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MT29F128G08CBCABH6-6:A TR IC FLASH 128GBIT PAR 152VBGA Micron Technology Inc. Il est fourni par les fournisseurs de services de téléphonie mobile.
Type de mémoire: | Non-volatile |
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Format de mémoire: | Flash |
Technologie: | ÉCLAIR - NON-ET |
W631GG6KB-12 IC DRAM 1GBIT PARALLEL 96WBGA Électronique de Winbond
Type de mémoire: | Volatil |
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Format de mémoire: | DRACHME |
Technologie: | SDRAM - DDR3 |
MT41K256M8DA-125:K IC DRAM 2GBIT PARALLEL 78FBGA Micron Technology Inc. Il s'agit d'une plateforme qui est utilisée par les fournisseurs de services de téléphonie mobile.
Type de mémoire: | Volatil |
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Format de mémoire: | DRACHME |
Technologie: | SDRAM - DDR3L |
MT49H16M18SJ-25:B TR IC DRAM 288MBIT PARALÈL 144FBGA Micron Technology Inc.
Type de mémoire: | Volatil |
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Format de mémoire: | DRACHME |
Technologie: | DRACHME |
71V256SA15PZGI IC SRAM 256KBIT PARALLEL 28TSOP Renesas Electronics America Inc. Elle a été créée en collaboration avec la société américaine Renesas Electronics.
Type de mémoire: | Volatil |
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Format de mémoire: | SRAM |
Technologie: | SRAM - Asynchrone |
MTFC2GMVEA-0M WT TR IC FLASH 16GBIT MMC 153VFBGA Micron Technology Inc.
Type de mémoire: | Non-volatile |
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Format de mémoire: | Flash |
Technologie: | ÉCLAIR - NON-ET |
IS42S16100H-7BL-TR IC DRAM 16MBIT PAR 60TFBGA ISSI, Solution intégrée au silicium inc.
Type de mémoire: | Volatil |
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Format de mémoire: | DRACHME |
Technologie: | SDRAM |
CY62256LL-70SNXI IC SRAM 256KBIT PARALLEL 28SOIC Cypress Semiconductor Corp. est une société américaine de fabrication de semi-conducteurs.
Type de mémoire: | Volatil |
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Format de mémoire: | SRAM |
Technologie: | SRAM - Asynchrone |
AS4C32M16D1A-5TIN IC DRAM 512MBIT PAR 66TSOP II Alliance Memory, Inc. Il est fourni par le fournisseur de la mémoire.
Type de mémoire: | Volatil |
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Format de mémoire: | DRACHME |
Technologie: | SDRAM-DDR |
MT48LC2M32B2P-6:G TR IC DRAM 64 MBIT PAR 86TSOP II Micron Technology Inc.
Type de mémoire: | Volatil |
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Format de mémoire: | DRACHME |
Technologie: | SDRAM |