La Chine W949D6DBHX5I IC DRAM 512MBIT PAR 60VFBGA Électronique de la société Winbond

W949D6DBHX5I IC DRAM 512MBIT PAR 60VFBGA Électronique de la société Winbond

Type de mémoire: Volatil
Format de mémoire: DRACHME
Technologie: SDRAM - LPDDR mobile
La Chine MTFC2GMTEA-WT TR IC FLASH 16GBIT MMC 153WFBGA Micron Technology Inc.

MTFC2GMTEA-WT TR IC FLASH 16GBIT MMC 153WFBGA Micron Technology Inc.

Type de mémoire: Non-volatile
Format de mémoire: Flash
Technologie: ÉCLAIR - NON-ET
La Chine BR24G02FVM-3GTTR IC EEPROM 2KBIT I2C 400KHZ 8MSOP Semi-conducteur Rohm

BR24G02FVM-3GTTR IC EEPROM 2KBIT I2C 400KHZ 8MSOP Semi-conducteur Rohm

Type de mémoire: Non-volatile
Format de mémoire: EEPROM
Technologie: EEPROM
La Chine FT24C32A-USR-T IC EEPROM 32KBIT I2C 800KHZ 8SOP Fremont Micro Devices Ltd. Il est fourni par le fournisseur de services de télécommunications américain.

FT24C32A-USR-T IC EEPROM 32KBIT I2C 800KHZ 8SOP Fremont Micro Devices Ltd. Il est fourni par le fournisseur de services de télécommunications américain.

Type de mémoire: Non-volatile
Format de mémoire: EEPROM
Technologie: EEPROM
La Chine FM24CL16B-GTR IC FRAME 16KBIT I2C 1MHZ 8SOIC Infineon Technologies

FM24CL16B-GTR IC FRAME 16KBIT I2C 1MHZ 8SOIC Infineon Technologies

Type de mémoire: Non-volatile
Format de mémoire: FRAM
Technologie: FRAM (RAM ferroélectrique)
La Chine AT27BV1024-90JU-T IC EPROM 1MBIT PARALLEL 44PLCC Technologie à puce

AT27BV1024-90JU-T IC EPROM 1MBIT PARALLEL 44PLCC Technologie à puce

Type de mémoire: Non-volatile
Format de mémoire: EPROM
Technologie: EPROM - OTP (en anglais seulement)
La Chine SST39VF800A-70-4I-MAQE-T IC FLASH 8MBIT PARALLEL 48WFBGA Technologie à puce électronique

SST39VF800A-70-4I-MAQE-T IC FLASH 8MBIT PARALLEL 48WFBGA Technologie à puce électronique

Type de mémoire: Non-volatile
Format de mémoire: Flash
Technologie: Flash
La Chine DS2431P+T&R IC EEPROM 1KBIT 1-WIRE 6TSOC Analog Devices Inc./Maxim intégré

DS2431P+T&R IC EEPROM 1KBIT 1-WIRE 6TSOC Analog Devices Inc./Maxim intégré

Type de mémoire: Non-volatile
Format de mémoire: EEPROM
Technologie: EEPROM
La Chine 6116LA25SOG8 IC SRAM 16KBIT PARALLEL 24SOIC Renesas Electronics America Inc. Elle est également utilisée pour les télécommunications.

6116LA25SOG8 IC SRAM 16KBIT PARALLEL 24SOIC Renesas Electronics America Inc. Elle est également utilisée pour les télécommunications.

Type de mémoire: Volatil
Format de mémoire: SRAM
Technologie: SRAM - Asynchrone
La Chine Le système de traitement des données est basé sur les données fournies par le système de traitement des données.

Le système de traitement des données est basé sur les données fournies par le système de traitement des données.

Type de mémoire: Volatil
Format de mémoire: DRACHME
Technologie: SDRAM
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