La Chine CY7C199D-10VXI IC SRAM 256KBIT PARALLEL 28SOJ Infineon Technologies est une société américaine basée à New York.

CY7C199D-10VXI IC SRAM 256KBIT PARALLEL 28SOJ Infineon Technologies est une société américaine basée à New York.

Type de mémoire: Volatil
Format de mémoire: SRAM
Technologie: SRAM - Asynchrone
La Chine Le système de traitement des données est basé sur les données fournies par les fournisseurs de services.

Le système de traitement des données est basé sur les données fournies par les fournisseurs de services.

Type de mémoire: Volatil
Format de mémoire: DRACHME
Technologie: RLDRAM 2
La Chine S25FS512SAGNFI011 IC FLASH 512MBIT SPI/QUAD 8WSON Infineon Technologies est une société de technologie basée en France.

S25FS512SAGNFI011 IC FLASH 512MBIT SPI/QUAD 8WSON Infineon Technologies est une société de technologie basée en France.

Type de mémoire: Non-volatile
Format de mémoire: Flash
Technologie: ÉCLAIR - NI
La Chine IS43R16160F-6TLI IC DRAM 256MBIT PAR 66TSOP II ISSI, Solution intégrée au silicium inc.

IS43R16160F-6TLI IC DRAM 256MBIT PAR 66TSOP II ISSI, Solution intégrée au silicium inc.

Type de mémoire: Volatil
Format de mémoire: DRACHME
Technologie: SDRAM-DDR
La Chine AT45DB041E-MHN-T IC FLASH 4MBIT SPI 85MHZ 8UDFN Renesas Design Allemagne GmbH

AT45DB041E-MHN-T IC FLASH 4MBIT SPI 85MHZ 8UDFN Renesas Design Allemagne GmbH

Type de mémoire: Non-volatile
Format de mémoire: Flash
Technologie: Flash
La Chine PC28F640P30B85A IC FLASH 64MBIT PAR 64EASYBGA Micron Technology Inc.

PC28F640P30B85A IC FLASH 64MBIT PAR 64EASYBGA Micron Technology Inc.

Type de mémoire: Non-volatile
Format de mémoire: Flash
Technologie: ÉCLAIR - NI
La Chine IS61DDB251236A-250M3L IC SRAM 18MBIT PARALLEL 165LFBGA ISSI, Solution intégrée au silicium inc.

IS61DDB251236A-250M3L IC SRAM 18MBIT PARALLEL 165LFBGA ISSI, Solution intégrée au silicium inc.

Type de mémoire: Volatil
Format de mémoire: SRAM
Technologie: SRAM - synchrone, DDR II
La Chine S29GL512S10FHI010 IC FLASH 512MBIT PARALLEL 64FBGA Les technologies Infineon

S29GL512S10FHI010 IC FLASH 512MBIT PARALLEL 64FBGA Les technologies Infineon

Type de mémoire: Non-volatile
Format de mémoire: Flash
Technologie: ÉCLAIR - NI
La Chine CY14B101LA-SP45XI IC NVSRAM 1MBIT PARALLEL 48SSOP Technologies de l'Infineon qui est fournie par les fournisseurs de services de téléphonie mobile

CY14B101LA-SP45XI IC NVSRAM 1MBIT PARALLEL 48SSOP Technologies de l'Infineon qui est fournie par les fournisseurs de services de téléphonie mobile

Type de mémoire: Non-volatile
Format de mémoire: NVSRAM
Technologie: NVSRAM (SRAM non-volatile)
La Chine AT27C256R-70PU IC EPROM 256KBIT PARALLEL 28DIP Technologie à puce

AT27C256R-70PU IC EPROM 256KBIT PARALLEL 28DIP Technologie à puce

Type de mémoire: Non-volatile
Format de mémoire: EPROM
Technologie: EPROM - OTP (en anglais seulement)
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