La Chine Les États membres peuvent prévoir des mesures de prévention et de lutte contre les risques liés à l'utilisation de produits chimiques.

Les États membres peuvent prévoir des mesures de prévention et de lutte contre les risques liés à l'utilisation de produits chimiques.

Type de mémoire: Volatil
Format de mémoire: SRAM
Technologie: SRAM - double port, synchrone
La Chine SST39VF1601C-70-4I-EKE IC FLASH 16MBIT PARALLEL 48TSOP Technologie à puce

SST39VF1601C-70-4I-EKE IC FLASH 16MBIT PARALLEL 48TSOP Technologie à puce

Type de mémoire: Non-volatile
Format de mémoire: Flash
Technologie: Flash
La Chine W25Q80DVZPIG IC FLASH 8MBIT SPI/QUAD 8WSON Électronique Winbond

W25Q80DVZPIG IC FLASH 8MBIT SPI/QUAD 8WSON Électronique Winbond

Type de mémoire: Non-volatile
Format de mémoire: Flash
Technologie: ÉCLAIR - NI
La Chine CY7C1353S-100AXC IC SRAM 4.5MBIT PARALLEL 100TQFP Cypress Semi-conducteurs Corp

CY7C1353S-100AXC IC SRAM 4.5MBIT PARALLEL 100TQFP Cypress Semi-conducteurs Corp

Type de mémoire: Volatil
Format de mémoire: SRAM
Technologie: SRAM - Synchrone, DTS
La Chine MT29F2G08ABAEAH4-IT:E IC FLASH 2GBIT PARALLEL 63VFBGA Micron Technology Inc. Il est fourni par les fournisseurs de services de téléphonie mobile.

MT29F2G08ABAEAH4-IT:E IC FLASH 2GBIT PARALLEL 63VFBGA Micron Technology Inc. Il est fourni par les fournisseurs de services de téléphonie mobile.

Type de mémoire: Non-volatile
Format de mémoire: Flash
Technologie: ÉCLAIR - NON-ET
La Chine CY62147EV18LL-55BVXI IC SRAM 4MBIT PARALLEL 48VFBGA Les technologies Infineon ont été utilisées pour la mise en œuvre de cette technologie.

CY62147EV18LL-55BVXI IC SRAM 4MBIT PARALLEL 48VFBGA Les technologies Infineon ont été utilisées pour la mise en œuvre de cette technologie.

Type de mémoire: Volatil
Format de mémoire: SRAM
Technologie: SRAM - Asynchrone
La Chine W25N01GVZEIG IC FLASH 1GBIT SPI/QUAD 8WSON Électronique de la société Winbond

W25N01GVZEIG IC FLASH 1GBIT SPI/QUAD 8WSON Électronique de la société Winbond

Type de mémoire: Non-volatile
Format de mémoire: Flash
Technologie: ÉCLAIR - NON-ET (SLC)
La Chine MT53E256M16D1DS-046 AAT:B IC DRAM 4GBIT 2.133 GHz WFBGA Micron Technology Inc.

MT53E256M16D1DS-046 AAT:B IC DRAM 4GBIT 2.133 GHz WFBGA Micron Technology Inc.

Type de mémoire: Volatil
Format de mémoire: DRACHME
Technologie: SDRAM - LPDDR4 mobile
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