | Non-volatile |
|---|---|
| Format de mémoire: | Flash |
| Technologie: | ÉCLAIR - NI |
IS42S16160J-7BLI IC DRAM 256MBIT PAR 54TFBGA ISSI, Solution intégrée au silicium inc.
| Type de mémoire: | Volatil |
|---|---|
| Format de mémoire: | DRACHME |
| Technologie: | SDRAM |
MT48LC16M16A2P-6A:G TR IC DRAM 256MBIT PAR 54TSOP II Micron Technology Inc. Il est fourni par les fournisseurs de services de téléphonie mobile.
| Type de mémoire: | Volatil |
|---|---|
| Format de mémoire: | DRACHME |
| Technologie: | SDRAM |
AT25DF021A-SSHN-T IC FLASH 2MBIT SPI 104MHZ 8SOIC Renesas Design Germany GmbH qui est une société allemande
| Type de mémoire: | Non-volatile |
|---|---|
| Format de mémoire: | Flash |
| Technologie: | Flash |
AT28HC256-12TU IC EEPROM 256KBIT PAR 28TSOP Technologie à puce électronique
| Type de mémoire: | Non-volatile |
|---|---|
| Format de mémoire: | EEPROM |
| Technologie: | EEPROM |
W25Q16JVSSIQ TR IC FLASH 16MBIT SPI/QUAD 8SOIC Électronique de la société Winbond
| Type de mémoire: | Non-volatile |
|---|---|
| Format de mémoire: | Flash |
| Technologie: | ÉCLAIR - NI |
MT46V32M16P-5B:J TR IC DRAM 512MBIT PARALLEL 66TSOP Micron Technology Inc. Il s'agit d'un système de traitement de données qui est utilisé par les opérateurs de téléphonie mobile.
| Type de mémoire: | Volatil |
|---|---|
| Format de mémoire: | DRACHME |
| Technologie: | SDRAM-DDR |
IS61C6416AL-12TLI IC SRAM 1MBIT PARALLEL 44TSOP II ISSI, Solution intégrée au silicium inc.
| Type de mémoire: | Volatil |
|---|---|
| Format de mémoire: | SRAM |
| Technologie: | SRAM - Asynchrone |
M24C02-WMN6TP IC EEPROM 2KBIT I2C 400KHZ 8SOIC STMicroélectronique
| Type de mémoire: | Non-volatile |
|---|---|
| Format de mémoire: | EEPROM |
| Technologie: | EEPROM |
24LC512-I/MF IC EEPROM 512KBIT I2C 8DFN Technologie à puce électronique
| Type de mémoire: | Non-volatile |
|---|---|
| Format de mémoire: | EEPROM |
| Technologie: | EEPROM |