La Chine IS61NLP25636A-200TQLI IC SRAM 9MBIT PARALLEL 100TQFP ISSI, Solution intégrée au silicium inc.

IS61NLP25636A-200TQLI IC SRAM 9MBIT PARALLEL 100TQFP ISSI, Solution intégrée au silicium inc.

Type de mémoire: Volatil
Format de mémoire: SRAM
Technologie: SRAM - Synchrone, DTS
La Chine CY7C2663KV18-450BZI IC SRAM 144MBIT PAR 165FBGA Les technologies Infineon

CY7C2663KV18-450BZI IC SRAM 144MBIT PAR 165FBGA Les technologies Infineon

Type de mémoire: Volatil
Format de mémoire: SRAM
Technologie: SRAM - Synchrone, QDR II+
La Chine Le système de traitement des données est basé sur les données fournies par le système de traitement des données.

Le système de traitement des données est basé sur les données fournies par le système de traitement des données.

Type de mémoire: Volatil
Format de mémoire: DRACHME
Technologie: SDRAM
La Chine FM18W08-SGTR IC FRAM 256KBIT PARALÈL 28SOIC Infineon Technologies

FM18W08-SGTR IC FRAM 256KBIT PARALÈL 28SOIC Infineon Technologies

Type de mémoire: Non-volatile
Format de mémoire: FRAM
Technologie: FRAM (RAM ferroélectrique)
La Chine S29GL064S70TFI030 IC FLASH 64MBIT PARALLEL 48TSOP Infineon Technologies est une société américaine spécialisée dans les technologies de l'information.

S29GL064S70TFI030 IC FLASH 64MBIT PARALLEL 48TSOP Infineon Technologies est une société américaine spécialisée dans les technologies de l'information.

Type de mémoire: Non-volatile
Format de mémoire: Flash
Technologie: ÉCLAIR - NI
La Chine S29GL128P90TFIR10 IC FLASH 128MBIT PARALLEL 56TSOP Les technologies Infineon ont été créées

S29GL128P90TFIR10 IC FLASH 128MBIT PARALLEL 56TSOP Les technologies Infineon ont été créées

Type de mémoire: Non-volatile
Format de mémoire: Flash
Technologie: ÉCLAIR - NI
La Chine IS43TR16128DL-107MBLI IC DRAM 2GBIT PAR 96TWBGA ISSI, Solution intégrée au silicium inc.

IS43TR16128DL-107MBLI IC DRAM 2GBIT PAR 96TWBGA ISSI, Solution intégrée au silicium inc.

Type de mémoire: Volatil
Format de mémoire: DRACHME
Technologie: SDRAM - DDR3L
La Chine 7132LA20JG IC SRAM 16KBIT PARALLEL 52PLCC Renesas Electronics America Inc. Elle a été créée en collaboration avec la société américaine Renesas Electronics.

7132LA20JG IC SRAM 16KBIT PARALLEL 52PLCC Renesas Electronics America Inc. Elle a été créée en collaboration avec la société américaine Renesas Electronics.

Type de mémoire: Volatil
Format de mémoire: SRAM
Technologie: SRAM - Port double, asynchrone
La Chine 71321LA20PFG IC SRAM 16KBIT PARALLEL 64TQFP Renesas Electronics America Inc. Elle a été créée en collaboration avec la société américaine Renesas Electronics.

71321LA20PFG IC SRAM 16KBIT PARALLEL 64TQFP Renesas Electronics America Inc. Elle a été créée en collaboration avec la société américaine Renesas Electronics.

Type de mémoire: Volatil
Format de mémoire: SRAM
Technologie: SRAM - Port double, asynchrone
La Chine Le système de traitement des données est basé sur les données fournies par le système de traitement des données.

Le système de traitement des données est basé sur les données fournies par le système de traitement des données.

Type de mémoire: Volatil
Format de mémoire: DRACHME
Technologie: SDRAM
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