Tous les produits
Personne à contacter : Zhao
Numéro de téléphone : +8613724359686
Whatsapp : +8618018788085
La Chine 70V657S10BFG IC SRAM 1.125MBIT PAR 208FPBGA Renesas Electronics America Inc. Il est fourni par les fournisseurs de services de télécommunications américains.

70V657S10BFG IC SRAM 1.125MBIT PAR 208FPBGA Renesas Electronics America Inc. Il est fourni par les fournisseurs de services de télécommunications américains.

Type de mémoire: Volatil
Format de mémoire: SRAM
Technologie: SRAM - Port double, asynchrone
La Chine FM25L16B-GTR IC FRAME 16KBIT SPI 20MHZ 8SOIC Infineon Technologies

FM25L16B-GTR IC FRAME 16KBIT SPI 20MHZ 8SOIC Infineon Technologies

Type de mémoire: Non-volatile
Format de mémoire: FRAM
Technologie: FRAM (RAM ferroélectrique)
La Chine CY7C1414BV18-200BZC IC SRAM 36MBIT PARALLEL 165FBGA Cypress Semi-conducteurs Corp

CY7C1414BV18-200BZC IC SRAM 36MBIT PARALLEL 165FBGA Cypress Semi-conducteurs Corp

Type de mémoire: Volatil
Format de mémoire: SRAM
Technologie: Le système de surveillance de l'équipement est équipé d'un système de surveillance de l'équipement.
La Chine MT25QL128ABA8E12-0SIT IC FLASH 128MBIT SPI 24TPBGA Micron Technology Inc. Il s'agit d'un système de traitement de données qui est utilisé par les opérateurs de télécommunications.

MT25QL128ABA8E12-0SIT IC FLASH 128MBIT SPI 24TPBGA Micron Technology Inc. Il s'agit d'un système de traitement de données qui est utilisé par les opérateurs de télécommunications.

Type de mémoire: Non-volatile
Format de mémoire: Flash
Technologie: ÉCLAIR - NI
La Chine AT27C020-55PU IC EPROM 2MBIT PARALLEL 32DIP Technologie de micro-puce

AT27C020-55PU IC EPROM 2MBIT PARALLEL 32DIP Technologie de micro-puce

Type de mémoire: Non-volatile
Format de mémoire: EPROM
Technologie: EPROM - OTP (en anglais seulement)
La Chine 24LC64T-E/MNY IC EEPROM 64KBIT I2C 8TDFN Technologie à puce

24LC64T-E/MNY IC EEPROM 64KBIT I2C 8TDFN Technologie à puce

Type de mémoire: Non-volatile
Format de mémoire: EEPROM
Technologie: EEPROM
La Chine S29AL008J70BFI023 IC FLASH 8MBIT PARALLEL 48FBGA Les technologies Infineon

S29AL008J70BFI023 IC FLASH 8MBIT PARALLEL 48FBGA Les technologies Infineon

Type de mémoire: Non-volatile
Format de mémoire: Flash
Technologie: ÉCLAIR - NI
La Chine IS61WV25616BLL-10BLI IC SRAM 4MBIT PARALLEL 48TFBGA ISSI, Solution intégrée au silicium inc.

IS61WV25616BLL-10BLI IC SRAM 4MBIT PARALLEL 48TFBGA ISSI, Solution intégrée au silicium inc.

Type de mémoire: Volatil
Format de mémoire: SRAM
Technologie: SRAM - Asynchrone
La Chine Le système d'exploitation de l'appareil est basé sur le système d'exploitation de l'appareil.

Le système d'exploitation de l'appareil est basé sur le système d'exploitation de l'appareil.

Type de mémoire: Non-volatile
Format de mémoire: Flash
Technologie: FLASH - Bloc de démarrage
La Chine S26KL128SDABHI020 IC FLASH 128MBIT PAR 24FBGA Les technologies Infineon

S26KL128SDABHI020 IC FLASH 128MBIT PAR 24FBGA Les technologies Infineon

Type de mémoire: Non-volatile
Format de mémoire: Flash
Technologie: ÉCLAIR - NI
27 28 29 30 31 32 33 34